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一種磷光PtAg2配合物及其制備方法和用途與流程

文檔序號:11107258閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種具有消旋結構的離子型磷光金屬配合物,其結構為如下式(I)或式(II)所示:

[PtAg2{rac-(PPh2CH2PPhCH2-)2}(C≡CR)2(PR'3)2]2+An-2/n; (I)

[PtAg2{meso-(PPh2CH2PPhCH2-)2}(C≡CR)2(PR'3)(μ-X)]+mAm- (II)

其中,

R可相同或不同,獨立地選自:烷基、芳基、雜芳基、雜芳基芳基,

R'可相同或不同,獨立地選自:烷基、芳基、雜芳基;

所述的烷基、芳基、雜芳基均可被一個或多個取代基取代,所述取代基選自烷基、烯基、炔基、烷氧基、氨基、鹵素、鹵烷基、芳基;

X選自鹵素;

Am-、An-為一價或二價陰離子,m或n為1、2,所述陰離子例如為ClO4-、PF6-、SbF6-、BF4-、SiF62-等,μ代表橋聯。

2.根據權利要求1所述的磷光金屬配合物,其中,所述式(I)、或式(II)磷光金屬配合物的立體結構如下:

3.根據權利要求1或2所述的磷光金屬配合物,其中,所述R優選為芳基、咔唑基、吩噻嗪基、咔唑基芳基;所述芳基、咔唑基、吩噻嗪基可任選被一個或多個取代基取代,所述取代基選自烷基、烷氧基、氨基、鹵素、鹵烷基、芳基;所述R'優選為芳基、含氮雜環(例如咔唑基),所述芳基、含氮雜環可任選被一個或多個取代基取代,所述取代基選自烷基、烷氧基、氨基、鹵素、鹵 烷基、芳基;進一步優選的,R為苯基、烷基-苯基、鹵烷基-苯基、咔唑基-苯基、咔唑基、烷基-咔唑基、苯基-咔唑基、吩噻嗪基、烷基-吩噻嗪基;R'為苯基、烷基苯基、咔唑基、烷基-咔唑基、苯基-咔唑基;

進一步優選的,所述金屬配合物具體的為如下11個配合物:

4.權利要求1-3任一項所述的磷光金屬配合物的制備方法,其中,所述式(I)磷光金屬配合物的制備方法包括如下步驟:1)將rac-(PPh2CH2PPhCH2-)2和Pt(PPh3)2(C≡CR)2在溶劑中反應,得到中間體;2)再將步驟1)中得到的中間體與[Ag(tht)](An-)和PR'3在溶劑中反應,得到所述式(I)磷光配合物;其中,所述tht(tetrahydrothiophene)為四氫噻吩,所述An-、R、R'、X如權利要求1-3任一項所定義;

或者,

所述式(II)磷光配合物的制備方法包括如下步驟:A)將meso-(PPh2CH2PPhCH2-)2和Pt(PPh3)2(C≡CR)2在溶劑中反應,得到中間體;B)將PR'3nBu4NX、[Ag(tht)](Am-)與步驟A)中得到的中間體在溶劑中反應,得到所述式(II)磷光配合物;其中,所述tht(tetrahydrothiophene)為四氫噻吩,所述Am-、R、R'、X如權利要求1-3任一項所定義;

優選的,所述步驟1)、步驟A)中,所述溶劑為鹵代烴,例如二氯甲烷;

優選的,所述步驟2)、步驟B)中,所述溶劑優選為鹵代烴,例如二氯甲烷。

5.權利要求1-3任一項所述的磷光金屬配合物用于有機發光二極管的用途。

6.一種有機發光二極管,包括發光層,其中,所述發光層中含有權利要求1-3任一項所述的式(I)或式(II)磷光配合物;

優選的,在所述發光層中,權利要求1-3任一項所述的式(I)磷光配合物優選占所有材料的3-20%(重量百分比),更優選5-10%,進一步優選的,所述的式(I)磷光配合物以6%的重量百分比摻雜到主體材料中作為發光層;權利要求1-3任一項所述的式(II)磷光配合物優選占所有材料的5-25%(重量百分比),更優選8-15%,進一步優選的,所述的式(II)磷光配合物以10%的重量百分比摻雜到主體材料中作為發光層。

7.權利要求6所述的有機發光二極管,其中,所述有機發光二極管還包括:陽極層、空穴注入層、任選地空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層。

8.權利要求7所述的有機發光二極管,其中,所述陽極可為銦錫氧化物,所述空穴注入層可為PEDOT:PSS(PEDOT:PSS=聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸));所述空穴傳輸層可為CuSCN、CuI、CuBr;所述發光層含有權利要求1-3任一項所述的磷光配合物,以及具有空穴傳輸特性的物質和/或具有電子傳輸特性的物質;其中,具有空穴傳輸特性的物質可以為2,6-DCZPPY(2,6-二(3-(9-咔唑)苯基)吡啶)、mCP(1,3-雙(9-咔唑基)苯)、CBP(4,4'-二 (9-咔唑)-1,1'-聯苯)、或TCTA(三(4-(9-咔唑)苯基)胺)中的一種或多種;具有電子傳輸特性的物質可以為OXD-7(1,3-雙(5-(4-(叔丁基)苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基)苯);所述電子傳輸層可為BmPyPB(3,3”,5,5”-四(3-吡啶基)-1,1':3',1”-三聯苯)、TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯)、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲珞啉)或OXD-7中的一種或多種;所述電子注入層為LiF,所述陰極為Al。

優選的,含有所述式(I)磷光配合物的器件結構為:ITO/PEDOT:PSS(50nm)/CuSCN(30nm)/70.5%2,6-DCZPPY:23.5%OXD-7:6%wt本發明式(I)配合物(50nm)/BmPyPB(50nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),或者ITO/PEDOT:PSS(50nm)/70.5%mCP:23.5%OXD-7:6%wt本發明式(I)配合物(50nm)/BmPyPB(50nm)/LiF(1nm)/Al(100nm);

優選的,含有所述式(II)磷光配合物的器件結構為:ITO/PEDOT:PSS(50nm)/CuSCN(30nm)/90%2,6-DCZPPY:10%wt本發明式(II)配合物(50nm)/BmPyPB(50nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),或者ITO/PEDOT:PSS(50nm)/90%mCP:10%wt本發明式(II)配合物(50nm)/BmPyPB(50nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。

其中,ITO為氧化銦錫導電薄膜,PEDOT:PSS為聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸),2,6-DCZPPY為(2,6-二(3-(9-咔唑基)苯基)吡啶)、mCP為(1,3-雙(9-咔唑基)苯),OXD-7為1,3-雙(5-(4-(叔丁基)苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基)苯,BmPyPB為(3,3”,5,5”-四(3-吡啶基)-1,1':3',1”-三聯苯)。

9.權利要求6-8任一項所述的有機發光二極管的制備方法,包括:1)采用溶液法在陽極上制備有機發光二極管中的空穴注入層;2)任選地采用溶液法制備有機發光二極管中的空穴傳輸層;3)采用溶液法制備摻雜有本發明的磷光配合物的發光層;4)再依次利用真空熱蒸鍍方法制備電子傳輸層、電子注入層、以及陰極層。

10.權利要求6-8任一項所述的有機發光二極管的用途,其用于平板顯示和日常照明領域中。

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