本實用新型涉及多晶硅生產設備領域，具體涉及一種能夠提高多晶硅鑄造質量的鑄錠爐。

背景技術：

目前，多晶硅鑄錠工藝中，由于側部加熱器與石英坩堝相對不動，側部加熱器對石英坩堝一直處在加熱狀態，這樣就使得石英坩堝內部中心處的硅液的溫度低于坩堝側部處溫度，使得中心處硅液先于側部凝固，從而得到的固液界面都是凸形，溫度梯度差別較大，很難得到較為水平的固液界面。得到的硅錠將會把上端雜質切除，凸形硅錠的成品切除率比較高，從而影響了鑄錠的出成率。 同時，由于難以達到溫度的橫向均勻分布，所以很不利于晶體的均勻化生長。同時，在長晶過程過程中，由于散熱不均，長晶過程中會出現凸形晶面，并形成位錯，沉積雜質，影響了多晶硅品質。

技術實現要素：

本實用新型的目的是提供一種加熱時坩堝內部水平方向溫度較為均勻，加熱效果好，多晶硅鑄造品質高的鑄錠爐。

為解決上述技術問題，本實用新型的目的是這樣實現的：

一種能夠提高多晶硅鑄造質量的鑄錠爐，包括具有夾層空間的爐體，爐體上設置有抽氣孔，爐體內設置有保溫罩，保溫罩內部設有坩堝、對應所述坩堝的石墨護罩，所述石墨護罩由石墨蓋板、石墨側板和石墨底板構成，所述的石墨底板的底面開有凹槽，所述凹槽形狀為環狀正方形；所述石墨底板下方設置有熱交換平臺，所述石墨底板開有凹槽的一側與熱交換平臺相接觸，所述凹槽內設置有隔熱條；所述石墨蓋板上方設置有頂部加熱器，所述頂部加熱器中部呈向下凸出狀，所述石墨側板周圍設有側部加熱器；所述保溫罩以及熱交換平臺通過設置在爐體底部的石墨支柱支撐。

在上述方案的基礎上并作為上述方案的優選方案：所述石墨護罩上設置有若干個分別與頂部加熱器和側部加熱器相對應的通孔。

在上述方案的基礎上并作為上述方案的優選方案：所述凹槽的槽寬為100-200mm，凹槽的槽深為 5-20mm。

在上述方案的基礎上并作為上述方案的優選方案：所述凹槽設置在石墨底板底面的邊沿位置。

本實用新型的有益效果是：由于頂部加熱器中部呈向下凸出狀的凹型結構使得對硅液中心加熱效果好，使其溫度接近于硅液側部溫度，凸形固液界面逐漸趨于平整固液界面，提高了鑄錠效率。同時石墨護罩上通孔的設計是使得加熱效果更好，加熱速度快。石墨底板具有正方形的凹槽且凹槽內設置有隔熱條實現對坩堝邊角部位的適當保溫，從而抑制坩堝壁附近晶粒的優先生長，獲得比較平坦的固液界面，從而提高定向凝固多晶硅的質量。

附圖說明

圖1為本實用新型的示意圖。

圖2為石墨底板的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本實用新型進一步說明。

如圖1和圖2所示，一種能夠提高多晶硅鑄造質量的鑄錠爐，包括具有夾層空間的爐體1，爐體上1設置有抽氣孔2，爐體內設置有保溫罩3，保溫罩3內部設有坩堝4、對應所述坩堝4的石墨護罩5，所述石墨護罩5由石墨蓋板、石墨側板和石墨底板6構成，所述的石墨底板6的底面開有凹槽7，所述凹槽7形狀為環狀正方形，所述凹槽7設置在石墨底板6底面的邊沿位置，所述凹槽7的槽寬為100-200mm，凹槽的槽深為 5-20mm；所述石墨底板6下方設置有熱交換平臺9，所述石墨底板開有凹槽的一側與熱交換平臺9相接觸，所述凹槽7內設置有隔熱條8。凹槽和隔熱條的設置實現了對坩堝邊角部位的適當保溫，從而抑制坩堝壁附近晶粒的優先生長，獲得比較平坦的固液界面，從而提高定向凝固多晶硅的質量。所述石墨蓋板上方設置有頂部加熱器10，所述頂部加熱器10中部呈向下凸出狀，所述石墨側板周圍設有側部加熱器11；所述石墨護罩上設置有若干個分別與頂部加熱器和側部加熱器相對應的通孔12。由于頂部加熱器中部呈向下凸出狀的凹型結構使得對硅液中心加熱效果好，使其溫度接近于硅液側部溫度，凸形固液界面逐漸趨于平整固液界面，提高了鑄錠效率。同時石墨護罩上通孔的設計是使得加熱效果更好，加熱速度快。所述保溫罩以及熱交換平臺通過設置在爐體底部的石墨支柱13支撐。

以上詳細描述了本實用新型的較佳具體實施例。應當理解，本領域的普通技術人員無需創造性勞動就可以根據本實用新型的構思做出諸多修改和變化。因此，凡本技術領域中技術人員依本實用新型的構思在現有技術的基礎上通過邏輯分析、推理或者有限的實驗可以得到的技術方案，皆應在由權利要求書所確定的保護范圍內。