技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種納米圖形襯底側(cè)向外延硅基量子點激光器材料及其制備方法，屬于半導(dǎo)體激光器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在單晶硅襯底上制作種子層、位錯阻擋層和激光器材料。所述的種子層包括GaAs低溫成核層和GaAs高溫緩沖層；位錯阻擋層包括納米尺寸圖形掩膜和GaAs側(cè)向外延層；激光器材料包括n型歐姆接觸層、n型限制層、下波導(dǎo)層、量子點有源區(qū)、上波導(dǎo)層、p型限制層和p型歐姆接觸層。本發(fā)明通過圖形襯底對穿透位錯的阻擋作用，能有效地降低GaAs外延層的位錯密度，提高GaAs外延層的晶體質(zhì)量，進(jìn)而提高量子點激光器性能和質(zhì)量。本發(fā)明能夠大面積、高重復(fù)性、均勻地完成材料生長和制備，更加符合產(chǎn)業(yè)化的需求。

技術(shù)研發(fā)人員：王俊;胡海洋;成卓;樊宜冰;馬浩源;楊澤園;張然;馬星;黃永清;任曉敏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京郵電大學(xué)
文檔號碼：201610888922
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.12
技術(shù)公布日：2017.03.08