法及熱等靜壓法，及快速全向壓實(shí)法及Ceracon? 工藝。所述壓制步驟優(yōu)選包括一熱等靜壓粉末的步驟。預(yù)定溫度優(yōu)選是大約800°C或更高， 更優(yōu)選是大約900°C或更高，甚至更優(yōu)選是大約1000°C或更高，甚至更優(yōu)選是大約IKKTC 或更高，及最優(yōu)選是大約1200°C或更高。預(yù)定溫度優(yōu)選是大約1700°C或更低，更優(yōu)選是大 約1600°C或更低，甚至更優(yōu)選是大約1500°C或更低，甚至更優(yōu)選是大約1400°C或更低，及 最優(yōu)選是大約1300°C或更低。預(yù)定壓制時(shí)間可以是大約1分鐘或更高，優(yōu)選是大約15分鐘 或更高，更優(yōu)選是大約30分鐘或更高，預(yù)定壓制時(shí)間是大約24小時(shí)或更少，更優(yōu)選是大約 12小時(shí)或更少，甚至更優(yōu)選是大約8小時(shí)或更少，及最優(yōu)選是大約5小時(shí)或更少。預(yù)定壓制 壓力可以是大約5MPa或更高，大約20MPa或更高，大約50MPa或更高，或大約70MPa或更高。 預(yù)定壓力可以是大約1000 MPa或更低，優(yōu)選是大約700MPa或更低，更優(yōu)選是大約400MPa或 更低，及最優(yōu)選是大約250MPa或更低。
[0102] 制造靶材的工藝可以任選包括一粘結(jié)步驟（兩塊或多塊靶板（如第一靶板和第 二靶板），以制造粘結(jié)靶板。例如，所述粘結(jié)步驟可以是一邊緣粘結(jié)的步驟。所述粘結(jié)工 藝可以是擴(kuò)散粘結(jié)工藝。粘結(jié)步驟在生產(chǎn)擁有相對(duì)較大面積（如長(zhǎng)度大于大約67英寸 (1702mm)，或大于大約84英寸（2134mm)及寬度大于大約55英寸（1397mm)，或大于大約70 英寸（1778mm))的靶材時(shí)比較有利。
[0103] 正如此處所教導(dǎo)的那樣，在本發(fā)明優(yōu)選的一個(gè)方面，壓制形成的靶板能夠乳制，從 而延長(zhǎng)靶板的長(zhǎng)度，從而加大靶板的寬度，或者實(shí)現(xiàn)這兩者。因此，所述形成濺射靶材的工 藝可以是基本上沒(méi)有，或者甚至是完全沒(méi)有粘結(jié)（如邊緣粘結(jié)）兩塊或多塊靶板的步驟。應(yīng) 該了解的是，可以采用一個(gè)或多個(gè)乳制靶板的步驟。通過(guò)乳制靶板，不再需要較大的模具和 /或較大的壓機(jī)（如至少與最終濺射靶材差不多一樣大的模具和/或壓機(jī)）。一個(gè)或多個(gè) 乳制步驟在生產(chǎn)擁有相對(duì)較大面積（如長(zhǎng)度大于大約67英寸（1702mm)，或大于大約84英 寸（2134mm)及寬度大于大約55英寸（1397mm)，或大于大約70英寸（1778mm))的靶材時(shí)比 較有利。
[0104] 鍛造
[0105] 制造靶材的工藝可以任選包括一個(gè)或多個(gè)鍛造步驟。如果采用鍛造步驟的話，所 述鍛造步驟可以包括熱鍛（如在溫度超過(guò)靶材重結(jié)晶溫度的條件下鍛造）。可以采用的 合適的鍛造方法包括壓鍛、鐓鍛、自動(dòng)熱鍛、輥鍛、精密鍛造、感應(yīng)鍛造，及它們的任意組合。 所述鍛造工藝可以采用但不限于，例如，國(guó)際專利申請(qǐng)公開(kāi)W02005/108639 Al (Matera等， 2005年11月17日公開(kāi)）中所述的轉(zhuǎn)軸鍛造，該專利的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合在本申請(qǐng)中。 轉(zhuǎn)軸鍛造工藝可以采用，例如，W02005/108639 Al中0032段描述的轉(zhuǎn)軸鍛造機(jī)。
