本發明涉及半導體
技術領域：
，尤其是涉及一種基于蒽酮的化合物，以及其作為發光層材料在有機發光二極管上的應用。
背景技術：
：有機發光二極管(OLED:OrganicLightEmissionDiodes)成為國內外非常熱門的新興平板顯示器產品，這是因為OLED顯示器具有自發光、廣視角(達175°以上)、短反應時間、高發光效率、廣色域、低工作電壓(3～10V)、面板薄(可小于1mm)和可卷曲等特性。OLED被喻為21世紀的明星平面顯示產品。隨著技術越來越成熟，其今后有可能得到迅速發展，前途不可限量。OLED發光的原理是通過施加一個外加電壓，空穴和電子克服界面能障后,由陽極和陰極注入，分別進入空穴傳送層的HOMO能階和電子傳送層的LUMO能階；而后電荷在外加電場的驅動下傳遞至空穴傳送層和電子傳送層的界面，界面的能階差使得界面會有電荷的累積；電子、空穴在有發光特性的有機物質內再結合，形成一個激發子，此激發子在一般環境是不穩定的，之后將以光或熱的形式釋放能量而回到穩定的基態。經由電子、空穴再結合產生的激發態理論上只有25％是單重激發態，其余75％為三重激發態，將以磷光或熱的形式回歸到基態。有機發光二極管(OLEDs)在大面積平板顯示和照明方面的應用引起了工業界和學術界的廣泛關注。然而，傳統有機熒光材料只能利用電激發形成的25％單線態激子發光，器件的內量子效率較低(最高為25％)。外量子效率普遍低于5％，與磷光器件的效率還有很大差距。盡管磷光材料由于重原子中心強的自旋-軌道耦合增強了系間竄越，可以有效利用電激發形成的單線態激子和三線態激子發光，使器件的內量子效率達100％。但磷光材料存在價格昂貴，材料穩定性較差，器件效率滾落嚴重等問題限制了其在OLEDs的應用。熱激活延遲熒光(TADF)材料是繼有機熒光材料和有機磷光材料之后發展的第三代有機發光材料。該類材料一般具有小的單線態-三線態能級差(△EST)，三線態激子可以通過反系間竄越轉變成單線態激子發光。這可以充分利用電激發下形成的單線態激子和三線態激子，器件的內量子效率可以達到100％。同時，材料結構可控，性質穩定，價格便宜無需貴重金屬，在OLEDs領域的應用前景廣闊。雖然理論上TADF材料可以實現100％的激子利用率，但實際上存在如下問題：(1)設計分子的T1和S1態具有強的CT特征，非常小的S1-T1態能隙，雖然可以通過TADF過程實現高T1→S1態激子轉化率，但同時導致低的S1態輻射躍遷速率，因此，難于兼具(或同時實現)高激子利用率和高熒光輻射效率；(2)即使已經采用摻雜器件減輕T激子濃度猝滅效應，大多數TADF材料的器件在高電流密度下效率滾降嚴重。就當前OLED顯示照明產業的實際需求而言，目前OLED材料的發展還遠遠不夠，落后于面板制造企業的要求，作為材料企業開發更高性能的有機功能材料顯得尤為重要。技術實現要素：針對現有技術存在的上述問題，本申請人提供了一種基于蒽酮的化合物及其應用。本發明基于TADF機理的蒽酮類化合物作為發光層材料應用于有機發光二極管上，應用本發明化合物的OLED器件具有良好的光電性能，能夠滿足面板制造企業的要求。本發明的技術方案如下：本申請人提供了一種以蒽酮為核心的化合物，所述化合物的結構如通式(1)所示：通式(1)中，D1、D2分別獨立的選取C1-10直鏈或支鏈烷基、或者苯基中的一種，D1、D2可以相同或不同；Ar表示或者-R；其中，Ar1表示苯基、二聯苯基、三聯苯基、萘基、蒽基或菲基；m、n分別獨立的選取1或2；所述表示(Ar)m連接在通式(1)兩側苯環上的任意碳原子上；R采用通式(2)、通式(3)、通式(4)、通式(5)或通式(6)表示：其中，X為氧原子、硫原子、硒原子、C1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的叔胺基中的一種；R1選取通式(7)所示結構，R2選取通式(7)或通式(8)所示結構：a為X1、X2分別為氧原子、硫原子、C1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的叔胺基中的一種；a通過CL1-CL2鍵、CL2-CL3鍵、CL3-CL4鍵、CL‘1-CL’2鍵、CL‘2-CL’3鍵或CL‘3-CL’4鍵連接在通式(2)、通式(3)或通式(5)上；Ar2、Ar3分別獨立的表示為苯基、C1-10直鏈或支鏈烷基取代的苯基、二聯苯基、三聯苯基、或萘基中的一種；R3、R4分別獨立的表示為碳原子為1-10的烷基、取代或者未取代的碳原子為1-50的芳基、芳基或烷基取代的碳原子為1-50的胺基、取代或者未取代的碳原子為1-50的雜芳基。優選的，所述R3、R4分別獨立的選取碳原子為1-10的烷基、苯基、C1-10直鏈或支鏈烷基取代的苯基、二聯苯基、三聯苯基、萘基、通式(9)、通式(10)、通式(11)或通式(12)所示結構；其中，Ar4、Ar5、Ar6分別獨立的表示苯基、C1-10直鏈或支鏈烷基取代的苯基、二聯苯基、三聯苯基、萘基、C1-10直鏈或支鏈烷基取代的苯并呋喃基、C1-10直鏈或支鏈烷基取代的苯并噻吩基、C1-10直鏈或支鏈烷基取代的芴基、C1-10直鏈或支鏈烷基取代的咔唑基中的一種；R6、R7分別獨立的選取氫、碳原子為1-10的烷基、或碳原子為4-20的芳香基；X3表示為氧原子、硫原子、硒原子、C1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的叔胺基中的一種。優選的，Ar表示為時，所述化合物的結構通式表示為：中的任一種。優選的，Ar表示為-R時，所述化合物的結構通式表示為：中的任一種。優選的，所述通式(1)中R為：中的任一種。優選的，所述以蒽酮為核心的化合物的具體結構為：中的任一種。本申請人還提供了一種包含所述化合物的發光器件，所述化合物作為發光層材料，用于制作有機電致發光器件。