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一種能夠加速冷卻的SiC生長坩堝平臺的制作方法

文檔序號:11836554閱讀:243來源:國知局
一種能夠加速冷卻的SiC生長坩堝平臺的制作方法與工藝

本申請涉及SiC生產技術領域,具體為一種能夠加速冷卻的SiC生長坩堝平臺。



背景技術:

人造SiC通常是在坩堝中進行生產的,坩堝是通過石墨平臺進行支撐的,石墨平臺起到均熱作用,在SiC生長過程中,需要反復對坩堝進行加熱和冷卻,石墨平臺也需要經歷反復不斷的膨脹和收縮,石墨平臺的膨脹和收縮會導致坩堝的中心位置發生偏移,使得坩堝在使用過程中不穩定,容易晃動,一旦坩堝在使用過程中發生晃動,極易導致坩堝內的溫場不均勻,嚴重影響SiC的質量。

另外,現有技術中對坩堝的加熱方式使得坩堝受熱不均勻,這影響了SiC晶體的生長質量,也對能源造成了浪費。

此外,在加熱結束后,需要將坩堝取下來,但是由于坩堝溫度過高,需要進行自然冷卻降溫,這就會浪費時間,使得工作效率下降。

基于上述問題,設計發明一種新型的SiC生長坩堝平臺就顯得尤為必要。



技術實現要素:

為了克服現有技術中的缺陷,本申請提供了一種新型的SiC生長坩堝平臺,該裝置通過螺栓將兩塊石墨平臺連接在一起,并將坩堝固定于兩塊石墨平臺之間,當石墨受熱膨脹時,由于螺栓的固定,石墨平臺不會發生位置平移,從而保障了坩堝位置的穩定性。另外,在兩塊石墨平臺相對的一側,在每個石墨平臺上設有一個半圓,兩個半圓內側設置有加熱套,坩堝正好放置于該加熱套內,使得坩堝受熱均勻,避免了坩堝內由于局部過熱而對產品造成影響,也避免了坩堝內由于局部受不到熱,而對能源造成浪費。為了加速石墨及坩堝的溫度降低,在石墨塊和坩堝的底下設置風扇,當需要冷卻時,可以打開風扇,風扇吹風石墨塊和坩堝產生的熱量吹走,從而使得坩堝的溫度加速降下來。

一種能夠加速冷卻的SiC生長坩堝平臺,包括第一石墨平臺和第二石墨平臺,所述的第一石墨平臺和第二石墨平臺通過兩個螺栓連接在一起,兩根螺栓分別貫穿第一石墨平臺和第二石墨平臺的兩側,所述的第一石墨平臺和第二石墨平臺相對的一側,在每個平臺上分別設有半圓,兩半圓大小及相對位置為對應的,兩個半圓內側設置有加熱套,坩堝正好放置于該加熱套內;所述的第一石墨平臺和第二石墨平臺放置在不銹鋼底座上,且不銹鋼底座的底端固定有風扇,當需要冷卻時,開動風扇,吹走石墨塊和坩堝的熱量,使得石墨塊和坩堝冷卻下來;

在第二石墨平臺的一次為螺帽,在第一石墨平臺的一側為螺母;在螺帽與第二石墨平臺 之間設有彈簧;

所述的不銹鋼底座的側面設置有按鈕,用于風扇的開關;

由于兩個石墨平臺通過螺栓連接在一起,對石墨平臺起到了固定作用,而第二石墨平臺外側彈簧的設置,使得石墨平臺受熱膨脹時,會想著外側移動,而彈簧能緩沖這種壓力,而避免了螺帽對石墨平臺的擠壓,也避免了石墨平臺對坩堝的擠壓,避免了坩堝由于受壓過大而破碎;

加熱套的設置,使得坩堝受熱均勻,避免了坩堝內由于局部過熱而對產品造成影響,也避免了坩堝內由于局部受不到熱,而對能源造成浪費。

為了加速石墨及坩堝的溫度降低,在石墨塊和坩堝的底下設置風扇,當需要冷卻時,可以打開風扇,風扇吹風石墨塊和坩堝產生的熱量吹走,從而使得坩堝的溫度加速降下來。

綜上所述,本申請提供的SiC生長坩堝,具有穩定性好,通風散熱性能優良,結構簡單,使用方便等優點。

附圖說明

圖1為一種能夠加速冷卻的SiC生長坩堝平臺主視示意圖;

圖2為一種能夠加速冷卻的SiC生長坩堝平臺俯視示意圖;

圖3為圖1中A-A的剖視示意圖;

附圖標記

圖中1為第一石墨平臺,2為螺栓,3為第二石墨平臺,4為螺帽,5為彈簧,6為不銹鋼底座,7為按鈕,8為坩堝,9為加熱套,10為風扇。

具體實施例

實施例1

一種能夠加速冷卻的SiC生長坩堝平臺,包括第一石墨平臺1和第二石墨平臺3,所述的第一石墨平臺1和第二石墨平臺3通過兩個螺栓2連接在一起,兩根螺栓2分別貫穿第一石墨平臺1和第二石墨平臺3的兩側,所述的第一石墨平臺1和第二石墨平臺3相對的一側,在每個平臺上分別設有半圓,兩半圓大小及相對位置為對應的,兩個半圓內側設置有加熱套9,坩堝8正好放置于該加熱套內;所述的第一石墨平臺1和第二石墨平臺3放置在不銹鋼底座6上,且不銹鋼底座6的底端固定有風扇10,當需要冷卻時,開動風扇10,吹走石墨塊和坩堝的熱量,使得石墨塊和坩堝冷卻下來;

在第二石墨平臺3的一側為螺帽4,在第一石墨平臺1的一側為螺母;在螺帽4與第二石墨平臺3之間設有彈簧5;

所述的不銹鋼底座6的側面設置有按鈕7,用于風扇10的開關;

由于兩個石墨平臺通過螺栓連接在一起,對石墨平臺起到了固定作用,而第二石墨平臺外側彈簧的設置,使得石墨平臺受熱膨脹時,會想著外側移動,而彈簧能緩沖這種壓力,而避免了螺帽對石墨平臺的擠壓,也避免了石墨平臺對坩堝的擠壓,避免了坩堝由于受壓過大而破碎;

加熱套的設置,使得坩堝受熱均勻,避免了坩堝內由于局部過熱而對產品造成影響,也避免了坩堝內由于局部受不到熱,而對能源造成浪費。

為了加速石墨及坩堝的溫度降低,在石墨塊和坩堝的底下設置風扇,當需要冷卻時,可以打開風扇,風扇吹風石墨塊和坩堝產生的熱量吹走,從而使得坩堝的溫度加速降下來。

綜上所述,本申請提供的SiC生長坩堝,具有穩定性好,通風散熱性能優良,結構簡單,使用方便等優點。

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