1.一種高性能氮化硅密封環(huán)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）按下列重量比準備原料：氮化硅粉90～95%、氧化鎂0～1%、氧化鋁2～4%、氧化釔3～7%；
（2）將原料、粘結(jié)劑加入到無水乙醇中，然后混勻，配制成固相含量在40～50%的氮化硅復合粉料漿；所述的黏結(jié)劑的重量為原料重量的0.5～2.5%；
（3）采用閉環(huán)造粒方式對氮化硅復合粉漿料進行噴霧造粒，制得氮化硅造粒粉；
（4）將氮化硅造粒粉倒入密封環(huán)模具，然后于20～80MPa的壓力下模壓成型后進行120～250MPa冷等靜壓處理成型，制得氧化硅環(huán)坯體；
（5）將氮化硅環(huán)坯體于1～8MPa氮氣氣氛、1750～1850℃條件下進行燒結(jié)，制得氮化硅密封環(huán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能氮化硅密封環(huán)的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中，采用球磨的方式將原料、黏結(jié)劑與無水乙醇混勻。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高性能氮化硅密封環(huán)的制備方法，其特征在于，所述球磨時的球、料比2～3∶1。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種高性能氮化硅密封環(huán)的制備方法，其特征在于，所述黏結(jié)劑為聚乙二醇、聚乙烯醇羧丁醛中任意的一種或兩種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能氮化硅密封環(huán)的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中，噴霧造粒的工藝條件為氮氣氣氛，進口溫度150～190℃，出口溫度65～90℃。