本發明涉及真空晶圓電鍍機，具體為一種真空電鍍機。

背景技術：

1、在現代科技領域，半導體產業占據著極為關鍵的地位，是眾多高科技產品如計算機芯片、智能手機芯片、傳感器等的核心基礎。晶圓作為半導體制造的基礎材料，其表面處理工藝對于最終產品的性能和可靠性起著決定性作用。晶圓電鍍便是其中一項重要的表面處理技術，通過在晶圓表面沉積金屬薄膜，可以實現多種功能，如改善晶圓的導電性、提高抗腐蝕性、形成電路連接等，為了克服傳統濕法電鍍的缺陷，真空技術逐漸被引入到晶圓電鍍領域。真空環境能夠有效減少雜質的污染，提高電鍍層的純度。通過真空泵將電鍍腔室內的空氣抽出，降低氣壓，可以控制鍍液的蒸發速率和氣體分子的運動，從而為電鍍過程提供更穩定、更純凈的環境。

2、目前在真空電鍍機的使用過程中，傳統真空電鍍機在晶圓電鍍時，電極的布局和形狀可能無法使電場在晶圓表面均勻分布，使得簡單的平板電極結構會導致晶圓邊緣和中心區域的電場強度差異較大，使得邊緣部分的電鍍速率與中心部分不一致，導致鍍液在晶圓表面的流速不均勻，出現局部流速過快或過慢的情況，使得流速過快的區域可能會使電鍍層厚度偏薄，而過慢的區域則可能導致電鍍層過厚，同時還可能引發氣泡在晶圓表面的附著，進一步破壞電鍍均勻性，因此就需要提出一種真空電鍍機。

技術實現思路

1、本發明的目的在于提供一種真空電鍍機，以解決上述背景技術提出在真空電鍍機的使用過程中，傳統真空電鍍機在晶圓電鍍時，電極的布局和形狀可能無法使電場在晶圓表面均勻分布，使得簡單的平板電極結構會導致晶圓邊緣和中心區域的電場強度差異較大，使得邊緣部分的電鍍速率與中心部分不一致，導致鍍液在晶圓表面的流速不均勻，出現局部流速過快或過慢的情況，使得流速過快的區域可能會使電鍍層厚度偏薄，而過慢的區域則可能導致電鍍層過厚，同時還可能引發氣泡在晶圓表面的附著，進一步破壞電鍍均勻性的問題。

2、為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種真空電鍍機，包括有：

3、真空電鍍罐體，其安裝在支撐底進入支架的頂部，用于形成真空環境保障電鍍的穩定性，并通過真空控制組件，保障真空度的波動范圍處于晶圓電鍍的最佳環境；

4、傳動控制組件，其安裝在真空電鍍罐體的頂部，用于帶動真空電鍍罐體內部的電鍍自適應電場電極控制組件根據安裝在真空電鍍罐體內壁表面上的電場檢測傳感器實時監測晶圓表面的電場強度分布情況，進行動態調控；

5、電鍍自適應電場電極控制組件，其安裝在真空電鍍罐體的內部，用于將數據反饋給控制處理器，使得控制處理器根據反饋信息，動態調整每個電極的電壓或電流，從而實現晶圓表面電場強度的自適應均勻化；

6、環形電磁懸浮導軌，其安裝在真空電鍍罐體的底端內部，用于帶動豎向電磁導軌及微型氣動氣桿根據晶圓的分布情況，動態調整所連接的鍍液噴頭和微型攪拌器，通過高頻振動產生微小的擾流，使鍍液在晶圓表面形成更加均勻、穩定的流場；

7、晶圓掛具，其安裝在真空電鍍罐體的內部，通過多組所安裝在晶圓掛具表面上的可變尺寸晶圓電鍍平臺，用于保障晶圓在進行電鍍時的穩定性，使得能夠利用安裝在晶圓掛具側壁上的陣列式光學傳感器，實時檢測晶圓的位置和尺寸信息，并將數據反饋給控制處理器，控制處理器根據這些信息自動調整夾具的位置尺寸及電極接觸端。

8、優選的，所述電鍍自適應電場電極控制組件包括有：

9、電極控制線管、外徑連接線圈和內徑連接線圈，所述電極控制線管、外徑連接線圈和內徑連接線圈形成一體式連接設置，所述電極控制線管和內徑連接線圈的連接豎管端安裝設置陽電極接觸件。

10、優選的，所述外徑連接線圈和內徑連接線圈的間隙處環繞等分設置有多組微型橫向電磁導軌，多組所述微型橫向電磁導軌的底部均滑動連接有位置光纖傳感器滑動塊，所述位置光纖傳感器滑動塊的底部安裝設置微調驅動器，所述微調驅動器的側端設置陰電極接觸件。

11、優選的，所述傳動控制組件包括有：

12、驅動控制電機、差速器、連接環架和內轉環，所述驅動控制電機帶動差速器安裝在真空電鍍罐體的側壁架體內部，所述連接環架緊固連接在真空電鍍罐體的內壁表面上，所述內轉環的外部周側安裝設置錐形齒牙邊，所述內轉環的內徑表面開設有轉動槽，所述連接環架和內轉環通過轉動槽形成轉動連接。

