1.一種新型半導體硅片割圓技術設備，其特征在于：包括底座(1)和非標工作臺(2)；
所述底座(1)上設有行程調節軸(3)，所述行程調節軸(3)上一側活動連接有電機(4)，另一側固定連接有箱體(5)；所述箱體(5)內設有轉軸(6)，所述轉軸(6)下端伸出所述箱體(5)連接有非標刀頭(7)；所述箱體(5)一側連接有進給操作手輪(8)；
所述非標工作臺(2)固定在所述底座(1)上，且位置正對所述非標刀頭(7)下端；所述非標工作臺(2)中間活動連接有硅片吸盤(9)，所述硅片吸盤(9)周圍依次間隔設置有若干非標定制入刀槽(10)和密封圈(11)。
2.根據權利要求1所述的一種新型半導體硅片割圓技術設備，其特征在于：所述非標工作臺(2)與所述底座(1)之間設有若干立柱(12)，所述立柱(12)一端連接所述非標工作臺(2)，另一端連接所述底座(1)。
3.根據權利要求1或2所述的一種新型半導體硅片割圓技術設備，其特征在于：所述硅片吸盤(9)與所述底座(1)之間設有彈性件(13)，所述彈性件(13)內部設有真空泵管(14)；所述真空泵管(14)一端連接所述硅片吸盤(9)。
4.根據權利要求3所述的一種新型半導體硅片割圓技術設備，其特征在于：所述硅片吸盤(9)位于所述非標工作臺(2)臺面的幾何中心；所述硅片吸盤(9)為圓形，其直徑為4-8cm。
5.根據權利要求3所述的一種新型半導體硅片割圓技術設備，其特征在于：所述彈性件(13)為彈簧。
6.根據權利要求1所述的一種新型半導體硅片割圓技術設備，其特征在于：所述非標定制入刀槽(10)和密封圈(11)的橫截面形狀均為環形； 所述非標定制入刀槽(10)橫截面環形寬度大于所述密封圈(11)的橫截面環形寬度；所述非標定制入刀槽(10)和密封圈(11)的數量均為5個。
7.根據權利要求1所述的一種新型半導體硅片割圓技術設備，其特征在于：所述非標刀頭(7)橫截面為圓形；所述非標刀頭(7)下端正對所述硅片吸盤(9)，且兩者間距為20-45cm；所述非標刀頭(7)刀片表面鍍有400號金剛砂，刀片厚度為0.2-0.5mm。
8.根據權利要求1所述的一種新型半導體硅片割圓技術設備，其特征在于：所述轉軸(6)平行于所述行程調節軸(3)；所述非標工作臺(2)橫截面為圓形，其直徑大于等于所述底座(1)寬度；所述非標工作臺(2)的直徑為20-30cm。
9.根據權利要求1所述的一種新型半導體硅片割圓技術設備，其特征在于：所述底座(1)上表面設有冷卻液回收孔(15)；所述冷卻液回收孔(15)位于所述非標工作臺(2)和所述行程調節軸(3)之間；所述箱體(5)上面固定連接有保護罩(16)，所述保護罩(16)一側外表面設有冷卻水出口、真空泵開關(17)和電機開關(18)，所述冷卻水出口連接有冷卻水管(19)；所述保護罩(16)下面連接所述電機(4)。
10.根據權利要求9所述的一種新型半導體硅片割圓技術設備，其特征在于：所述冷卻水管(19)末端連接有冷卻水噴嘴，所述冷卻水噴嘴緊鄰所述非標刀頭(7)。