[0106] 減少/消除織構(gòu)的變化
[0107] 制造靶材的工藝可以包括一采用，例如WO 2009/020619 Al (Bozkaya等，2009年2 月12日公開(kāi)）中描述的方法或設(shè)備進(jìn)行傾斜乳制或其它不對(duì)稱乳制的步驟，該專利的全部 內(nèi)容通過(guò)引用結(jié)合在本申請(qǐng)中。
[0108] 應(yīng)用
[0109] 所述濺射靶材可以用于生產(chǎn)平板顯示器或光伏電池的電極基板的一層或多層 (如作為一個(gè)或多個(gè)阻隔層）。可以有利地采用本發(fā)明的濺射靶材的平板顯示器的實(shí)例包 括液晶顯示器（例如，有源矩陣液晶顯示器，如薄膜晶體管-液晶顯示器（即TFT-IXD))、發(fā) 光二極管、等離子顯示板、真空熒光顯示器、場(chǎng)發(fā)射顯示器、有機(jī)發(fā)光顯示器、電發(fā)光顯示器 及電致-變色顯示器。
[0110] 可以包括由含鉬層制造的濺射靶材的器件包括計(jì)算機(jī)顯示器、光盤、太陽(yáng)能電池、 磁數(shù)據(jù)儲(chǔ)存、光通信、裝飾涂料、硬涂料、玻璃涂料（包括WEB涂料）、照相機(jī)、錄像機(jī)、視頻游 戲、移動(dòng)電話、智能手機(jī)、觸摸屏、全球定位衛(wèi)星裝置、視頻記分牌、視頻廣告牌和其它顯示 器面板等。
[0111] 參考圖11，一個(gè)此類器件可以包括多層結(jié)構(gòu)102。所述多層結(jié)構(gòu)包括含基材層104 和沉積含鉬層106的兩層或更多層。所述基材層可以由玻璃、半導(dǎo)體、金屬、聚合物或它們 的任意組合形成。應(yīng)該了解的是，所述基材層可以包括多種材料。優(yōu)選的基材層包括玻璃 或基本上由玻璃組成。另一種優(yōu)選的基材層包括硅或基本上由硅組成。所述多層結(jié)構(gòu)包括 一層或多層沉積層106。所述沉積層106可采用本發(fā)明教導(dǎo)的濺射方法形成，可采用本發(fā)明 教導(dǎo)的濺射靶材形成，或采用這兩個(gè)教導(dǎo)形成。所述沉積層106可以是薄膜。所述沉積層 的厚度可以小于基材層102的厚度。沉積層的厚度可以小于大約1 μπι，甚至更優(yōu)選小于大 約200nm，甚至更優(yōu)選小于大約100nm，及最優(yōu)選小于大約50nm。沉積層106可以沉積到基 材104上，或沉積層106可以沉積到基材104和沉積層106之間的一個(gè)或多個(gè)中間層（未 畫(huà)出）上。多層結(jié)構(gòu)102還可以包括一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層108。導(dǎo)電層108的電導(dǎo)率大于基 材層104的電導(dǎo)率，大于沉積層106的電導(dǎo)率，或優(yōu)選大于基材層104和沉積層106的電導(dǎo) 率。沉積層106優(yōu)選夾在基材層104和導(dǎo)電層108之間。例如，沉積層106可包括至少部分 與基材層104接觸的第一表面，至少部分與導(dǎo)電層108接觸的相對(duì)表面。因此，沉積層106 可以是減少或避免導(dǎo)電層108和基材層102之間原子擴(kuò)散的阻隔層。