優選的，所述化合物作為發光層主體材料或者摻雜材料，用于制作有機電致發光器件。本申請人還提供了一種制備所述化合物的方法，制備過程中發生的反應方程式是：式1反應過程如下：稱取蒽酮為核心的溴代化合物和R-H，用甲苯溶解；再加入Pd2(dba)3、三叔丁基膦、叔丁醇鈉；在惰性氣氛下，將上述反應物的混合溶液于反應溫度95～110℃，反應10～24小時，冷卻、過濾反應溶液，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物；所述蒽酮為核心的溴化物與R-H的摩爾比為1:1.0～4.0；Pd2(dba)3與蒽酮為核心的溴化物的摩爾比為0.006～0.02:1，三叔丁基膦與蒽酮為核心的溴化物的摩爾比為0.006～0.02:1，叔丁醇鈉與蒽酮為核心的溴化物的摩爾比為1.0～4.0:1；式2反應過程如下：稱取蒽酮為核心的溴代化合物和Ar-B(OH)2，用甲苯溶解；再加入Pd(PPh3)4、碳酸鈉；在惰性氣氛下，將上述反應物的混合溶液于反應溫度95～110℃，反應10～24小時，冷卻、過濾反應溶液，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物；所述蒽酮為核心的溴化物與Ar-B(OH)2的摩爾比為1:1.0～4.0；Pd(PPh3)4與蒽酮為核心的溴化物的摩爾比為0.006～0.02:1，碳酸鈉與蒽酮為核心的溴化物的摩爾比為1.0～4.0:1。本發明有益的技術效果在于：本發明化合物以蒽酮為母核，破壞分子的結晶性，避免了分子間的聚集作用，分子中多為剛性基團，具有好的成膜性和熒光量子效率，可以作為發光層摻雜材料使用；所述化合物結構分子內包含電子給體(donor,D)與電子受體(acceptor,A)的組合可以增加軌道重疊、提高發光效率，同時連接芳香雜環基團以獲得HOMO、LUMO空間分離的電荷轉移態材料，實現小的S1態和T1態的能級差，從而在熱刺激條件下實現反向系間竄越，適合作為發光層材料主體材料使用。本發明所述化合物可作為發光層材料應用于OLED發光器件制作，并且分別作為發光層主體材料或摻雜材料，均可以獲得良好的器件表現，器件的電流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同時，對于器件壽命提升非常明顯。本發明所述化合物材料在OLED發光器件中具有良好的應用效果，具有良好的產業化前景。附圖說明圖1為本發明化合物應用的器件結構示意圖；其中，1為透明基板層，2為ITO陽極層，3為空穴注入層，4為空穴傳輸層，5為發光層，6為電子傳輸層，7為電子注入層，8為陰極電極層。具體實施方式下面結合附圖和實施例，對本發明進行具體描述。實施例1化合物C02的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-(4-溴苯基)-10,10-二甲基-10H-蒽酮，0.015mol化合物A1，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度98.28％，收率56.55％。HPLC-MS：材料分子量為628.25，實測分子量628.29。實施例2化合物C07的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-(3-溴苯基)-10,10-二甲基-10H-蒽酮，0.015molA2，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度97.58％，收率45.61％。HPLC-MS：材料分子量為579.26，實測分子量579.31。實施例3化合物C11的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-溴-10,10-二甲基-10H-蒽酮，0.015molA3，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度97.49％，收率46.2％。HPLC-MS：材料分子量為567.18，實測分子量567.21。實施例4化合物C18的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-(4-溴苯基)-10,10-二甲基-10H-蒽酮，0.015molA4，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度98.4％，收率51.0％。HPLC-MS：材料分子量為720.28，實測分子量720.22。實施例5化合物C29的合成500ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mo3-(5-溴苯基)-10,10-二甲基-10H-蒽酮，0.015molA5，用混合溶劑溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molNa2CO3水溶液(2M)，然后加入0.0001molPd(PPh3)4，加熱回流10-24小時，取樣點板，反應完全。自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，HPLC純度98.40％，收率57.00％。HPLC-MS：材料分子量為629.24，實測分子量629.31。實施例6化合物C34的合成500ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-溴-10,10-二甲基-10H-蒽酮，0.015molA6，用混合溶劑溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molNa2CO3水溶液(2M)，然后加入0.0001molPd(PPh3)4，加熱回流10-24小時，取樣點板，反應完全。