本實用新型涉及機械設備領域，尤其是一種用于降低多晶硅鑄錠碳氧含量的裝置。

背景技術：
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多晶硅鑄錠爐是太陽能工業設計的專用設備，因其可以通過控制技術，將硅錠高溫熔融后通過特殊工藝實現對多晶硅的穩定定向凝固結晶，因此在對多晶硅鑄錠進行加工處理時通常是采用鑄錠爐對其進行加工處理。經鑄錠爐加工處理過后的多晶硅，后續會經過多晶硅片切片機對其進行切割，隨著切片技術的發展，目前切片技術已經由砂線切割向金剛線切割進行轉型過渡，因金剛線切割技術具有成本低、切割效果好等優勢，因此目前金剛線切割技術得到越來越多的應用。在對多晶硅采用金剛線切割時，通常要求經多晶硅鑄錠爐處理之后的多晶硅鑄錠需要滿足較低的碳氧含量。但是，通過現有的多晶硅鑄錠爐生產的多晶硅鑄錠其碳氧含量通常較高，無法滿足線切割時所要求的條件，主要是因為現有的多晶硅鑄錠爐在進行工作時其爐體內部保持負壓，然后通過在爐腔內通氬氣等保護氣體的方式帶走雜質氣體。采用這種方式時，因爐體系統本身設計的特點導致在硅液的上部和蓋板之間存在一定的湍流，從而會導致雜質氣體回流形成二次污染，無法有效排除硅錠中的碳氧雜質，因而使用現有的多晶硅鑄錠爐所生產出來的多晶硅鑄錠其碳氧含量無法滿足現代金剛線切割技術的要求，顯然現有的鑄錠爐無法更有效地滿足人們的需求。

技術實現要素：
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本實用新型提供了一種用于降低多晶硅鑄錠碳氧含量的裝置，它結構簡單，設計合理，操作簡單，在對多晶硅進行處理時可以快速對其進行加熱，護板上設計有導流功能，能夠有效的對氣體流動方式進行控制控制，快速有效進行排雜，防止雜質氣體倒流，有效的加工過程中裝置內的碳氧雜質同時降低了加工處理出來的多晶硅的碳氧含量，能滿足金剛線切割所需的多晶硅的適用條件，更有效地滿足了人們的需求，解決了現有技術中存在的問題。

本實用新型為解決上述技術問題所采用的技術方案是：一種用于降低多晶硅鑄錠碳氧含量的裝置，包括一下殼體，在下殼體的空腔內設有一通過支撐柱固連在下殼體空腔底部的支撐板，在支撐板頂部設有一坩堝，在坩堝的各棱角處分別豎直設有一固連在支撐板上的限位桿，在各相鄰的限位桿下部的支撐板上設有一卡槽，在卡槽內插裝一內側壁與坩堝外側壁相抵接的護板，所述護板包括一底部豎直插裝在其對應位置上的卡槽內且內側壁與坩堝外側壁相抵接的固定板，在固定板的頂部設有一內端底部與坩堝頂部相抵接的平板，平板的頂部沿其前后方向分別豎直設有若干個插裝孔，在各插裝孔上部左側分別設有一穿出平板內側壁的內導氣孔，在各插裝孔下部右側分別設有一穿出平板外側壁的外出氣孔，在下殼體上方罩設一上殼體，在上殼體的空腔內設有一與坩堝頂部相抵接的頂部加熱板，在頂部加熱板上設有兩導電石墨柱，在兩導電石墨柱之間的頂部加熱板上豎直設有一與坩堝內腔相連通設置的進氣管；導電石墨柱通過導線與外部電源相連通設置。

在各外出氣孔的平板外側壁上分別固連一防倒流圓臺管，所述防倒流圓臺管為一中空設置的右端管徑逐漸減小的圓臺狀導管。

在各護板的外側分別設有一側加熱板，各側加熱板通過導線與外部電源相連通設置。

在各插裝孔內分別插裝一中空設置的插裝管，在各插裝管的上部與下部分別設有一與外出氣孔、內導氣孔相連通設置的過渡孔。

本實用新型所具有的有益效果是，結構簡單，設計合理，操作簡單，在對多晶硅進行處理時可以快速對其進行加熱，護板上設計有導流功能，防倒流圓臺管能夠有效的對氣體流動方式進行控制控制，通過轉動插裝管可以控制護板上的內導氣孔與外出氣孔的連通與否，從而控制出氣速度，快速有效進行排雜，防止雜質氣體倒流，有效的加工過程中裝置內的碳氧雜質同時降低了加工處理出來的多晶硅的碳氧含量，能滿足金剛線切割所需的多晶硅的適用條件，更有效地滿足人們的需求。