[0112] 測(cè)試方法
[0113] 粘附性
[0114] 采用符合ASTM B905-00的膠粘帶試驗(yàn)測(cè)量粘附性。5B級(jí)表明具有良好的粘附性 及沉積層未被膠帶脫除。
[0115] 沉積速率
[0116] 沉積速率通過(guò)測(cè)量沉積層的厚度（單位：nm)，并除以沉積時(shí)間（單位：分鐘）來(lái)確 定。
[0117] 蝕刻速率
[0118] 蝕刻速率（單位：μ m/min)是浸在25 °C鐵氰化物溶液時(shí)沉積層厚度的變化率。
[0119] 電阻率
[0120] 沉積薄膜的薄膜電阻采用四點(diǎn)探針測(cè)定。每個(gè)沉積條件測(cè)定兩個(gè)樣品。然后，通 過(guò)樣品的幾何形狀計(jì)算電阻率。
[0121] 沉積薄膜的微觀結(jié)構(gòu)
[0122] 沉積薄膜的微觀結(jié)構(gòu)可以采用掃描電子顯微鏡獲得。在實(shí)例中采用可以測(cè)量背散 射電子和二次電子的JEOL JSM-7000F場(chǎng)致發(fā)射電子顯微鏡。
[0123] 濺射靶材的微觀結(jié)構(gòu)
[0124] 濺射靶材的微觀結(jié)構(gòu)可以采用掃描電子顯微鏡獲得。采用ASPEX Personal Scanning Electron Micrsoscope (個(gè)人掃描電子顯微鏡）。
[0125] 工作距離是大約20mm，加速電壓是大約20keV。二次電子檢測(cè)器是 Everhart-Thornley類型。也可以獲得背散射電子的圖像。還采用電子顯微鏡測(cè)定能量色 散X-射線光譜，采用大約I ym斑點(diǎn)尺寸。這樣制備濺射靶材的電子顯微鏡樣品：采用切割 砂輪切片，將切割的片安裝在聚合物材料中，采用砂粒逐漸變細(xì)的的SiC砂紙粗磨，最后采 用金剛石研磨膏拋光，然后采用A1 203、SiO2懸浮液拋光。
[0126] X-射線衍射測(cè)定
[0127] 采用菲利浦XPert Pro X-射線衍射儀開(kāi)展X-射線衍射研究。
[0128] 此處引用的任何數(shù)值包括以一個(gè)單位增量增加的從低值到高值的所有值，只要任 何低值和任何高值之間相隔至少2個(gè)單位。例如，如果聲明一個(gè)組分的量或一個(gè)工藝參數(shù) 的值，例如，溫度、壓力、時(shí)間等，例如，是1至90，優(yōu)選是20至80，更優(yōu)選是30至70，它表明 的是例如，15至85、22至68、43至51、30至32等都明確列舉在本申請(qǐng)說(shuō)明書(shū)中。對(duì)于小于 1的數(shù)值，根據(jù)情況，一個(gè)單位被認(rèn)為是〇. 〇〇〇1、〇. 〇〇1、〇. 01或〇. 1。這些僅僅是特別指出 的實(shí)例，最低值和最高值之間列舉的數(shù)值的所有可能組合均被視為以類似的方式在本申請(qǐng) 中明確聲明。
[0129] 除非特別聲明，所有范圍包括兩個(gè)端點(diǎn)和兩個(gè)端點(diǎn)之間的所有數(shù)字。連接范圍時(shí) 使用的"大約"或"近似"適用于范圍的兩個(gè)端點(diǎn)。因此，"大約20至30"包括"大約20至 大約30"，包括至少規(guī)定的端點(diǎn)。
