1.一種Si-V發光的納米金剛石晶粒，其特征在于，所述Si-V發光的納米金剛石晶粒按如下方法制備得到：
(1)對石英襯底進行納米金剛石溶液超聲振蕩預處理；
(2)采用熱絲化學氣相沉積法，在經過步驟(1)預處理的石英襯底上制備得到納米金剛石薄膜，再將其置于500～650℃的空氣中保溫10～50min，得到沉積于石英襯底上的Si-V發光的單顆粒層納米金剛石薄膜；
(3)通過超聲振蕩，將步驟(2)所得沉積于石英襯底上的Si-V發光的單顆粒層納米金剛石薄膜從石英襯底上剝離，并對剝離后的納米金剛石薄膜繼續進行超聲振蕩，將納米金剛石薄膜震碎，即制得Si-V發光的納米金剛石晶粒。
2.如權利要求1所述的Si-V發光的納米金剛石晶粒，其特征在于，所述步驟(1)的操作方法為：
將納米金剛石粉末以料液質量比1∶50～150分散于去離子水中，得到納米金剛石溶液，將石英襯底置于所得納米金剛石溶液中，使用功率為200W的超聲機超聲振蕩0.5～3h，之后將石英襯底依次置于去離子水、丙酮中，使用功率為200W的超聲機分別進行超聲清洗2min，最后干燥，備用。
3.如權利要求1所述的Si-V發光的納米金剛石晶粒，其特征在于，所述步驟(2)的操作方法為：
將經過步驟(1)預處理的石英襯底放入熱絲化學氣相沉積設備，以丙酮為碳源，采用氫氣A鼓泡方式將丙酮帶入到反應室中，氫氣B、丙酮的流量比為200：90，熱絲與石英襯底的距離為6～10mm，反應功率為1600～2000W，工作氣壓為1.63～2.63Kpa，薄膜生長時間為5～30min，在反應過程中不加偏壓，薄膜生長結束后，在不通氫氣B的條件下降溫冷卻至室溫，即在石英襯底上制備得到納米金剛石薄膜，再將其置于500～650℃的空氣中保溫10～50min，即制得沉積于石英襯底上的Si-V發光的單顆粒層納米金剛石薄膜。
4.如權利要求1所述的Si-V發光的納米金剛石晶粒，其特征在于，所述步驟(3)的操作方法為：
將步驟(2)所得沉積于石英襯底上的Si-V發光的單顆粒層納米金剛石薄膜浸沒于去離子水中，使用功率為200W的超聲機進行超聲振蕩0.5～1h，將納米金剛石薄膜從石英襯底上剝離；移除石英襯底，之后對含有納米金剛石薄膜的溶液繼續進行超聲震蕩10～12h，即制備得到Si-V發光的納米金剛石晶粒。
5.如權利要求1所述的Si-V發光的納米金剛石晶粒，其特征在于，制得的Si-V發光的納米金剛石晶粒尺寸在70～100nm，具有規則的晶型。