技術總結
本發明公開了一種奧氏體不銹鋼的低溫氣體滲碳方法，包括將奧氏體不銹鋼工件進行表面鈍化膜處理，將奧氏體不銹鋼放入滲碳爐中，抽真空通入滲碳氣體，加熱滲碳爐開始滲碳處理，所述的滲碳處理為兩段式升降溫過程，實現了在高溫下活性碳原子在工件表面的高濃度富集以及低溫下碳原子向工件內部的順利擴散，使工件內部到表面形成均勻的碳原子濃度分布梯度。

技術研發人員：孫振田;馬飛;孫金全
受保護的技術使用者：機械科學研究總院青島分院
文檔號碼：201611193538
技術研發日：2016.12.21
技術公布日：2017.06.13