[0130] 所有文章和參考文獻(xiàn)的公開(kāi)內(nèi)容，包括專利申請(qǐng)和專利公開(kāi)，均通過(guò)引用而結(jié)合 在本申請(qǐng)中。術(shù)語(yǔ)"基本上由......組成"用于描述一個(gè)組合應(yīng)包括標(biāo)明的元素、組分、成 分或步驟，及其它不會(huì)對(duì)組合的基本特點(diǎn)和新穎性特點(diǎn)造成重大影響的無(wú)素、組分、成分或 步驟。采用術(shù)語(yǔ)"包括"或"包含（含）"描述元素、組分、成分或步驟的組合時(shí)，還涵蓋基本 上由元素、組分、成分或步驟組成或由元素、組分、成分或步驟組成的實(shí)施例。
[0131] 單數(shù)集成元素、組分、成分或步驟，可以指的是復(fù)數(shù)元素、組分、成分或步驟。或者， 單數(shù)集成元素、組分、成分或步驟，可以分成獨(dú)立的復(fù)數(shù)元素、組分、成分或步驟。本發(fā)明公 開(kāi)內(nèi)容中使用"一"或"一個(gè)"來(lái)描述元素、組分、成分或步驟時(shí)，并不排除其它元素、組分、 成分或步驟。
[0132] 應(yīng)該理解的是，上述說(shuō)明是說(shuō)明性的，而不是限制性的。除提供的實(shí)例外，對(duì)于閱 讀上述說(shuō)明的本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，許多實(shí)施例以及許多應(yīng)用是顯而易見(jiàn)的。因此，本發(fā) 明的范圍不應(yīng)該由參考上述說(shuō)明確定，而應(yīng)該參考所附的權(quán)利要求書(shū)以及所述權(quán)利要求書(shū) 賦予的相當(dāng)?shù)娜糠秶_定。所有文章和參考文獻(xiàn)的公開(kāi)內(nèi)容，包括專利申請(qǐng)和專利公開(kāi)， 均通過(guò)引用而結(jié)合在本申請(qǐng)中。在下述權(quán)利要求中省略此處公開(kāi)的主題的任何一個(gè)方面， 并不是放棄此主題，也不應(yīng)認(rèn)為發(fā)明人并未考慮到此主題是公開(kāi)發(fā)明主題的一部分。
[0133] 實(shí)例
[0134] 實(shí)例1-13-鉬/鈮/鉭
[0135] 實(shí)例1說(shuō)明了包括鉬、鈮和鉭的濺射靶材。實(shí)例2-13說(shuō)明了采用實(shí)例1濺射靶材 制造的沉積膜。
[0136] 實(shí)例 1
[0137] 實(shí)例1是采用下述方法制造的濺射靶材：首先將粒徑大約3-4 μ m的鉬粉、粒徑大 約45-90 μ m的鉭粉及粒徑大約10-45 μ m的鈮粉混合，形成含大約80原子％鉬、大約10原 子％鈮和大約10原子％鉭的粉末混合物。將所述粉末混合物在V-混合機(jī)中混合大約20 分鐘，得到這三種粉末的均勻混合物。然后，施加大約340, OOOkg的力，在溫度大約23°C條 件下，通過(guò)單向壓制法壓實(shí)所得粉末混合物，使其變成直徑大約95_的顆粒（即壓力大約 470MPa)。然后，將壓制顆粒封裝在低碳鋼罐內(nèi)，并在溫度大約1325°C和壓力大約120MPa的 條件下熱等靜壓大約4小時(shí)。這樣制造后，實(shí)例1的濺射靶材的密度大于理論密度的大約 94%。然后，從罐中取出壓實(shí)的材料，并加工成直徑大約58. 4mm，厚度大約6. 4mm。
