專利名稱：元器件分類檢測(cè)法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及元器件抗輻射能力的檢測(cè)，特別涉及一種元器件分類檢測(cè)法。
背景技術(shù)：
由于元器件的抗輻射能力不足會(huì)嚴(yán)重影響衛(wèi)星使用壽命和可靠性。因此在選用用于衛(wèi)星上的元器件時(shí)，需要根據(jù)元器件的抗總劑量能力對(duì)元器件進(jìn)行分類。現(xiàn)有的根據(jù)元器件抗總劑量能力對(duì)元器件進(jìn)行分類的方法一般是在獲取元器件抗總劑量能力后，根據(jù)航天器的使用要求，與元器件抗總劑量能力做一比較，若元器件能夠滿足航天器抗輻射能力要求，則在航天器上使用，若元器件不滿足航天器使用要求，一般采取加固措施，即在元器件表面貼鉛皮或鉭皮等重金屬材料，使之滿足要求。若元器件抗總劑量能力小于航天器預(yù)示環(huán)境要求，且采取加固措施后，仍不滿足要求的，一般不同意使用。上述現(xiàn)有技術(shù)中的元器件分類檢測(cè)方法需要從元器件中抽取大量的樣本進(jìn)行檢測(cè)、判別，效率低下。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的元器件分類方法樣本抽取量大、檢測(cè)效率低下的缺陷，從而提供一種樣本量小、檢測(cè)效率高的檢測(cè)方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種元器件分類檢測(cè)法，包括步驟1)、利用輻照測(cè)試裝置得到元器件的輻照測(cè)試數(shù)據(jù)，對(duì)這些輻照測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，得到耐量的幾何平均值5和對(duì)數(shù)標(biāo)準(zhǔn)方差Sln0 ；步驟2、、根據(jù)所述耐量的幾何平均值計(jì)算出RDM值RDM = DZDq1其中，Dtl表示環(huán)境要求量；步驟3)、查正態(tài)分布的單側(cè)容許限表，根據(jù)給定樣本容量η、置信度C和可靠度I^s 條件時(shí)的單側(cè)容許限系數(shù)K;步驟4)、根據(jù)步驟1)得到的對(duì)數(shù)標(biāo)準(zhǔn)方差^il以及步驟幻得到的單側(cè)容許限系數(shù)K計(jì)算PCC值PCC == eKSlnD ；步驟5)、比較步驟2)得到的RDM值以及步驟4)得到的PCC值，確定元器件的類別，實(shí)現(xiàn)對(duì)元器件的分類檢測(cè)。上述技術(shù)方案中，所述輻照測(cè)試數(shù)據(jù)包括總劑量耐量、中子輻照注量、輻照敏感參數(shù)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于本發(fā)明只需要較小的樣本容量即可實(shí)現(xiàn)對(duì)元器件的檢測(cè)，檢測(cè)效率高。說(shuō)明書附1是PCC方法示意圖2是置信度C為90%時(shí)K值作為η和I^s的函數(shù)。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖
和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。本發(fā)明所要解決的問(wèn)題是如何方便、快捷地對(duì)元器件抗輻射能力做分類檢測(cè)，為此，本發(fā)明所提供的元器件分類檢測(cè)法(簡(jiǎn)稱PCC法)在給定樣本容量、置信度和可靠度的基礎(chǔ)上，基于非中心t分布的統(tǒng)計(jì)方法，計(jì)算出元器件的抗輻射測(cè)試參數(shù)的設(shè)計(jì)余量值 (RDM)與PCC值，根據(jù)兩者之間的大小關(guān)系與取值范圍來(lái)對(duì)元器件進(jìn)行分類檢測(cè)。在得到分類檢測(cè)結(jié)果后，就可以知道該元器件是否可應(yīng)用于航天器。本領(lǐng)域技術(shù)人員都知道，抗輻射測(cè)試參數(shù)根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景的不同有多種類型， 包括總劑量耐量、中子輻照注量、輻照敏感參數(shù)等，在下面的實(shí)施例中，就以相關(guān)元器件按照本發(fā)明的方法如何根據(jù)這三種參數(shù)進(jìn)行分類加以說(shuō)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員也可將本發(fā)明的方法應(yīng)用于其他類型的抗輻射測(cè)試參數(shù)。