專利名稱：一種基板玻璃池爐煙氣處理裝置及處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于煙氣處理領(lǐng)域，涉及一種煙氣處理裝置及處理方法，尤其是 一種用于基板玻璃池爐煙氣處理裝置及處理方法。
背景技術(shù)：
為了保證池爐煙氣排放達到國家標準，玻璃廠均需要對煙氣進行處理， 保證最終排放的煙氣達標。目前傳統(tǒng)的煙氣處理主要是干法和濕法兩種，干法也就是我們 常說的靜電除塵，濕法則是在處理液中添加各種藥品，讓煙氣通過處理液后各種有害物質(zhì) 均被吸收。基板玻璃池爐煙氣中粉塵粒度小，干法除塵過程中電極無法捕捉到粒度過小的 有害物質(zhì)，而濕法處理過程中用到大量的水，容易造成二次污染，且這部分水也很難處理回 收。隨著對環(huán)保的要求日益嚴格，設計一種能有效去除基板玻璃池爐煙氣中有害物質(zhì)的裝 置，對環(huán)境保護和我國今后基板玻璃產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有著重要的現(xiàn)實意義。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是對基板玻璃池爐煙氣進行處理，主要是處理煙氣中的 氧化砷化和氧化硼，因為氧化砷是劇毒物質(zhì)，國家對其的排放有著嚴格的要求，而氧化硼在 低溫條件下容易結(jié)晶，造成煙囪的堵塞。本發(fā)明的原理是制造一個滿足氧化砷和氧化硼的 結(jié)晶溫度條件，使氧化砷和氧化硼自然結(jié)晶后顆粒增大，在通過過濾布袋時能被集中收集。本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，提供一種基板玻璃池爐煙氣處理裝 置，其特征在于所述煙氣處理裝置包括調(diào)溫室、第一結(jié)晶室、第二結(jié)晶室和風機；所述調(diào) 溫室、第一結(jié)晶室、第二結(jié)晶室和風機依次連接；所述調(diào)溫室、第一結(jié)晶室和第二結(jié)晶室都 內(nèi)置有冷卻裝置；所述冷卻裝置是冷卻水盤管或空氣冷卻管道；所述第一結(jié)晶室和第二結(jié) 晶室入口處都設置有過濾布袋。所述第一結(jié)晶室、第二結(jié)晶室出口均設置有一個試樣采集孔。煙氣處理方法，按照如下步驟(1)將煙氣通入調(diào)溫室，在調(diào)溫室中將煙氣降溫至 130 180°C得到低溫煙氣；(2)將低溫煙氣通入第一結(jié)晶室，將第一結(jié)晶室的溫度控制在 110 130°C，使煙氣中的氧化砷結(jié)晶獲得一次凈化煙氣；(3)將一次凈化煙氣通入第二結(jié) 晶室，將第二結(jié)晶室的溫度控制在40 80°C，使煙氣中的氧化硼結(jié)晶獲得二次凈化煙氣； (4)將二次凈化煙氣通過風機排入煙囪。所述步驟(2)中使用的低溫煙氣溫度為130 180°C。所述步驟(3)中使用的一次凈化煙氣溫度為90 130°C。本發(fā)明的有益效果在于 本發(fā)明提出的基板玻璃池爐煙氣處理工藝裝置及其處理方法，用于處理TFT-IXD基板池爐 煙氣的氧化砷和氧化硼，該裝置是利用氧化砷和氧化硼的結(jié)晶溫度范圍自然結(jié)晶，工藝流 程簡單，同時避免了濕法處理過程中對被污染水進行二次處理的復雜過程，使用成本低、處 理效果好。


圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。其中1為調(diào)溫室；2為第一結(jié)晶室；3為第二結(jié)晶室；4為風機。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步詳細描述參見圖1，一種基板玻 璃池爐煙氣處理裝置，其特征在于所述煙氣處理裝置包括調(diào)溫室1、第一結(jié)晶室2、第二結(jié) 晶室3和風機4 ；所述調(diào)溫室1、第一結(jié)晶室2、第二結(jié)晶室3和風機4依次連接；所述調(diào)溫 室1、第一結(jié)晶室2和第二結(jié)晶室3都內(nèi)置有冷卻裝置；所述冷卻裝置是冷卻水盤管或空氣冷卻管道；所述第一結(jié)晶室2和第二結(jié)晶室3入口處都設置有過濾布袋。所述第一結(jié)晶室2、第二結(jié)晶室3出口均設置有一個試樣采集孔。煙氣處理方法，按照如下步驟(1)將煙氣通入調(diào)溫室1，在調(diào)溫室1中將煙氣降溫 至130 180°C得到低溫煙氣；(2)將低溫煙氣通入第一結(jié)晶室2，將第一結(jié)晶室2的溫度 控制在110 130°C，使煙氣中的氧化砷結(jié)晶獲得一次凈化煙氣；(3)將一次凈化煙氣通入 第二結(jié)晶室3，將第二結(jié)晶室3的溫度控制在40 80°C，使煙氣中的氧化硼結(jié)晶獲得二次 凈化煙氣；(4)將二次凈化煙氣通過風機4排入煙囪。