技術總結
本發明公開了一種低成本碳化鉭涂層的制備方法，所述方法為：首先對基體進行預處理，然后采用碳化鉭、燒結助劑、粘接劑與溶劑配置懸濁液，將懸濁液均勻噴涂或刷涂于所述基體表面，最后將噴好或刷好涂層的基體進行預溫與燒結處理，即可在基體上得到一層厚度均勻、結構致密的碳化鉭涂層。本發明可以在基體表面包敷一層完全致密結構的TaC涂層，該涂層可以使基體表面受到很大程度的隔離與保護；可用于晶體、半導體生產用裝置或部件的高性能涂層的制備，防止晶體生長時裝置或部件表層顆粒進入晶體內，進而造成晶體缺陷。與CVD沉積技術相比，本發明工藝過程成本低、相對簡單，易操作，重復性好，可直接在材料表面形成成致密、無裂紋的涂層。

技術研發人員：袁振洲;劉欣宇;何麗娟
受保護的技術使用者：北京世紀金光半導體有限公司
文檔號碼：201611179306
技術研發日：2016.12.19
技術公布日：2017.05.24