技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種純相In2S3半導(dǎo)體薄膜的硫化輔助電沉積制備方法，電解液中含有摩爾比為100：（2.5?10）：（1?10）：（40?100）的氯化鋰、氯化銦、亞硫酸鈉和硫代硫酸鈉，電解液的pH值介于2.5?3.75之間，電解液經(jīng)攪拌后用電沉積法在氧化銦錫（ITO）玻璃基底上制備出了附著力良好的預(yù)沉積薄膜，然后將預(yù)沉積薄膜置于硫粉和惰性氣氛保護(hù)條件下于200?600°C下恒溫，得到純相高結(jié)晶性的In2S3半導(dǎo)體薄膜。本發(fā)明提供的方法在ITO玻璃基底上制備出純相In2S3半導(dǎo)體薄膜，適合作為薄膜太陽能電池的緩沖層材料。

技術(shù)研發(fā)人員：王峰;劉萌;李志林;竇美玲;劉景軍;吉靜;宋夜
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京化工大學(xué)
文檔號碼：201611152892
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.14
技術(shù)公布日：2017.05.17