13、優選的，所述驅動控制電機的輸出端連接設置錐形驅動齒輪，所述錐形驅動齒輪的底端和錐形齒牙邊形成嚙合連接，所述內轉環的內部安裝設置連接定位塊，所述連接定位塊的底部緊固連接有線管連接端，所述線管連接端的底部和電極控制線管的頂部形成連接設置。

14、優選的，所述真空控制組件包括有：

15、雙級真空泵、低溫吸附泵、離子泵和金屬過濾器，所述金屬過濾器的底部緊固連接有連接法蘭座，所述金屬過濾器通過連接法蘭座和真空電鍍罐體的頂部密封連接，所述離子泵的側端連接設置電離吸附膜架，所述電離吸附膜架的架體表面上安裝設置多組惰性氣體吸附器。

16、優選的，所述雙級真空泵和低溫吸附泵架設安裝在真空電鍍罐體頂部的承載架體表面上，所述雙級真空泵由初級真空泵和次級真空泵組成，使得初級真空泵先將真空電鍍罐體內的氣壓降低到一定程度，次級真空泵進一步提高真空度并維持在高精度水平，所述雙級真空泵和安裝在真空電鍍罐體內壁表面上的高精度壓力傳感器形成信號連接，使得高精度壓力傳感器實時監測真空度的變化，并將數據反饋給控制處理器，控制處理器根據壓力反饋信息，自動調整雙級真空泵的轉速和啟停時間的工作參數，確保真空度始終穩定在設定的工藝要求范圍內，所述低溫吸附泵用于通過低溫表面對氣體分子的吸附作用，去除真空電鍍罐體內部的大部分雜質氣體。

17、優選的，所述真空電鍍罐體的外壁側端連通有閉環式氣體循環管路，所述真空電鍍罐體的外壁表面連通有循環連接閥管，所述閉環式氣體循環管路的底端和循環連接閥管的內部側端通過連接管形成連通，所述循環連接閥管的外部側端通過連接導送管和雙級真空泵的底部輸出端連通設置。

18、優選的，所述真空電鍍罐體的外壁表面上分別連通有電鍍液排送管和電鍍液導送進管，所述電鍍液導送進管通過內置在真空電鍍罐體內部腔體的管路和鍍液噴頭形成連通。

19、優選的，所述支撐底進入支架的底部內部安裝有推動車，所述推動車用于使得晶圓掛具從真空電鍍罐體的底部開啟口進入，并形成調節更換。

20、與現有技術相比，本發明的有益效果是：

21、1、本發明中，通過在電鍍自適應電場電極控制組件配合下，使得在開始電鍍操作時，電流通過電極控制線管傳輸到陽電極接觸件和陰電極接觸件，在晶圓表面建立起初始電場，同時，利用位置光纖傳感器滑動塊底部的位置光纖傳感器實時監測晶圓表面不同位置的電場強度數據并傳送給控制處理器，控制處理器根據所反饋數據，使得對于電場強度較弱的區域，微調驅動器驅動陰電極接觸件在微型橫向電磁導軌的導向下進行微米級或者納米級的精細位移調整，而在晶圓邊緣區域電場強度不足，通過調整陰電極接觸件的調整，能夠讓其與陽電極接觸件之間的相對距離和角度發生可控變化，實現對電場強度和方向的精確控制，使得在晶圓邊緣電場較弱的情況下，將陰電極接觸件向邊緣微微移動靠近，縮短電場線的長度，從而增強邊緣區域的電場強度，使晶圓表面的電鍍速率更加均勻，精確改變局部區域電場強度，有效解決晶圓邊緣及特殊位置電場不均勻問題。

22、2、本發明中，通過在電鍍自適應電場電極控制組件配合下，使得在調整陰電極接觸件位置的同時，控制處理器通過調節外徑連接線圈和內徑連接線圈中的電流大小和方向，進一步優化電場分布，使得能夠增加外徑連接線圈的電流，便于在晶圓周邊區域產生更強的磁場效應，輔助電場強度的提升，或者改變內徑連接線圈的電流方向，進而改變電場在晶圓中心區域的分布形態，使中心區域的電場更加均勻，有效調整晶圓整體電場分布形態，實現了從局部到整體全方位的電場均勻性優化，極大提高了電鍍層厚度均勻性。

23、3、本發明中，通過在傳動控制組件配合下，使得在進行電鍍操作時，控制處理器首先根據晶圓的位置信息，向驅動控制電機發送指令，驅動控制電機開始轉動，電機的輸出動力通過差速器進行調整和分配，然后傳遞給錐形驅動齒輪，錐形驅動齒輪與內轉環外部的錐形齒牙邊嚙合，帶動內轉環在連接環架的轉動槽內轉動，內轉環的轉動通過連接定位塊和線管連接端精確地傳遞給電極控制線管，從而帶動電鍍自適應電場電極控制組件移動到預定的初始位置，以便在晶圓表面建立起初始電場，并當需要微調陰電極接觸件的位置時，驅動控制電機根據指令精確地轉動一定角度或速度，通過差速器和錐形驅動齒輪帶動內轉環進行微小角度的轉動，內轉環的轉動通過連接定位塊和線管連接端轉化為電極控制線管的精確位移，從而實現陰電極接觸件在微型橫向電磁導軌上的微小位移調整，改變其與陽電極接觸件之間的相對距離和角度，進而調整晶圓表面的電場強度和方向，確保了晶圓表面電場強度始終穩定在預設的均勻性要求范圍內，為高質量的電鍍過程提供了可靠的保障。