附圖說明：

圖1為本實用新型的結構示意圖。

圖2為本實用新型去除上殼體的結構示意圖。

圖3為本實用新型的局部結構示意圖。

圖4為本實用新型中護板位置一的結構示意圖。

圖5為本實用新型中護板位置二的結構示意圖。

圖中，1、下殼體；2、支撐柱；3、支撐板；4、坩堝；5、限位桿；6、卡槽；7、護板；8、固定板；9、平板；10、插裝孔；11、內導氣孔；12、外出氣孔；13、上殼體；14、頂部加熱板；15、導電石墨柱；16、進氣管；17、防倒流圓臺管；18、側加熱板；19、插裝管；20、過渡孔。

具體實施方式：

為能清楚說明本方案的技術特點，下面通過具體實施方式，并結合其附圖，對本實用新型進行詳細闡述。

如圖1-5中所示，一種用于降低多晶硅鑄錠碳氧含量的裝置，包括一下殼體1，在下殼體1的空腔內設有一通過支撐柱2固連在下殼體1空腔底部的支撐板3，在支撐板3頂部設有一坩堝4，在坩堝4的各棱角處分別豎直設有一固連在支撐板3上的限位桿5，在各相鄰的限位桿5下部的支撐板3上設有一卡槽6，在卡槽6內插裝一內側壁與坩堝4外側壁相抵接的護板7，所述護板7包括一底部豎直插裝在其對應位置上的卡槽6內且內側壁與坩堝4外側壁相抵接的固定板8，在固定板8的頂部設有一內端底部與坩堝4頂部相抵接的平板9，平板9的頂部沿其前后方向分別豎直設有若干個插裝孔10，在各插裝孔10上部左側分別設有一穿出平板9內側壁的內導氣孔11，在各插裝孔10下部右側分別設有一穿出平板9外側壁的外出氣孔12，在下殼體1上方罩設一上殼體13，在上殼體13的空腔內設有一與坩堝4頂部相抵接的頂部加熱板14，在頂部加熱板14上設有兩導電石墨柱15，在兩導電石墨柱15之間的頂部加熱板14上豎直設有一與坩堝4內腔相連通設置的進氣管16；導電石墨柱15通過導線與外部電源相連通設置。

在各外出氣孔12的平板9外側壁上分別固連一防倒流圓臺管17，所述防倒流圓臺管17為一中空設置的右端管徑逐漸減小的圓臺狀導管，出氣口逐步變小，在氣體向外流動時流速會變大，從而保證其能有效地防止氣體回流，有效降低了坩堝4內部氣體雜質的含量。

在各護板7的外側分別設有一側加熱板18，各側加熱板18通過導線與外部電源相連通設置，頂部加熱與側加熱板18共同加熱，提高加熱效果與加熱質量。

在各插裝孔10內分別插裝一中空設置的插裝管19，在各插裝管19的上部與下部分別設有一與外出氣孔12、內導氣孔11相連通設置的過渡孔20，通過旋轉各插裝管19便可以控制過渡孔20與外出氣孔12、內導氣孔11的對應關系，從而可以控制導氣的速度與效果。

使用時，工作人員打開上殼體13并向坩堝4內放入待加工的多晶硅鑄錠，蓋上上殼體13，此時將控制導電石墨柱15與側加熱板18的電源開關打開，導電石墨柱15導電后傳至頂部加熱板14，頂部加熱板14與側加熱板18同時對坩堝4及其內部的多晶硅鑄錠進行處理。同時通過進氣管16向坩堝4內部通入氬氣進行導流，多晶硅鑄錠在進行加熱的過程中碳氧含量的高低直接影響著后續加工出的產品的質量，因此要盡量減少其碳氧含量，在氬氣的作用下會帶動坩堝4上方的含有大量碳氧元素的氣體經護板7的平板9上的各內導氣孔11向外流動，在流動的過程中經過渡孔20與插裝管19的空腔后進入外出氣孔12，然后經防倒流圓臺管17的圓臺狀導管流至裝置外部，因氣體經內導氣孔11后沿插裝管19的空腔向下流動且防倒流圓臺管17的圓臺狀導管的管徑逐步減小，因此可以有效地防止氣體回流，氣體流出后會帶走大量的含有碳氧元素的雜質與氣體，從而有效地降低了后期加工產品中的多晶硅鑄錠的碳氧含量。本裝置結構簡單，設計合理，操作簡單，在對多晶硅進行處理時可以快速對其進行加熱，護板7上設計有導流功能，防倒流圓臺管17能夠有效的對氣體流動方式進行控制控制，通過轉動插裝管19可以控制護板7上的內導氣孔11與外出氣孔12的連通與否，從而控制出氣速度，快速有效進行排雜，防止雜質氣體倒流，有效的加工過程中裝置內的碳氧雜質同時降低了加工處理出來的多晶硅的碳氧含量，能滿足金剛線切割所需的多晶硅的適用條件，更有效地滿足人們的需求。

上述具體實施方式不能作為對本實用新型保護范圍的限制，對于本技術領域的技術人員來說，對本實用新型實施方式所做出的任何替代改進或變換均落在本實用新型的保護范圍內。

本實用新型未詳述之處，均為本技術領域技術人員的公知技術。