本發(fā)明涉及鍍膜領域，尤其涉及一種鍍膜系統(tǒng)及鍍膜方法。

背景技術：

在真空鍍膜設備中，石英晶體振蕩監(jiān)控法是工藝過程中監(jiān)控薄膜厚度和材料蒸鍍速率最常用的方法。石英晶體振蕩監(jiān)控法，主要是利用了石英晶體的壓電效應和質量負荷效應，當晶振片表面沉積薄膜后，晶體的振動就會減弱，這種振動或頻率的減少，是由薄膜的厚度和密度決定的，利用非常精密的電子設備，每秒鐘多次測試振動的變化，從而實現對蒸鍍速率和膜層厚度的實時監(jiān)控。

在oled(有機發(fā)光二極管：organiclight-emittingdiode)的有機鍍膜設備中，石英晶振膜厚探頭一般位于加熱源的一側，基板位于加熱源的斜上方。由于兩者幾何位置的差異，晶振上測量得到的蒸發(fā)速率和膜厚值和基板上的實際值是有較大差異的，需要一個修正因子來進行修正，修正因子＝基板膜層厚度/晶振片膜層厚度。理論上來說，針對同一種材料，只要加熱源、晶振和基板三者的幾何相對位置不變，這個修正因子應當是固定的。然而，在實際情況中，這個修正因子卻是不斷變化的，特別是在添加材料或更換晶振片前后，修正因子會發(fā)生顯著的變化，導致膜厚發(fā)生偏差。正因如此，添加材料或更換晶振片后，都要蒸鍍樣品測試膜厚，校正該修正因子。此外，在鍍膜工藝過程中，會遇到晶振有瑕疵、接觸不良、信號受到外界干擾、蒸鍍材料飛濺到晶振等問題，這些問題均會導致修正因子發(fā)生變化，最終導致厚膜偏差，影響工藝穩(wěn)定性。

技術實現要素：

本發(fā)明要解決的技術問題在于，針對現有技術中膜厚監(jiān)控裝置的修正因子發(fā)生變化而導致膜厚偏差及工藝不穩(wěn)定的缺陷，提供一種鍍膜系統(tǒng)及鍍膜方法。

本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是：提供了一種鍍膜系統(tǒng)，包括基板和位于基板下方的鍍膜源，鍍膜系統(tǒng)還包括第一膜厚監(jiān)控裝置和第二膜厚監(jiān)控裝置，第一膜厚監(jiān)控裝置位于基板與鍍膜源之間，第二膜厚監(jiān)控裝置鄰近基板。

優(yōu)選地，第二膜厚監(jiān)控裝置并排設于基板一側。

優(yōu)選地，鍍膜系統(tǒng)還包括設于第二膜厚監(jiān)控裝置下方的第一遮板，第一遮板開啟時，鍍膜源輸出的鍍膜材料的氣流通過第一遮板并到達第二膜厚監(jiān)控裝置，第一遮板關閉時，阻擋氣流到達第二膜厚監(jiān)控裝置。

優(yōu)選地，第一膜厚監(jiān)控裝置位于基板下方的側邊。

優(yōu)選地，第一膜厚監(jiān)控裝置和第二膜厚監(jiān)控裝置均位于基板的同一側邊。

優(yōu)選地，第一膜厚監(jiān)控裝置和第二膜厚監(jiān)控裝置均包括石英晶片。

優(yōu)選地，鍍膜系統(tǒng)還包括位于基板與鍍膜源之間的第二遮板，第二遮板開啟時，鍍膜源輸出的鍍膜材料的氣流通過第二遮板并到達基板，第二遮板關閉時，阻擋氣流到達基板。

本發(fā)明還提供了一種鍍膜方法，包括：

鍍膜源輸出鍍膜材料的氣流對基板進行鍍膜，第一膜厚監(jiān)控裝置即時監(jiān)控基板上所鍍薄膜的厚度；以及

判斷第一膜厚監(jiān)控裝置的監(jiān)測結果是否需要校正，若是，則啟用鄰近基板設置的第二膜厚監(jiān)控裝置，并通過第二膜厚監(jiān)控裝置校正第一膜厚監(jiān)控裝置。

優(yōu)選地，判斷第一膜厚監(jiān)控裝置的監(jiān)測結果是否需要校正包括：獲取第一膜厚監(jiān)控裝置的修正因子，若修正因子的偏差超過預設閾值，則確定第一膜厚監(jiān)控裝置的監(jiān)測結果需要校正；

通過第二膜厚監(jiān)控裝置校正第一膜厚監(jiān)控裝置包括：獲取第二膜厚監(jiān)控裝置的修正因子，并采用第二膜厚監(jiān)控裝置的修正因子來校正第一膜厚監(jiān)控裝置的修正因子。

優(yōu)選地，鍍膜方法還包括：在啟用第二膜厚監(jiān)控裝置后，停用第一膜厚監(jiān)控裝置，采用第二膜厚監(jiān)控裝置即時監(jiān)控基板上所鍍薄膜的厚度。

