1.銅銦碲超薄規則半導體納米片的制備方法，其特征在于：操作時首先稱取一定量的銅源和銦源的前驅體，溶解于加入一定量的表面配體的十八稀溶液中，形成0.02mol/L左右的有機溶液，然后在脫氣和充入惰性氣體交替進行的過程中將混合溶液加熱到90℃;稱取一定量碲粉，加入有機溶液，形成0.5mol/L的含碲有機溶液，并通過加熱的方式促進碲粉溶解，然后將其加入到之前的混合溶液中，持續攪拌,再在120℃下將一定量的十八稀溶劑進行脫氣處理，然后升溫至較高溫度后，將最后得到的混合溶液快速注入到高溫下的十八稀溶劑中，隨后停止反應，快速降溫到室溫，得到銅銦碲的超薄規則納米片;收集銅銦碲超薄規則納米片的方法是：將乙醇加入產物混合溶液中，轉移至離心管離心，得到沉淀產物，用環己烷在溶解后繼續用乙醇洗滌2-3次，最后再溶解到環己烷中制成溶液或是通過冷凍干燥的方法得到固體粉末。
2.根據權利要求1所述的銅銦碲超薄規則半導體納米片制備方法，其特征在于所用的銅源為亞銅鹽（如碘化亞銅），銦源為銦鹽（如醋酸銦），碲源為高純碲粉。
3.根據權利要求1所述的銅銦碲超薄規則半導體納米片制備方法，其特征在于有兩種表面配體，分別以硫醇（如正十二硫醇）為銅源和銦源的表面配體，以正三辛基膦為碲源的表面配體。
4.根據權利要求1所述的銅銦碲超薄規則半導體納米片制備方法，其特征在于以十八烯溶液為有機溶劑所得到的混合溶液的濃度在0.001mol/L至1mol/L。
5.根據權利要求1所述的銅銦碲超薄規則半導體納米片制備方法，其特征在于注射溫度為150℃—300℃，高溫下反應迅速，反應時間極短。
6.根據權利要求1所述的銅銦碲超薄規則半導體納米片制備方法，其特征在于陽離子與陰離子之間需要分開溶解再混合（如將銅源，銦源放到一起溶解、碲源單獨溶解或是將銅源，銦源，碲源各自單獨溶解都可以）。
7.根據權利要求1所述的銅銦碲超薄規則半導體納米片制備方法，其特征在于所述的銅銦碲超薄規則納米片需用有機溶液（如環己烷、正己烷等和乙醇、丙酮等）洗滌。