一種雙介晶基元液晶化合物的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種雙介晶基元液晶化合物，其結(jié)構(gòu)通式如(1)所示：其中R為碳數(shù)為3～12的直鏈烷基，n＝3、5、7、9、11、13，L＝H或F。本發(fā)明具有液晶相區(qū)間寬、低熔點(diǎn)的優(yōu)點(diǎn)，適合于撓曲電液晶顯示器件。
【專利說明】一種雙介晶基元液晶化合物

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于液晶材料【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種雙介晶基兀液晶化合物。

【背景技術(shù)】
[0002] 為了進(jìn)一步提高液晶顯示器件的響應(yīng)速度，近年來，開發(fā)出了基于液晶撓曲 電效應(yīng)的顯示模式。液晶的撓曲電效應(yīng)具有非常快的響應(yīng)速度，一般在10微秒?100 微秒之間，比傳統(tǒng)的液晶顯示模式響應(yīng)速度快1?2個(gè)數(shù)量級(jí)。如Applied Physics Letters, 2012, 100,063501報(bào)道了基于液晶撓曲電效應(yīng)的顯示模式，在該顯示器件中，液 晶分子以"均勻臥式螺旋"（Uniformly Lying Helix, ULH)的方式排列，這種模式也稱之 為ULH模式。采用ULH模式的液晶器件響應(yīng)速度達(dá)到100微秒。隨后在ULH模式基礎(chǔ)上， 又提出了"均勻堅(jiān)立螺旋"（Uniformly Standing Helix, USH)，與ULH模式相比，USH模式 可以達(dá)到更佳的暗態(tài)，同時(shí)還能獲得寬的可視角范圍。傳統(tǒng)的液晶顯示模式要求液晶材 料具有大的介電各向異性值（Λ ε)，以降低顯示器的驅(qū)動(dòng)電壓。而ULH/USH模式不同，為 了防止液晶的螺旋結(jié)構(gòu)在電場(chǎng)下解開，往往要求液晶材料具有盡可能小的介電各向異性 值；同時(shí)為了降低驅(qū)動(dòng)電壓，還需要液晶材料具有大的撓曲電系數(shù)。Journal of Applied Physics，1994, 76, 3762的論文研究結(jié)果表明，分子中包含兩個(gè)液晶基元的化合物具有大的 撓曲電系數(shù)，可用于撓曲電效應(yīng)的顯示模式。該類液晶也稱之為雙介晶基元液晶化合物。 此外，為了獲得低的介電各向異性值，分子一般應(yīng)為對(duì)稱結(jié)構(gòu)；同時(shí)，為了獲得較佳的撓曲 電-光效應(yīng)，雙介晶基元液晶化合物的中心橋鍵一般為奇數(shù)原子。
[0003] 迄今為止，已經(jīng)開發(fā)出多種雙介晶基元液晶化合物，并已在撓曲電液晶顯示模式 中得到應(yīng)用，如專利W02013004333A1所報(bào)道的。但一般都存在液晶相區(qū)間窄，熔點(diǎn)高的缺 點(diǎn)，不能滿足ULH和USH顯示模式的實(shí)際使用需要，因此需要開發(fā)熔點(diǎn)低、液晶相范圍寬的 雙介晶基兀型液晶材料。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為克服【背景技術(shù)】中存在的缺陷或不足，本發(fā)明提供一種液晶相溫度范圍寬、低熔 點(diǎn)的雙介晶基元液晶化合物。
[0005] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下的技術(shù)解決方案：
[0006] -種雙介晶基元液晶化合物，其特征在于，其結(jié)構(gòu)通式如（I)所示：

【權(quán)利要求】
2.如權(quán)利要求1所述的雙介晶基元液晶化合物，其特征在于，所述的R為碳數(shù)5?9的 直鏈烷基；η為5、7、9或11。
【文檔編號(hào)】C09K19/20GK104087311SQ201410347100
【公開日】2014年10月8日 申請(qǐng)日期:2014年7月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月21日
【發(fā)明者】安忠維, 胡明剛, 李建, 楊志, 李娟利, 楊曉哲, 車昭毅, 莫玲超, 楊誠, 史鳳嬌 申請(qǐng)人:西安近代化學(xué)研究所