自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，HPLC純度98.60％，收率41.00％。HPLC-MS：材料分子量為628.24，實測分子量628.33。實施例7化合物C25的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-(4-溴苯基)-10,10-二甲基-10H-蒽酮，0.015molA7，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度98.4％，收率51.0％。HPLC-MS：材料分子量為837.37，實測分子量837.42。實施例8化合物C61的合成500ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-溴-10,10-二甲基-10H-蒽酮，0.015molA8，用混合溶劑溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molNa2CO3水溶液(2M)，然后加入0.0001molPd(PPh3)4，加熱回流10-24小時，取樣點板，反應完全。自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，HPLC純度98.4％，收率54.00％。HPLC-MS：材料分子量為855.35，實測分子量855.38。實施例9化合物C68的合成500ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol2-溴-10,10-二甲基-10H-蒽酮，0.015molA9，用混合溶劑溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molNa2CO3水溶液(2M)，然后加入0.0001molPd(PPh3)4，加熱回流10-24小時，取樣點板，反應完全。自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，HPLC純度97.8％，收率56.00％。HPLC-MS：材料分子量為719.28，實測分子量719.32。實施例10化合物C82的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-(4-溴苯基)-10,10-二甲基-10H-蒽酮，0.015molA10，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度98.4％，收率51.0％。HPLC-MS：材料分子量為921.37，實測分子量921.56。實施例11化合物C86的合成500ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-(3-溴苯基)-10,10-二甲基-10H-蒽酮，0.015molA11，用混合溶劑溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molNa2CO3水溶液(2M)，然后加入0.0001molPd(PPh3)4，加熱回流10-24小時，取樣點板，反應完全。自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，HPLC純度98.0％，收率52.40％。HPLC-MS：材料分子量為780.31，實測分子量780.25。實施例12化合物C91的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-(4-溴苯基)-10,10-二甲基-10H-蒽酮，0.015molA12，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度99.2％，收率68.3％。HPLC-MS：材料分子量為615.26，實測分子量615.32。實施例13化合物C97的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-(4-溴苯基)-10,10-二苯基-10H-蒽酮，0.015molA13，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度98.6％，收率53.50％。HPLC-MS：材料分子量為795.32，實測分子量795.43。實施例14化合物C106的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol2-溴-10,10-二甲基-10H-蒽酮，0.015molA14，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度95.4％，收率51.50％。HPLC-MS：材料分子量為704.28，實測分子量704.36。實施例15化合物C117的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-(3-溴苯基)-10,10-二甲基-10H-蒽酮，0.015molA15，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度95.36％，收率51.42％。HPLC-MS：材料分子量為825.30，實測分子量825.38。