專利名稱：Xmr角度傳感器的制作方法
XMR角度傳感器技術領域
本發明總體涉及集成電路(IC)傳感器，并且更具體涉及磁阻IC角度傳感器。
技術背景
磁阻傳感器可以包括各向異性磁阻(AMR)、巨磁阻(GMR)、隧道磁阻(TMR)和其他技術，這些技術統稱為xMR技術。XMR傳感器可以用于多種應用，尤其包括磁場和電流傳感器、速度傳感器、旋轉傳感器和角度傳感器。
AMR角度傳感器的準確度受到磁性各向異性和磁滯效應限制。關鍵影響因素是結構邊緣附近的磁域，這是由于由消磁磁場引起的形狀各向異性在邊緣附近最強。此外，與蝕刻工藝相關的邊緣處的缺陷可以充當鎖住中心(pinning center)，這些鎖住中心潛在地導致負責磁滯效應的域產生。盡管可以使用更寬的AMR條帶來減小形狀各向異性，但是這需要更大的芯片大小以及更大的信號場磁體。
然而，在GMR和TMR角度傳感器中，AMR效應是寄生的且不期望的。典型地，TMR結構需要頂部接觸和底部接觸以感應與傳感器平面垂直的電流。如果使用TMR電流在平面內 (CIP-TMR)概念，則可以使用與對于GMR傳感器相同的結構，從而獲得更高的傳感器信號。 完全補償后剩余的角誤差的主要原因是磁各向異性效應以及如前所述的AMR效應(其被認為是寄生的)。可以使用具有正交條帶長度軸的成形彎曲來抑制AMR效應。為了減小任何剩余各向異性效應，可以使條帶寬度變得更寬，從而增大芯片大小，這是不期望的并且增加成本。
因此，仍需要一種改進的xMR傳感器。 發明內容
實施例涉及xMR傳感器、傳感器元件和結構、以及方法。在一個實施例中，一種傳感器元件，包括非細長(non-elongated)xMR結構；以及在xMR結構上形成的多個接觸區， 所述多個接觸區彼此間隔開使得當在所述多個接觸區之間施加電壓時，在xMR結構中感應非均勻電流方向和電流密度分布。
在一個實施例中，一種傳感器，包括第一非細長xMR元件，具有在該第一 xMR元件上形成的多個接觸區，所述多個接觸區彼此間隔開使得當在所述多個接觸區之間施加電壓時，在該第一 xMR元件中感應局部非均勻電流方向和電流密度分布，并且該第一 xMR元件中的凈電流方向定義了第一軸；以及第二非細長xMR元件，具有在該第二 xMR元件上形成的多個接觸區，所述多個接觸區彼此間隔開使得當在所述多個接觸區之間施加電壓時，在該第二 xMR元件中感應局部非均勻電流方向和電流密度分布，并且該第二 xMR元件中的凈電流方向定義了第二軸，所述第二軸基本上相對于所述第一軸正交。
在一個實施例中，一種傳感器元件，包括非細長xMR元件；第一接觸區，形成在 xMR元件上并耦合至第一端子；第二接觸區，形成在xMR元件上，并且耦合至第二端子并沿第一接觸軸與所述第一接觸區間隔開；以及第三接觸區，形成在xMR元件上，并且耦合至所述第二端子并沿相對于所述第一接觸軸旋轉九十度的第二接觸軸與所述第一接觸區間隔開。
在一個實施例中，一種方法，包括形成xMR傳感器元件；在所述xMR傳感器元件上多個接觸區，所述多個接觸區彼此間隔且緊接于(proximate)所述xMR傳感器元件的邊緣；以及使電流在所述xMR傳感器元件中以局部非均勻電流方向和電流密度分布流動。


結合附圖考慮本發明的各個實施例的以下詳細說明，可以更徹底地理解本發明， 在附圖中圖1是根據一個實施例的XMR結構的框圖。
圖2是根據一個實施例的xMR結構的圖。
圖3是根據圖2的實施例的仿真電流方向分布的圖。
圖4是根據圖2的實施例的仿真電流密度分布的圖。
圖5是圖2的實施例的0至90度象限的相對于垂直軸的電流角度的分布直方圖。
圖6A是根據一個實施例的xMR結構的圖。
圖6B是根據一個實施例的xMR結構的圖。
圖6C是根據一個實施例的xMR結構的圖。
圖7是根據圖6的實施例的仿真電流方向分布的圖。
圖8是根據圖6的實施例的仿真電流密度分布的圖。
圖9是圖6的實施例的0至90度象限的相對于垂直軸的電流角度的分布直方圖。
圖10是根據一個實施例的xMR結構的圖。
圖11是根據圖10的實施例的仿真電流方向分布的圖。
圖12是根據圖10的實施例的仿真電流密度分布的圖。
圖13是圖10的實施例的0至90度象限的相對于垂直軸的電流角度的分布直方圖。
圖14是根據一個實施例的xMR結構的圖。
圖15是根據一個實施例的仿真電流密度分布的圖。
圖16是根據一個實施例的xMR結構的圖。
圖17是根據一個實施例的xMR結構的圖。
