技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種短溫區(qū)垂直移動爐。該加熱爐僅采用鐵鉻鋁電熱絲與熱電偶一套控制系統(tǒng)，因此爐體結(jié)構(gòu)簡單、造價低廉；而且，加熱區(qū)的垂直高度易于控制，形成短溫區(qū)加熱爐；并且，由于爐體上下開口，在空氣的對流作用下，加熱區(qū)在垂直方向的溫度分布呈中間向上下兩側(cè)逐漸降低的趨勢，有利于減小熔區(qū)長度，增加原料區(qū)熔提純效果，降低晶體內(nèi)部雜質(zhì)含量。另外，該加熱爐支撐石英坩堝的支座選用碳化硅材料，利用碳化硅的高熱導(dǎo)率極大促進(jìn)了晶體生長界面結(jié)晶潛熱的釋放，從而獲得有利于單晶生長的微凸固液界面。利用該加熱爐生長CdTe晶體有利于消除Te沉淀、夾雜和孿晶等缺陷，提高了CdTe單晶利用率。

技術(shù)研發(fā)人員：胡皓陽;金敏;徐靜濤;劉柱;蔣俊;江浩川
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
文檔號碼：201611156546
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.14
技術(shù)公布日：2017.05.31