實施例16化合物C123的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-溴-10-甲基-10-苯基-10H-蒽酮，0.015molA16，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度95.42％，收率52.3％。HPLC-MS：材料分子量為712.35，實測分子量712.42。實施例17化合物C122的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-(3-溴苯基)-10,10-二甲基-10H-蒽酮，0.030molA17，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度97.86％，收率58.40％。HPLC-MS：材料分子量為886.37，實測分子量886.51。實施例18化合物C130的合成500ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mo2-(3,5-二溴苯基)-10,10-二苯基-10H-蒽酮，0.030molA18，用混合溶劑溶解(180ml甲苯，90ml乙醇)，然后加入0.03molNa2CO3水溶液(2M)，然后加入0.0001molPd(PPh3)4，加熱回流10-24小時，取樣點板，反應完全。自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，HPLC純度96.4％，收率29.60％。HPLC-MS：材料分子量為782.28，實測分子量782.34。實施例19化合物C139的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-(4-溴苯基)-10,10-二甲基-10H-蒽酮，0.015molA19，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度99.36％，收率62.80％。HPLC-MS：材料分子量為579.26，實測分子量579.31。實施例20化合物C141的合成250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol3-(3-溴苯基)-10,10-二甲基-10H-蒽酮，0.030molA20，0.03mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全，自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產物，純度99.93％，收率42.90％。HPLC-MS：材料分子量為732.24，實測分子量732.28。本發明化合物可以作為發光層材料使用，對本發明化合物C11、化合物C92和現有材料CBP、GD-19分別進行熱性能、HOMO能級的測定，檢測結果如表1所示。表1化合物Tg(℃)Td(℃)HOMO能級(eV)功用化合物C11145385-5.62主體材料化合物CBP113353-5.90主體材料化合物C92126379-5.53摻雜材料化合物GD-19-342-5.45摻雜材料注：玻璃化溫度Tg由示差掃描量熱法(DSC，德國耐馳公司DSC204F1示差掃描量熱儀)測定，升溫速率10℃/min；熱失重溫度Td是在氮氣氣氛中失重1％的溫度，在日本島津公司的TGA-50H熱重分析儀上進行測定，氮氣流量為20mL/min；最高占據分子軌道HOMO能級及最低占據分子軌道LUMO能級是由光電子發射譜儀(AC-2型PESA)、以及紫外分光光度計(UV)測試計算所得，測試為大氣環境。由上表數據可知，本發明化合物具有較高的熱穩定性，適當的HOMO能級，適合作為發光層材料；同時，本發明化合物含有電子給體(donor,D)與電子受體(acceptor,A)，使得應用本發明化合物的OLED器件電子和空穴達到平衡狀態，使得器件效率和壽命得到提升。以下通過實施例21-29和比較例1-3詳細說明本發明合成的化合物在器件中作為發光層主體材料的應用效果。實施例22-29與實施例21相比，所述器件的制作工藝完全相同，并且所采用了相同的基板材料和電極材料，電極材料的膜厚也保持一致，所不同的是器件中發光層的主體材料發生了改變。實施例21-29與比較例1-3相比，比較例1-3所述器件的發光層材料采用的是現有常用原料，而實施例21-29的器件發光層主體材料采用的是本發明化合物。各實施例所得器件的結構組成如表2所示。各器件的性能測試結果見表3。實施例21透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(化合物C02和GD-19按照100：5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極電極層8(Al)。各化合物的分子結構式如下：具體制備過程如下：透明基板層1采用透明材料，如玻璃；對ITO陽極層2(膜厚為150nm)進行洗滌，即依次進行堿洗滌、純水洗滌、干燥后再進行紫外線-臭氧洗滌以清除透明ITO表面的有機殘留物。在進行了上述洗滌之后的ITO陽極層2上，利用真空蒸鍍裝置，蒸鍍膜厚為10nm的三氧化鉬MoO3作為空穴注入層3使用。緊接著蒸鍍80nm厚度的TAPC作為空穴傳輸層4。上述空穴傳輸材料蒸鍍結束后，制作OLED發光器件的發光層5，其結構包括OLED發光層5所使用材料化合物C02作為主體材料，GD-19作為摻雜材料，摻雜材料摻雜比例為5％重量比，發光層膜厚為30nm。在上述發光層5之后，繼續真空蒸鍍電子傳輸層材料為TPBI，該材料的真空蒸鍍膜厚為40nm，此層為電子傳輸層6。在電子傳輸層6上，通過真空蒸鍍裝置，制作膜厚為1nm的氟化鋰(LiF)層，此層為電子注入層7。在電子注入層7上，通過真空蒸鍍裝置，制作膜厚為80nm的鋁(Al)層，此層為陰極反射電極層8使用。