圖18是根據圖17的實施例的仿真電流方向分布的圖。
圖19是根據圖17的實施例的仿真電流密度分布的圖。
圖20是根據一個實施例的xMR結構的圖。
本發明可做各種修改并具有替換形式，而已經在附圖種作為示例示出了本發明的細節并將詳細描述這些細節。然而，應當理解，并不意在將本發明限于所描述的具體實施例。相反，意在覆蓋落在由所附權利要求限定的本發明的精神和范圍內的所有修改、等同替換和備選方案。
具體實施方式
實施例涉及具有含有非常低的形狀各向異性效應的xMR結構的xMR傳感器。xMR結構可以包括各向異性磁阻(AMR)、巨磁阻(GMR)或隧道磁阻(TMR)技術。在實施例中，xMR 結構可以被成形為使得其呈現正交凈電流方向，例如圓形。在其他實施例中，xMR結構可以是正方形、橢圓形、細長矩形(slightly rectangular)、八邊形、六邊形或者具有某種其他多邊配置。一般地，xMR結構是非細長的，其寬度或第一橫向尺寸不顯著大于或小于與第一橫向尺寸成近似90度的長度或第二橫向尺寸，或者其中，在實施例中，第一尺寸與第二尺寸之比小于大約1. 5。實施例還包括點電流接觸、條帶電流接觸或其他接觸以及被配置為獲得相對于凈電流的正和負角度的分布的接觸區結構。
從而，實施例使諧波濾波效應能夠得以利用。此外，在實施例中，電流密度是非均勻的并且在磁性不利的邊緣區中減小。此外，由于實施例中的接觸設計，可以修改電流分布，以實現電流方向的角度分布的變化，從而改變和調整諧波濾波效應。此外，與在整個結構寬度上具有均勻電流分布的結構相比，方塊電阻是顯著增強的，從而在相同傳感器大小下降低功耗。
不同的接觸設計可以影響電流角度和電流密度的分布。當考慮調整接觸設計時， 可以考慮AMR結構的單片集成的概念，例如在其全部內容合并于此以供參考的共同所有的 DE 10 2005 047482 Al中所公開的。參照圖1，xMR部分(這里被示作GMR)與布線金屬之間的接觸是通過AMR結構之下的導電通孔實現的。由于通孔大小在實施例中可以小至0. 4 微米(μ m)乘0. 4 μ m或者其大小可以更大(例如長通孔或條帶接觸部)，因此多種不同的接觸設計是可能的。此外，導電通孔還可以用于形成高度導電(與AMR材料相比)區從而影響電流分布。在以下更詳細討論的實施例中，接觸區包括金屬和/或至少部分是金屬。
因此，參照圖2，結合點接觸區204示出了圓形xMR元件或結構202的實施例，例如圖2的實施例中的AMR。點接觸區204可以緊接于xMR結構202的邊緣但與xMR結構 202的邊緣間隔開。在實施例中，點接觸區204可以包括用于將xMR結構202耦合至基礎 (underlying)布線金屬或其他結構的通孔。
在一個實施例中，xMR結構202的直徑是大約14 μ m，并且接觸區204的直徑是大約1 μ m或更小，但是在其他實施例中，這些和其他尺寸可以變化。例如，在實施例中，xMR 結構202的直徑可以從大約1 μ m變化至大約100 μ m或更大，例如在實施例中大約5 μπι 至大約20 μ m。盡管在圖2的實施例中xMR結構202基本上是圓形的，但是形狀可以在其他實施例中變化并且可以是例如長方形或多邊的，例如六邊形、八邊形、正方形或某種其他形狀。
當向接觸區204施加電壓時，電流方向局部變化。圖3針對xMR結構202的實施例示出了相對于由電壓梯度定義的垂直軸而得到的電流方向的仿真局部分布。圖3示意了可以如何通過以與更改xMR結構自身的幾何結構的傳統嘗試不同的方式調整接觸區204來改變結構202中的電流方向分布。
AMR效應與Sin(Ci)2成比例，其中，α是磁化與電流方向之間的角度。因此，相對于垂直軸的正和負角度是等效的，上和下半空間也是等效的。因此，僅考慮0與90度之間的角度。在所示的示例仿真中，主要電流方向沿著垂直0度軸，另一部分分布在0度與45 度之間。在接觸部204附近的一些區中，可以看到角度大于45度的更多水平方向(參照例如圖5)。在圖3中，不利用局部電流密度加權的平均電流方向被計算為相對于垂直定向大約+/-22度。
