技術特征：

1.一種含銥配合物的磷光材料，其特征在于，該磷光材料為如式I-1所示的化合物，

其中，R1選自氫原子，氰基，硝基，氟和三氟甲基中的任意一種；

M選自金屬銥原子；

Ar1、Ar2和Ar3分別選自取代的或未取代的C6-C10芳基、取代的或未取代的C6-C10雜環芳基中的任意一種。

2.根據權利要求1所述的磷光材料，其特征在于，取代的或未取代的芳基中，芳基選自苯基。

3.根據權利要求1所述的磷光材料，其特征在于，取代的或未取代的雜環芳基中，雜環芳基選自吡啶。

4.根據權利要求1-3任意權利要求所述的的磷光材料，其特征在于，取代的C6-C10芳基或取代的C6-C10雜環芳基中，取代基選自甲基，氰基，磺基，鹵代甲基或鹵素。

5.根據權利要求4所述的所述的磷光材料，其特征在于，式I-1的化合物具體結構式為：

6.一種有機電致發光器件，其特征在于，由下至上依次由透明基片、陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、有機發光層、電子傳輸層和陰極層組成；其中，所述有機發光層的材料由權利要求5所述的磷光材料和主體材料構成；磷光材料與主體材料質量比為1-10:100；所述的主體材料為式m-CBP,m-NBP或TDATA所示的化合物：

7.根據權利要求6所述的一種有機電致發光器件，其特征在于，透明基片為玻璃柔性基片；

構成陽極層材料為無機材料或有機導電聚合物；所述無機材料為氧化鋯錫、氧化鋯、氧化錫鋯、白金、鋯或鋅；所述有機導電聚合物選自聚噻吩、聚苯乙烯撐和聚(噻吩[3，2-b]吡咯)中的至少一種。

構成空穴注入層的材料為CBP，所述CBP的結構式如式ⅰ下：

構成所述空穴傳輸層的材料為NPB；NPB的結構式如式ⅱ所示：

構成電子傳輸層的材料為式Alac3、Liq或BPPy所示的化合物：

8.根據權利要求6所述的一種有機電致發光器件，其特征在于，磷光材料與主體材料質量比為5:100。

9.根據權利要求6所述的一種有機電致發光器件，其特征在于，所述空穴注入層的厚度為30-40nm，所述空穴傳輸層的厚度為5-15nm，所述有機發光層的厚度為20-80nm，所述電子傳輸層的厚度為10-30nm；所述陰極層的厚度為80-100nm。

10.根據權利要求9所述的一種有機電致發光器件，其特征在于，所述空穴注入層的厚度為35nm；所述空穴傳輸層的厚度為10nm；所述有機發光層的厚度為40nm；所述電子傳輸層的厚度為20nm；所述陰極層的厚度為90nm。