技術總結
一種高介電常數的交聯PS@Cu/PVDF復合薄膜的制備方法。本發明涉及電子功能材料技術領域，特別是涉及一種高介電常數的交聯PS@Cu/PVDF復合薄膜的制備方法。本發明是要解決現有方法銅納米顆粒在高介電聚合物基復合材料中具有差的分散性和相容性且易氧化的問題。方法：一、Cu@交聯PS納米顆粒的制備；二、高介電Cu@交聯PS/PVDF復合薄膜的制備。本發明用于制備高介電常數的Cu@交聯PS/PVDF復合薄膜。
技術研發人員：楊文龍;陳高汝;林家齊
受保護的技術使用者：哈爾濱理工大學
文檔號碼：201611146193
技術研發日：2016.12.13
技術公布日：2017.05.31