實施本發(fā)明具有以下有益效果：鍍膜系統(tǒng)及鍍膜方法中，兩個膜厚監(jiān)控裝置協同工作，提升了設備的穩(wěn)定性和可靠性，特別是在第一膜厚監(jiān)控裝置的修正因子發(fā)生變化時。另，第二膜厚監(jiān)控裝置鄰近基板，因此第二膜厚監(jiān)控裝置獲取的鍍膜速率及膜厚值與基板上的真實值相當接近，即第二膜厚監(jiān)控裝置的修正因子近似為100％，具有修正誤差小的優(yōu)點，由此可在需要時采用第二膜厚監(jiān)控裝置來檢查并校正第一膜厚監(jiān)控裝置；此校正方法雖不能完全代替制備樣品測試膜厚進行校正的傳統(tǒng)方法，但是可以大大減少采用傳統(tǒng)方式進行校準的頻率，不但節(jié)省了制作樣品及測試膜厚的時間，還節(jié)省了原材料開支。

附圖說明

下面將結合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步說明，附圖中：

圖1是依據本發(fā)明第一實施例的鍍膜系統(tǒng)的結構示意圖；

圖2是依據本發(fā)明第二實施例的鍍膜系統(tǒng)的結構示意圖；

圖3是依據本發(fā)明第三實施例的鍍膜系統(tǒng)的結構示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

參見圖1，圖1示出了依據本發(fā)明第一實施例的鍍膜系統(tǒng)的結構示意圖，該鍍膜系統(tǒng)包括基板1、位于基板1下方的鍍膜源2、第一膜厚監(jiān)控裝置3和第二膜厚監(jiān)控裝置4，第一膜厚監(jiān)控裝置3位于基板1與鍍膜源2之間，第二膜厚監(jiān)控裝置4鄰近基板1。工作過程中，鍍膜源2產生鍍膜材料的氣流21，該氣流21一部分在基板1上沉積形成所需薄膜，另一部分沉積到第一和第二膜厚監(jiān)控裝置4中的至少一個上，通過測量膜厚監(jiān)控裝置中沉積的薄膜的厚度等數據，再結合校正因子即可獲得基板1上沉積的薄膜的厚度，從而實現監(jiān)控基板1上所鍍薄膜的厚度。

上述鍍膜系統(tǒng)中，兩個膜厚監(jiān)控裝置可協同工作，提升了設備的穩(wěn)定性和可靠性，特別是在第一膜厚監(jiān)控裝置3的修正因子發(fā)生變化時。另，第二膜厚監(jiān)控裝置4鄰近基板1，因此第二膜厚監(jiān)控裝置4獲取的鍍膜速率及膜厚值與基板1上的真實值相當接近，即第二膜厚監(jiān)控裝置4的修正因子近似為100％，具有修正誤差小的優(yōu)點，由此可在需要時采用第二膜厚監(jiān)控裝置4來檢查并校正第一膜厚監(jiān)控裝置3；此校正方法雖不能完全代替制備樣品測試膜厚進行校正的傳統(tǒng)方法，但是可以大大減少采用傳統(tǒng)方式進行校準的頻率，不但節(jié)省了制作樣品及測試膜厚的時間，還節(jié)省了原材料開支。另，本鍍膜系統(tǒng)結構簡單，容易制造，可以通過改造現有設備實現升級。

具體地，鍍膜源2包括坩堝，鍍膜材料為oled材料，oled材料在坩堝中受熱蒸發(fā)，形成氣流21，并從坩堝口向外輸運，部分沉積到基板1上形成所需要的薄膜。應當知曉，以上鍍膜源2中采用坩堝和oled材料僅用作舉例，并不是對本發(fā)明的限制，本領域的普通技術人員可選用任意適合的鍍膜源2，例如，鍍膜方法包括但不限于物理蒸汽鍍膜方法、以及化學蒸汽鍍膜；鍍膜源2可以是一個種類或多個不同種類的組合；鍍膜源2可以是移動的或靜止的等等，此處不再一一贅述。

第一膜厚監(jiān)控裝置3和第二膜厚監(jiān)控裝置4均包括石英晶片，例如圖中的石英晶片31和41，通過石英晶體振蕩監(jiān)控法監(jiān)控薄膜厚度。第二膜厚監(jiān)控裝置4并排設于基板1一側，并緊鄰該基板1，從而可進一步確保第二膜厚監(jiān)控裝置4獲取的鍍膜速率及膜厚值與基板1上的真實值非常接近，基本相等。第一膜厚監(jiān)控裝置3位于基板1下方的側邊，且第一膜厚監(jiān)控裝置3和第二膜厚監(jiān)控裝置4還可均位于基板1的同一側邊，從而減少氣流21差異對兩個膜厚監(jiān)控裝置監(jiān)控數據的影響，確保兩個膜厚監(jiān)控裝置在相同的條件下監(jiān)控薄膜厚度和鍍膜速率，即確保監(jiān)控結果的一致性，從而有助于采用第二膜厚監(jiān)控裝置4來檢查并校正第一膜厚監(jiān)控裝置3。

