技術總結
矢量強磁場下分子束外延及其原位表征裝置，涉及分子束外延及其原位表征。提供超高真空強磁場下，樣品生長平面與磁場夾角可調節的分子束外延生長，及以霍爾效應與磁阻測試為主的原位表征裝置。該裝置主要由結構緊致的倒T型超高真空生長與表征腔體和具有較小室溫腔的強磁體構成。其中置于強磁體室溫腔內的倒T型真空腔部分，包含緊致的外延生長樣品臺、可調節磁場與樣品臺夾角和原位表征裝置；置于強磁體下方部分包含蒸發源、等離子體源等分子束源部件以及抽真空系統，利用超高真空中分子束流自由程長的特點，使多束源能移出強磁場腔體。有效克服了強磁場腔體積小與生長測試系統部件多的技術難題，實現強磁場下分子束外延生長及原位表征。

技術研發人員：康俊勇;張純淼;吳志明;陳婷;高娜;吳雅蘋;李恒
受保護的技術使用者：廈門大學
文檔號碼：201611236161
技術研發日：2016.12.28
技術公布日：2017.05.10