如上所述地完成OLED發光器件后，用公知的驅動電路將陽極和陰極連接起來，測量器件的發光效率，發光光譜以及器件的電流-電壓特性。實施例22透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(化合物C07和GD-19按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極電極層8(Al)。實施例23透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(化合物C11和GD-19按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極電極層8(Al)。實施例24透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(化合物C29和Ir(PPy)3按照100:10的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極電極層8(Al)。實施例25透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(化合物C34和Ir(PPy)3按照100:10的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極電極層8(Al)。實施例26透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(化合物C68和GD-PACTZ按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極電極層8(Al)。實施例27透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(化合物C86和GD-PACTZ按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極電極層8(Al)。實施例28透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(化合物C106、GH-204和Ir(PPy)3按照70:30:10的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極電極層8(Al)。實施例29透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(化合物C130、GH-204和GD-PACTZ按照70:30:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極電極層8(Al)。比較例1透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(CBP和GD-19按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極電極層8(Al)。比較例2透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(CBP和Ir(PPy)3按照100:10的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極電極層8(Al)。比較例3透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發光層5(CBP和GD-PACTZ按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/陰極電極層8(Al)。所制作的OLED發光器件的測試結果見表3。表2表3從表3的結果可以看出本發明所述化合物作為發光層主體材料可應用與OLED發光器件制作，并且與比較例1-3相比，無論是效率還是壽命均比已知OLED材料獲得較大改觀，特別是器件的驅動壽命獲得較大的提升。以下通過實施例30-36和比較例4說明本發明合成的化合物在器件中作為發光層摻雜材料的應用效果。本發明所述30-36、比較例4與實施例21相比所述器件的制作工藝完全相同，并且所采用了相同的基板材料和電極材料，電極材料的膜厚也保持一致，所不同的是對器件中的發光層5的摻雜材料做了變換，摻雜濃度變為7％。所得各器件的結構組成如表4所示。各器件的性能測試結果如表5所示。表4表5器件代號電流效率LT95壽命實施例301.61.5實施例312.40.9實施例321.52.6實施例331.61.1實施例341.82.4實施例352.31.6實施例361.82.6比較例41.01.0說明:器件測試性能以比較例4作為參照，比較例4器件各項性能指標設為1.0。比較例4的電流效率為9.5cd/A(@10mA/cm2)；CIE色坐標為(0.27,0.65)；5000nit亮度下LT95壽命衰減為8.2Hr。壽命測試系統為本發明所有權人與上海大學共同研究的OLED器件壽命測試儀。從表5的結果可以看出本發明所述化合物作為發光層摻雜材料可應用與OLED發光器件制作，并且與比較例4相比，無論是效率還是壽命均比已知OLED材料獲得較大改觀，特別是器件的驅動壽命獲得較大的提升。從以上數據應用來看，本發明化合物作為發光層材料在OLED發光器件中具有良好的應用效果，具有良好的產業化前景。雖然已通過實施例和優選實施方式公開了本發明，但應理解，本發明不限于所公開的實施方式。相反，本領域技術人員應明白，其意在涵蓋各種變型和類似的安排。因此，所附權利要求的范圍應與最寬的解釋相一致以涵蓋所有這樣的變型和類似的安排。當前第1頁1 2 3