技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型涉及碳化硅籽晶生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種碳化硅的生長(zhǎng)裝置。該裝置采用液壓伸縮桿以及空心管狀籽晶軸設(shè)計(jì)，通過(guò)加入第一伸縮桿的方式，能夠自主調(diào)控籽晶與坩堝之間的距離，同時(shí)由于坩堝兩側(cè)對(duì)稱設(shè)有第二液壓伸縮桿且第二液壓伸縮桿之間的中心軸線與籽晶托架中心軸線重合，保證了籽晶的中心與坩堝中心的快速對(duì)齊，節(jié)省操作時(shí)間，大大提高了工作效率；同時(shí)，籽晶軸采用空心管狀結(jié)構(gòu)，減少了形變，延長(zhǎng)了使用壽命；通過(guò)使用籽晶托架，避免了晶體內(nèi)局部應(yīng)力大造成開(kāi)裂、缺陷多等情況，可以生長(zhǎng)出高質(zhì)量的SiC晶體。

技術(shù)研發(fā)人員：于國(guó)建;宗艷民;宋生
受保護(hù)的技術(shù)使用者：山東天岳晶體材料有限公司
文檔號(hào)碼：201620598511
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.17
技術(shù)公布日：2017.01.11