[0138] 所述靶材包括至少一個(gè)含50原子％以上鉬的第一相，至少一個(gè)含50原子％以上 鈮的第二相及至少一個(gè)含50原子％以上鉭的第三相。所述濺射靶材采用二次電子的掃描 電子顯微照片如圖1所示。采用背散射電子的掃描電子顯微照片如圖2、3A、4A、5A、6A和7A 所示。如這些圖所示，所述濺射靶材具有包括鉬連續(xù)相16、鉭分散相12 (以光區(qū)表示）及 鈮分散相14(以黑區(qū)表示）的形態(tài)。還采用X-射線吸收光譜法對(duì)濺射靶材不同區(qū)域進(jìn)行 了元素分析。如圖3B所示，濺射靶材包括一基本上由鉬組成的相。如圖4B所示，濺射靶材 包括一基本上由鈮組成的相。如圖5B所示，濺射靶材包括一基本上由鉭組成的區(qū)域。如圖 6B所示，濺射靶材包括一基本上由鉬和鈮合金組成的區(qū)域。如圖7B所示，濺射靶材包括一 基本上由鉬和鉭合金組成的區(qū)域。
[0139] 如圖1-7所示，濺射靶材的大多數(shù)是第一相（即含50原子％或更多鉬的相），第一 相是連續(xù)相。我們認(rèn)為，在熱等靜壓步驟期間，通過(guò)金屬元素的擴(kuò)散（如鉬原子擴(kuò)散到鈮相 區(qū)和鉭相區(qū)）形成了合金相（如鉬/鈮合金相和鉬/鉭合金相），但是并不受理論限制。
[0140] 實(shí)例 2-13
[0141] 實(shí)例2-13說(shuō)明了包括采用此處教導(dǎo)的濺射靶材在基材（如含硅基材，或含玻璃基 材）上濺射薄膜層的步驟的方法。濺射可以采用磁控管完成。一般說(shuō)來(lái)，濺射將在真空度 大約1至大約100毫托（優(yōu)選大約2至大約20毫托）、基材和濺射靶材之間的距離大約5 至300mm(優(yōu)選大約20至大約150mm)條件下派射大約1至大約240分鐘（優(yōu)選大約1至 大約40分鐘）。所得結(jié)構(gòu)將具有與此處實(shí)例2-13 -致的特點(diǎn)。
[0142] 實(shí)例2-13的薄膜層是通過(guò)將實(shí)例1的濺射靶材放到磁控管濺射沉積室內(nèi)，采用表 IA和IB所示的條件制備的。基材是硅片（100)取向或Corning 1737玻璃。在沉積之前， 基材采用丙酮和乙醇的超聲波浴連續(xù)清洗干凈。然后，采用氮?dú)獯蹈苫摹＝酉聛?lái)，將基材 與濺射靶材一起裝到沉積室內(nèi)。靶材采用壓力大約5毫托的氬氣流在200W DC濺射清洗大 約10分鐘。在靶材清洗期間，在靶材前面放置一擋板，以避免沉積到基材上。
[0143] 當(dāng)使用玻璃基材時(shí)，基材采用在60毫托濺射30分鐘蝕刻，以清除基材表面上可能 的污染。在靶材濺射清洗后，拿走擋板，采用300W直流電，在基材OV接地時(shí)將靶材濺射到 基材上。基材和靶材之間的距離保持在大約121mm。濺射時(shí)間大約5分鐘和大約30分鐘， 室壓大約3暈托、大約5暈托和大約8暈托，如表1A和IB所不。
[0144] 表1A采用實(shí)例1濺射靶材濺射到硅基材上的沉積條件
[0148] 圖8A是放大倍數(shù)大約50000倍的二次電子掃描電子顯微照片，說(shuō)明了實(shí)例3沉積 層（在沉積壓力大約3毫托，沉積時(shí)間大約30分鐘的條件下沉積）的表面情況。沉積層的 形態(tài)基本上由含大約80原子％鉬、大約10原子％鈮和大約10原子％鉭的單一合金相組 成。如圖8A所示，實(shí)例3的合金的平均粒徑是大約49nm。圖8B是放大倍數(shù)大約50000倍 的二次電子掃描電子顯微照片，說(shuō)明了實(shí)例7沉積層（在沉積壓力大約8毫托，沉積時(shí)間大 約30