1.一種真空鍍膜設(shè)備，包括設(shè)置在真空腔室（10）中的靶材（11）、敲擊探頭（13）和樣品基片（12），所述靶材（11）與電源陰極相連，敲擊探頭（13）與電源陽(yáng)極相連，樣品基片（12）與靶材（11）平行相對(duì)設(shè)置，所述敲擊探頭（13）位于靶材（11）與樣品基片（12）之間，所述敲擊探頭（13）往復(fù)運(yùn)動(dòng)設(shè)置，并敲擊靶材（11）表面，其特征在于：所述靶材（11）與敲擊探頭（13）相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置，使敲擊探頭（13）能夠沿靶材（11）圓周方向均勻敲擊靶材（11）表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述靶材（11）安裝在一轉(zhuǎn)盤（14）上，所述轉(zhuǎn)盤（14）由驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述轉(zhuǎn)盤（14）內(nèi)部設(shè)有冷卻水循環(huán)管路（15），冷卻水循環(huán)管路（15）的進(jìn)水口和出水口設(shè)置在轉(zhuǎn)盤（14）的轉(zhuǎn)軸（16）上，所述進(jìn)水口和出水口通過(guò)流體旋轉(zhuǎn)接頭與固定設(shè)置的供水管路連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述靶材（11）內(nèi)部設(shè)有冷卻水循環(huán)管路（15），冷卻水循環(huán)管路（15）的進(jìn)水口和出水口連至轉(zhuǎn)盤（14）的轉(zhuǎn)軸（16）上，所述進(jìn)水口和出水口通過(guò)流體旋轉(zhuǎn)接頭與固定設(shè)置的供水管路連通。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述靶材（11）為金屬/合金材料時(shí)，靶材（11）連續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置，且轉(zhuǎn)速為3-10r/min。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述靶材（11）為石墨材料時(shí)，靶材（11）間歇式轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置，且每隔5s-20s轉(zhuǎn)動(dòng)5°-10°，轉(zhuǎn)速為3-10r/min。