實(shí)施例1元器件總劑量耐量的PCC法以LM108放大器因電離輻射導(dǎo)致放大器輸入偏置電流的變化而失效為例，根據(jù)現(xiàn)有的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，電離輻射總劑量環(huán)境Dtl要求是150krad(Si)，在本實(shí)施例中給定樣本包括5 個(gè)試樣，這5個(gè)試樣的總劑量失效水平(即總劑量耐量)可通過(guò)相應(yīng)的測(cè)試裝置測(cè)得，其測(cè)試結(jié)果如下面的表1所示。此外，在本實(shí)施例中還需要給定置信度C和可靠度I^s，所述置信度C的大小為0. 9，所述可靠度I^s的大小為0. 99。
器件試樣iDi krad (Si)
1 2 3 4 5
Ooooo
5O O 2 5
68 5 4 3表 1第一步確定給定樣本中的元器件的參數(shù)設(shè)計(jì)余量RDM值。在計(jì)算元器件的參數(shù)設(shè)計(jì)余量RDM值時(shí)，首先要計(jì)算給定樣本中5個(gè)器件總劑量失效水平的幾何平均值5，其計(jì)算公式如下面的公式(ι)所示D = e^ =52 Ikrad(Si)( 1 )然后再計(jì)算元器件的RDM值，其計(jì)算公式為RDM = ^- = — = 3.5(2)
D0 150上述公式中的Dtl在前文中已經(jīng)給出，其大小為150krad(Si)。第二步計(jì)算器件總劑量耐量的對(duì)數(shù)標(biāo)準(zhǔn)差SlnD。在之前的表1中已經(jīng)給出了每個(gè)器件的耐量，對(duì)每個(gè)器件的耐量取對(duì)數(shù)，可得均為
權(quán)利要求
1.一種元器件分類檢測(cè)法，包括步驟1)、利用輻照測(cè)試裝置得到元器件的輻照測(cè)試數(shù)據(jù)，對(duì)這些輻照測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，得到耐量的幾何平均值5和對(duì)數(shù)標(biāo)準(zhǔn)方差Sln0 ； 步驟2)、根據(jù)所述耐量的幾何平均值計(jì)算出RDM值RDM = DfDoi其中，Dtl表示環(huán)境要求量；步驟幻、查正態(tài)分布的單側(cè)容許限表，根據(jù)給定樣本容量η、置信度C和可靠度I^s條件時(shí)的單側(cè)容許限系數(shù)K;步驟4)、根據(jù)步驟1)得到的對(duì)數(shù)標(biāo)準(zhǔn)方差Sln0以及步驟幻得到的單側(cè)容許限系數(shù)K 計(jì)算PCC值PCC==eKS'nD ；步驟5)、比較步驟2)得到的RDM值以及步驟4)得到的PCC值，確定元器件的類別，實(shí)現(xiàn)對(duì)元器件的分類檢測(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元器件分類檢測(cè)法，其特征在于，所述輻照測(cè)試數(shù)據(jù)包括總劑量耐量、中子輻照注量、輻照敏感參數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種元器件分類檢測(cè)法，包括對(duì)元器件的輻照測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，得到耐量的幾何平均值和對(duì)數(shù)標(biāo)準(zhǔn)方差SlnD；根據(jù)所述耐量的幾何平均值計(jì)算出RDM值查正態(tài)分布的單側(cè)容許限表，根據(jù)給定樣本容量n、置信度C和可靠度Ps條件時(shí)的單側(cè)容許限系數(shù)K；根據(jù)對(duì)數(shù)標(biāo)準(zhǔn)方差SlnD以及單側(cè)容許限系數(shù)K計(jì)算PCC值比較RDM值以及PCC值，確定元器件的分類。本發(fā)明只需要用較小的樣本容量即可實(shí)現(xiàn)對(duì)元器件的分類，效率有了很大的提高。
文檔編號(hào)G01R31/00GK102495302SQ20111036246
公開日2012年6月13日 申請(qǐng)日期2011年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月15日
發(fā)明者吳東, 李強(qiáng), 金歷群 申請(qǐng)人:上海衛(wèi)星工程研究所