本發(fā)明涉及一種基板處理設(shè)備，更具體地說，涉及一種使用燈加熱器在高溫下快速加熱基板以沉積薄膜的外延等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體制造中，在基板上沉積具有與單晶硅基板相同的晶體結(jié)構(gòu)的單晶硅薄膜。當生長單晶硅薄膜時，諸如氧化硅等無機絕緣材料會被沉積和圖案化以僅在半導(dǎo)體表面的硅暴露部分中形成單晶區(qū)域，這被稱為選擇性外延生長(selective?epitaxialgrowth:?seg)。

2、此外，在大面積基板上制造薄膜太陽能電池時，接收太陽光的p型層、形成電子-空穴對的i型層和用作p型層的相對電極的n型層為基本要件。相似地，液晶顯示（lcd）裝置基于分別形成在陣列基板和濾色器基板上的陣列元件和濾色器元件。

3、需要進行數(shù)次的光刻處理(photolithograpy?process)來制造用于太陽能電池和液晶顯示裝置的薄膜元件。這種光刻處理包括薄膜沉積處理、感光層涂布處理、曝光和顯影處理以及蝕刻處理。此外，這種光刻處理會伴隨著各種處理，例如清潔處理、附接處理、切割處理等。

4、等離子體增強化學(xué)氣相沉積(plasma?enhanced?chemical?vapor?deposition:以下被稱為pecvd)為一種在通過將rf(radio?frequency)高電壓施加至天線或電極而在腔室內(nèi)部將反應(yīng)氣體激發(fā)成等離子體狀態(tài)的同時形成薄膜的處理。

5、近來，為了防止在使用等離子體增強化學(xué)氣相沉積的過程中產(chǎn)生的顆粒或副產(chǎn)物粘附至腔室的內(nèi)壁，內(nèi)壁是用石英設(shè)計，且腔室的上部部分和下部部分中的上圓頂和下圓頂是用石英設(shè)計。

6、在使用這種等離子體增強化學(xué)氣相沉積的沉積處理中，腔室內(nèi)部的壓力會維持在數(shù)mtorr且會在基礎(chǔ)真空狀態(tài)下維持在10e-9?torr的超高真空狀態(tài)，以顯著地減少在沉積處理中產(chǎn)生的顆粒或副產(chǎn)物的數(shù)量并減少沉積處理的時間，進而有利于提升生產(chǎn)良率。

7、這種等離子體增強化學(xué)氣相沉積存在被注入上圓頂和基座之間的上部空間中的處理氣體可能會被引入至基座的下部部分中的下部空間中而產(chǎn)生顆粒或副產(chǎn)物的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、技術(shù)問題

2、本發(fā)明的一方面是通過使用設(shè)置在上圓頂和下圓頂之間的襯墊的結(jié)構(gòu)和基座的形狀，來防止注入上圓頂和基座之間的上部空間的處理氣體被引入至基座的下部部分的下部空間中。

3、技術(shù)方案

4、一種根據(jù)示例實施例的基板處理設(shè)備包括具有側(cè)壁的腔室、具有傾斜側(cè)表面且在腔室內(nèi)部安裝基板的基座、覆蓋腔室的上表面且由介電材料形成的上圓頂、覆蓋腔室的下表面且由介電材料形成的下圓頂、以及設(shè)置在腔室內(nèi)部且設(shè)置在上圓頂和下圓頂之間的襯墊。襯墊可包括傾斜部分，所述傾斜部分具有與基座的傾斜側(cè)表面相對的傾斜內(nèi)側(cè)表面。

5、在一示例實施例中，基座的傾斜側(cè)表面的第一傾斜角度可與襯墊的傾斜部分的第二傾斜角度相同。

6、在一示例實施例中，第一傾斜角度和第二傾斜角度中的每一者可以是70度。

7、在一示例實施例中，襯墊可包括具有第一內(nèi)徑且與上圓頂相鄰設(shè)置的上部襯墊、以及與上部襯墊連續(xù)地連接且包括具有逐漸增大的內(nèi)徑的傾斜部分的下部襯墊。下部襯墊可包括與上部襯墊的下表面相鄰設(shè)置以排放氣體的第一開口、以及設(shè)置在與第一開口相對的另一側(cè)上以提供基板的路徑的第二開口。

8、在一示例實施例中，基座可具有大于第一開口的高度或第二開口的高度的厚度。

9、在一示例實施例中，當基座設(shè)置在上方位置中時，下部襯墊的傾斜部分和基座的傾斜側(cè)表面之間的距離可以是1?mm至3?mm。

10、在一示例實施例中，當基座設(shè)置在下方位置中時，下部襯墊的傾斜部分和基座的傾斜側(cè)表面之間的距離可以是7?mm至13?mm。

11、在一示例實施例中，襯墊可進一步包括在上部襯墊和下部襯墊之間彎曲的連接部分。

12、在一示例實施例中，連接部分可具有大于基座的上表面的直徑且小于基座的下表面的直徑的直徑。

13、在一示例實施例中，基座可包括在基座的上表面上彎曲的彎曲部分，且傾斜側(cè)表面與彎曲部分連續(xù)地連接。

14、在一示例實施例中，基座可包括在基座的上表面上彎曲的彎曲部分，且傾斜側(cè)表面與彎曲部分連續(xù)地連接，并且基座的彎曲部分可面對襯墊的連接部分。

15、在一示例實施例中，基座的彎曲部分和襯墊的連接部分之間的垂直距離可以是4mm至7?mm。

16、在一示例實施例中，基座可由陶瓷或石墨形成，且可具有30?mm或更大的厚度。

17、在一示例實施例中，當基座設(shè)置在處理位置中時，由基座和上圓頂限定的上部空間可小于由下圓頂和基座限定的下部空間。

18、有益效果

19、在根據(jù)示例實施例的基板處理設(shè)備中，可顯著地減少被引入至下部空間中的處理氣體，而可顯著地減少顆粒和副產(chǎn)物的產(chǎn)生，以穩(wěn)定地進行等離子體增強化學(xué)氣相沉積。

技術(shù)特征：

1.一種基板處理設(shè)備，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理設(shè)備，其中：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理設(shè)備，其中：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理設(shè)備，其中：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理設(shè)備，其中：

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理設(shè)備，其中：

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理設(shè)備，其中：

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理設(shè)備，其中：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板處理設(shè)備，其中：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理設(shè)備，其中：

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板處理設(shè)備，其中：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理設(shè)備，其中：

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理設(shè)備，其中：

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理設(shè)備，其中：

技術(shù)總結(jié)
根據(jù)本發(fā)明實施例的基板處理設(shè)備包括：具有側(cè)壁的腔室、具有傾斜側(cè)表面且在腔室內(nèi)部安裝基板的基座、覆蓋腔室的上表面且由介電材料形成的上圓頂、覆蓋腔室的下表面且由介電材料形成的下圓頂、以及設(shè)置在腔室內(nèi)部且設(shè)置在上圓頂和下圓頂之間的襯墊。襯墊包括傾斜部分，該傾斜部分具有與基座的傾斜側(cè)表面相對的傾斜內(nèi)表面。

技術(shù)研發(fā)人員：金度衡,黃喆周
受保護的技術(shù)使用者：周星工程股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/24