本發明涉及不銹鋼領域，具體地，涉及一種降低奧氏體不銹鋼磁性的方法、奧氏體不銹鋼及其應用。

背景技術：

1、磁性是電子設備用不銹鋼件中經常遇到的一類問題。例如，在電真空器件的生產中，電子槍、微波器件等要求制備材料無磁，主要是因為磁場可以對電磁波產生干擾，當電磁波穿過磁場時，磁場的強度和方向可能會影響電磁波的傳播，這種干擾可能導致電磁波的相位、振幅或傳播路徑發生變化；磁場的疊加是指兩個或多個磁場同時存在時，它們的磁場效應會合并，這種疊加可能導致磁場變得更加復雜，進而影響電磁波的傳播特性，因此所用材料的磁性必須有所限制。

2、在器件的設計時就要考慮無磁或弱磁材料的選擇，材料既要便宜、方便焊接，還要方便加工、適合電真空使用。雖然316l奧氏體不銹鋼常規上歸屬于無磁不銹鋼或弱磁不銹鋼，但是因為成分差異或加工的影響，往往殘留或產生一定的磁性。而一般奧氏體不銹鋼受成分限制，奧氏體穩定元素含量不足，常溫下鋼中一般含有5-10％左右的δ鐵素體，因而略帶有磁性。同樣因為奧氏體不夠穩定，其在冷加工過程中伴隨部分奧氏體組織轉變為形變馬氏體組織，由于δ鐵素體與馬氏體都屬于強磁性組織，316l不銹鋼因此在加工及其使用過程中呈現不同的磁性。

3、因此，基于316l不銹鋼的特性，亟需提供一種降低316l不銹鋼磁性的方法，在采用316l不銹鋼制備電子設備時，能夠對它的磁導率和剩磁進行控制，以便產品滿足使用要求。

技術實現思路

1、本發明的目的是為了克服現有技術存在的316l不銹鋼制備電子產品時因其具有磁性進而影響電子產品性能的問題，提供一種降低奧氏體不銹鋼磁性的方法、奧氏體不銹鋼及其應用，該方法能夠降低奧氏體不銹鋼的磁性，進而不會影響電子產品的性能。

2、為了實現上述目的，本發明第一方面提供一種降低奧氏體不銹鋼磁性的方法，包括：對奧氏體不銹鋼進行退火處理；所述退火處理的過程包括：將所述奧氏體不銹鋼升溫至920-980℃保溫2-4h后冷卻。

3、優選地，所述退火處理的過程包括：將所述奧氏體不銹鋼升溫至940-960℃保溫2-4h后冷卻。

4、優選地，所述奧氏體不銹鋼為316l不銹鋼。

5、優選地，所述316l不銹鋼為316l不銹鋼半成品和/或316l不銹鋼成品。

6、優選地，所述退火處理在真空設備中進行。

7、優選地，所述真空設備的條件至少包括：壓力為10-5-10-3pa。

8、優選地，所述退火處理的過程還包括：在所述升溫前對所述真空設備抽真空至1×10-3pa時開始升溫。

9、優選地，所述升溫的速率為230-330℃/h。

10、優選地，所述冷卻的方式為隨爐冷卻。

11、本發明第二方面提供上述第一方面所述的方法得到的奧氏體不銹鋼。

12、優選地，所述奧氏體不銹鋼的磁導率不高于1.05，剩磁不高于0.5gs。

13、本發明第三方面提供上述第二方面所述的奧氏體不銹鋼在制備電真空器件中的應用。

14、通過上述技術方案，本發明提供的方法，通過采用將奧氏體不銹鋼升溫至920-980℃保溫2-4h后冷卻的退火處理的方式，能夠控制奧氏體不銹鋼的磁導率不高于1.05，剩磁不高于0.5gs，使其滿足電子產品的使用要求，還能夠提高奧氏體不銹鋼的強度、韌性和防腐蝕性，具有顯著的經濟效益。而且，該方法的工藝簡單，易于操作，能夠避免在生產過程中奧氏體不銹鋼的浪費。

技術特征：

1.一種降低奧氏體不銹鋼磁性的方法，其特征在于，包括：對奧氏體不銹鋼進行退火處理；

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火處理的過程包括：將所述奧氏體不銹鋼升溫至940-960℃保溫2-4h后冷卻。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述奧氏體不銹鋼為316l不銹鋼；

4.根據權利要求1至3中任意一項所述的方法，其特征在于，所述退火處理在真空設備中進行。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述真空設備的條件至少包括：壓力為10-5-10-3pa；

6.根據權利要求1至3中任意一項所述的方法，其特征在于，所述升溫的速率為230-330℃/h。

7.根據權利要求1至3中任意一項所述的方法，其特征在于，所述冷卻的方式為隨爐冷卻。

8.權利要求1至7中任意一項所述的方法得到的奧氏體不銹鋼。

9.根據權利要求8所述的奧氏體不銹鋼，其特征在于，所述奧氏體不銹鋼的磁導率不高于1.05，剩磁不高于0.5gs。

10.權利要求9所述的奧氏體不銹鋼在制備電真空器件中的應用。

技術總結
本發明涉及不銹鋼領域，具體地，涉及一種降低奧氏體不銹鋼磁性的方法、奧氏體不銹鋼及其應用。該方法包括：對奧氏體不銹鋼進行退火處理；所述退火處理的過程包括：將所述奧氏體不銹鋼升溫至920?980℃保溫2?4h后冷卻。該方法能夠降低奧氏體不銹鋼的磁性，進而不會影響電子產品的性能。

技術研發人員：呂義巍,王昊,俞暢,費文軍,朱剛,查放,鄭君,儲其麗,陳明亮
受保護的技術使用者：安徽華東光電技術研究所有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/24