參見圖2，圖2示出了依據本發(fā)明第二實施例的鍍膜系統(tǒng)，與第一實施例的鍍膜系統(tǒng)的區(qū)別在于，本實施例的鍍膜系統(tǒng)還包括設于第二膜厚監(jiān)控裝置4下方的第一遮板5，該第一遮板5具有開關功能，在第一遮板5開啟時，鍍膜源2輸出的鍍膜材料的氣流21通過第一遮板5并到達第二膜厚監(jiān)控裝置4，第一遮板5關閉時，阻擋氣流21到達第二膜厚監(jiān)控裝置4。采用第一遮板5，可在平時關閉第二膜厚監(jiān)控裝置4，僅在需要時開啟，從而延長第二膜厚監(jiān)控裝置4的使用時間或使用壽命。

在鍍膜工藝過程中，在添加材料或更換晶振片(例如石英晶片)前后，修正因子會發(fā)生顯著的變化，導致膜厚發(fā)生偏差；或者當第一膜厚監(jiān)控裝置3遇到晶振有瑕疵、接觸不良、信號受到外界干擾、蒸鍍材料飛濺到晶振等問題時，其監(jiān)測結果也將發(fā)生較大偏差，導致工藝參數波動。此時可以開啟第一遮板5，啟用第二膜厚監(jiān)控裝置4。一方面，第二膜厚監(jiān)控裝置4可獨立工作，即獨立監(jiān)控基板1的鍍膜情況，無需中斷正在進行的鍍膜工藝，避免第一膜厚監(jiān)控裝置3突發(fā)波動或故障造成的產品損失。另一方面，上述已經提及第二膜厚監(jiān)控裝置4的修正因子接近100％，因此還可采用第二膜厚監(jiān)控裝置4的修正因子對第一膜厚監(jiān)控裝置3進行檢查和校正，可大大減少采用傳統(tǒng)方式進行校準的頻率，不但節(jié)省了制作樣品及測試膜厚的時間，還節(jié)省了原材料開支。

參見圖3，圖3示出了依據本發(fā)明第三實施例的鍍膜系統(tǒng)，與第二實施例的鍍膜系統(tǒng)的區(qū)別在于，本實施例的鍍膜系統(tǒng)還包括位于基板1與鍍膜源2之間的第二遮板6，該第二遮板6具有開關功能，當第二遮板6開啟時，鍍膜源2輸出的鍍膜材料的氣流21通過第二遮板6并到達基板1，第二遮板6關閉時，阻擋氣流21到達基板1。

依據本發(fā)明第四實施例的鍍膜方法包括：步驟s100、鍍膜源輸出鍍膜材料的氣流對基板進行鍍膜，第一膜厚監(jiān)控裝置即時監(jiān)控基板上所鍍薄膜的厚度；以及步驟s200、判斷第一膜厚監(jiān)控裝置的監(jiān)測結果是否需要校正，若是，則啟用鄰近基板設置的第二膜厚監(jiān)控裝置，并通過第二膜厚監(jiān)控裝置校正第一膜厚監(jiān)控裝置。

步驟s100中，判斷第一膜厚監(jiān)控裝置的監(jiān)測結果是否需要校正時，可先獲取第一膜厚監(jiān)控裝置的修正因子，若修正因子的偏差超過預設閾值，則確定第一膜厚監(jiān)控裝置的監(jiān)測結果需要校正。通常，在添加材料或更換晶振片(例如石英晶片)前后，修正因子會發(fā)生顯著的變化，導致膜厚發(fā)生偏差；或者當第一膜厚監(jiān)控裝置遇到晶振有瑕疵、接觸不良、信號受到外界干擾、蒸鍍材料飛濺到晶振等問題時，其監(jiān)測結果也將發(fā)生較大偏差，導致工藝參數波動，從而需要校正。

步驟s200中，在通過第二膜厚監(jiān)控裝置校正第一膜厚監(jiān)控裝置時，可先獲取第二膜厚監(jiān)控裝置的修正因子，因該修正因子接近100％，因此可采用第二膜厚監(jiān)控裝置的修正因子來校正第一膜厚監(jiān)控裝置的修正因子。

在一具體實施方式中，為了避免中斷正在進行的鍍膜工藝，可在啟用第二膜厚監(jiān)控裝置后但完成校正第一膜厚監(jiān)控裝置之前，先停用第一膜厚監(jiān)控裝置，采用第二膜厚監(jiān)控裝置即時監(jiān)控基板上所鍍薄膜的厚度。

應當知曉，本發(fā)明的鍍膜方法的細節(jié)方案已在上述鍍膜系統(tǒng)中詳細闡述，可部分或全部引用，即上述任意鍍膜系統(tǒng)可實施任意鍍膜方法，此處不再贅述。

可以理解的，以上實施例僅表達了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制；應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，可以對上述技術特點進行自由組合，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍；因此，凡跟本發(fā)明權利要求范圍所做的等同變換與修飾，均應屬于本發(fā)明權利要求的涵蓋范圍。