技術總結
本實用新型提供了一種改善區熔徑向電阻率均勻性的線圈結構，包括線圈主體、冷卻水管道、主縫、若干副縫和若干橫縫；所述線圈主體為平板線圈，所述線圈主體的上表面向線圈內部凹陷成關于中心對稱的階梯結構；所述線圈主體幾何中心處設有線圈眼；所述冷卻水管道位于所述線圈主體最外層臺階內部；所述主縫沿徑向設置在所述線圈主體上并穿透線圈主體上表面和下表面；所述若干副縫設置在所述線圈主體的最內層臺階面上且貫穿該臺階面上表面和下表面；部分或全部副縫上設有橫縫，且橫縫與各自所在的副縫垂直。本實用新型所述的一種改善區熔徑向電阻率均勻性的線圈結構，由于采用上述技術方案，可同時改善區熔硅單晶徑向電阻率的均勻性。

技術研發人員：婁中士;王遵義;劉錚;由佰玲;張雪囡;李立偉;喬柳
受保護的技術使用者：天津市環歐半導體材料技術有限公司
文檔號碼：201620831648
技術研發日：2016.07.29
技術公布日：2017.02.22