1.一種雙層密封結構，其特征在于，所述雙層密封結構包括底板和罩體，所述罩體蓋在所述底板上形成密封艙體；其中，在所述罩體與所述底板的接觸面處形成有兩個環形密封槽，相對于所述密封艙體處于外側的第一環形密封槽內填充高溫硫化硅橡膠形成第一密封結構，相對于所述密封艙體處于內側的第二環形密封槽內填充高真空密封硅脂形成第二密封結構。
2.如權利要求1所述的雙層密封結構，其特征在于，所述兩個環形密封槽均形成在所述底板上。
3.一種雙層密封方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
在罩體與底板的接觸面處形成兩個環形密封槽；
在相對于所述密封艙體處于外側的第一環形密封槽內填充高溫硫化硅橡膠形成第一密封結構，在相對于所述密封艙體處于內側的第二環形密封槽內填充高真空密封硅脂形成第二密封結構；
將所述罩體蓋在所述底板上形成密封艙體。
4.如權利要求3所述的雙層密封方法，其特征在于，在形成所述密封艙體后，向所述密封艙體內充入惰性氣體；然后對所述惰性氣體進行高溫氣體置換，去除所述密封艙體的內部水分和所述高溫硫化硅橡膠中的水分。
5.如權利要求4所述的雙層密封方法，其特征在于，進行所述高溫氣體置換的溫度為60～65℃。
6.如權利要求3所述的雙層密封方法，其特征在于，所述兩個環形密封槽均形成在所述底板上。