所述步驟(2)中使用的低溫煙氣溫度為130 180°C。所述步驟(3)中使用的一次凈化煙氣溫度為90 130°C。整個裝置主要設計三個部分調(diào)溫室1、第一結(jié)晶室2、第二結(jié)晶室3。調(diào)溫室1主 要是將高溫煙氣降溫至130 180°C，通過內(nèi)置的冷卻水盤管對煙氣溫度進行調(diào)節(jié)。進入第 一結(jié)晶室2的煙氣溫度不能低于130°C，第一結(jié)晶室2主要是氧化砷的結(jié)晶空間，為了保證 氧化砷的結(jié)晶效果，在結(jié)晶室的前部同樣設計有調(diào)溫室1，可以對進入結(jié)晶室的溫度進行更 精確的調(diào)整，將第一結(jié)晶室2的溫度控制在110 130°C。在出第一結(jié)晶室2之前安裝有過 濾布袋，長大的氧化砷晶粒被過濾集中收集。通過第一結(jié)晶室2在進入第二結(jié)晶室3之間的 煙氣溫度不能低于90°C，同樣在第二結(jié)晶室3內(nèi)設計有調(diào)溫室1，將煙氣溫度調(diào)整至40 80°C，這是一個有利于氧化硼結(jié)晶的溫度條件。在第一結(jié)晶室2與第二結(jié)晶室3的出口處 均設計有一個試樣采集孔，便于能及時能煙氣成分進行監(jiān)控檢驗，以確認煙氣處理效果。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定 本發(fā)明的具體實施方式
僅限于此，對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫 離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單的推演或替換，都應當視為屬于本發(fā)明由所 提交的權(quán)利要求書確定專利保護范圍。
權(quán)利要求
一種基板玻璃池爐煙氣處理裝置，其特征在于所述煙氣處理裝置包括調(diào)溫室1、第一結(jié)晶室2、第二結(jié)晶室3和風機4；所述調(diào)溫室1、第一結(jié)晶室2、第二結(jié)晶室3和風機4依次連接；所述調(diào)溫室1、第一結(jié)晶室2和第二結(jié)晶室3都內(nèi)置有冷卻裝置；所述冷卻裝置是冷卻水盤管或空氣冷卻管道；所述第一結(jié)晶室2和第二結(jié)晶室3入口處都設置有過濾布袋。
2.如權(quán)利要求1所述煙氣處理裝置，其特征在于所述第一結(jié)晶室2、第二結(jié)晶室3出 口均設置有一個試樣采集孔。
3.基于權(quán)利要求1所述煙氣處理裝置的煙氣處理方法，其特征在于，按照如下步驟(1)將煙氣通入調(diào)溫室1，在調(diào)溫室1中將煙氣降溫至130 180°C得到低溫煙氣；(2)將低溫煙氣通入第一結(jié)晶室2，將第一結(jié)晶室2的溫度控制在110 130°C，使煙氣 中的氧化砷結(jié)晶獲得一次凈化煙氣；(3)將一次凈化煙氣通入第二結(jié)晶室3，將第二結(jié)晶室3的溫度控制在40 80°C，使煙 氣中的氧化硼結(jié)晶獲得二次凈化煙氣；(4)將二次凈化煙氣通過風機4排入煙囪。
4.如權(quán)利要求3所述煙氣處理方法，其特征在于所述步驟(2)中使用的低溫煙氣溫 度為130 180°C。
5.如權(quán)利要求3所述煙氣處理方法，其特征在于所述步驟(3)中使用的一次凈化煙 氣溫度為90 130°C。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基板玻璃池爐煙氣處理裝置及處理方法，(1)將煙氣通入調(diào)溫室，在調(diào)溫室中將煙氣降溫至130～180℃得到低溫煙氣；(2)將低溫煙氣通入第一結(jié)晶室，將第一結(jié)晶室的溫度控制在110～130℃，使煙氣中的氧化砷結(jié)晶獲得一次凈化煙氣；(3)將一次凈化煙氣通入第二結(jié)晶室，將第二結(jié)晶室的溫度控制在40～80℃，使煙氣中的氧化硼結(jié)晶獲得二次凈化煙氣；(4)將二次凈化煙氣通入風機排出。本發(fā)明用于處理TFT-LCD基板池爐煙氣的氧化砷和氧化硼，該裝置是利用氧化砷和氧化硼的結(jié)晶溫度范圍自然結(jié)晶，工藝流程簡單，同時避免了濕法處理過程中對被污染水進行二次處理的復雜過程，使用成本低、處理效果好。
文檔編號C01G28/00GK101797444SQ20101014182
公開日2010年8月11日 申請日期2010年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月8日
發(fā)明者楊國洪 申請人:彩虹集團公司