圖4示出了 xMR結構202的仿真電流密度分布。由于接觸區204的大小有限，使得電流密度在xMR結構202上是非均勻的。如圖4中可見，xMR結構202的左和右邊緣展現出與中心區相比更低的電流密度。因此，對于磁性能來說關鍵的邊緣區不完全貢獻于電傳感器信號，從而減小了角誤差。可以通過利用局部電流密度對sin ( α )2進行加權來計算電流方向的分布對AMR輸出信號的影響。根據teh數值仿真，AMR信號預計與均勻電流分布的情況相比低大約47%。另一方面，在一個實施例中電阻增大92%。通過比較，在具有均勻電流分布的條帶結構實施例中，這僅可以通過以下操作來實現將條帶寬度近似二等分， 這將進而與角誤差的顯著增大有關。在圖4中，電阻是約1.9平方(squares)。圖5中示出了對應的分布直方圖。
圖6A中示出了 xMR結構或元件602的另一實施例。XMR結構602包括2個長的條帶狀通孔接觸部604。如圖7中可見，圖6A的實施例中的仿真電流方向沿垂直軸更加對齊(aligned)，這還可見于圖8中的窄得多的電流方向分布，從而得到相對于垂直軸大約 +/-11度的平均電流角度。圖9中示出了對應的分布直方圖。
在圖6A的實施例中，AMR信號預計與均勻電流分布的情況相比低大約14%。另一方面，在一個實施例中電阻大約高出20%。
圖6B和6C中示出了其他實施例，其中，xMR結構602與圖6A的實施例至少有點類似。在圖6B中，xMR結構602包括2個條帶狀接觸部604，其中每一個包括多個間隔開的單個通孔605。對于冗余(例如，為了在特定通孔605由于例如分層而失去其接觸部的情況下確保傳感器功能)，可以如圖6C所示將通孔605置于第二條線或陣列中。只要至少一條線中的通孔605展現出xMR結構602的合適接觸部604，通孔605 —般就不影響xMR結構602 中的電流分布。在其他實施例中，接觸部604和通孔605的數目、安置和配置可以變化，例如通過相對于如圖6所示包括更多或更少通孔605或者在相對于彼此的其他布置以及xMR 結構602中。此外，本文其他位置處示出和討論的其他實施例還可以包括具有多個通孔的接觸部。
圖2和6的xMR結構202和602分別示范了不同接觸設計可以如何影響電流分布從而影響對諧波濾波效應以及比電阻的效果。未具體示出的其他實施例包括與改變點、條帶和其他接觸部和接觸區配置相結合，改變圓形或多邊xMR結構配置。改變配置和/或組合的能力使得實施例中具有多個優勢。例如，本文公開的圓形或多邊AMR結構的優勢可以包括具有較低角誤差和較低磁滯的低形狀各向異性；當與變化的接觸設計相結合時，優勢還可以包括可調整的電流方向分布和可調整的諧波濾波效應以及可調整的電流密度分布、 進一步減小的形狀各向異性效應、進一步減小的磁滯效應和增大的比電阻。
圖10中示出了另一實施例，其中，xMR結構或元件1002包括另一接觸設計。每個接觸區1004包括點接觸部1006和2個相鄰的導電和電絕緣條帶結構1008。條帶結構1008 一般是高度導電的，其電導率取決于幾何大小并且在實施例中與AMR/GMR薄膜電阻相比是其大約5倍至大約50倍高。在一個實施例中，條帶結構1008并不直接耦合至電壓。由于與xMR結構1002的AMR材料相比條帶結構1008的電導率較高，因此電場分布變化，從而產生與圖6所示的條帶接觸部實施例類似的電流方向分布。在圖10的實施例中，并且還參照圖11，平均電流方向是大約+/-17度，從而導致與均勻電流分布的情況相比，AMR信號預計為低大約3 并且比電阻高大約62%。圖12示出了 xMR結構1002的仿真電流密度分布，而圖13是相對于垂直軸的電流角度分布的直方圖。
在一個實施例中，多個xMR結構或元件串行耦合，例如圖14所示。這種配置可以在期望或需要電流方向分布的擴展的情況下實施。在圖14的實施例中，多個xMR結構1402 的串行耦合可以提供垂直軸的變化的傾角或者電壓梯度，從而可以獲得期望軸。對于有效的諧波濾波，傾角以均等的正和負值成對出現。換言之，在結構1402b的電壓梯度軸與期望軸之間形成第一角度-Φ，并且在結構1402c的電壓梯度軸與期望軸之間形成第二角度 + Φ，第一和第二角度相等但具有相反的符號。在一個實施例中，相鄰xMR結構1402的接觸部1404通過金屬連接器1406耦合，但是在實施例中，連接器1406的大小、形狀、配置和定向可以與如圖14的實施例中所示不同。
如前所述，AMR實施例中期望的AMR效應在GMR和TMR實施例中是寄生的。因此， 在這些實施例以及可能的其他實施例中，期望抑制AMR效應。在實施例中，這可以至少部分地通過與正交電流饋電相結合地實施圓形或多邊GMR和TMR結構(例如本文以上部分所討論)而實現。這提供了具有最小形狀各向異性的結構(例如圓形)，從而提供了最小角誤差。 由于傳感器層通常包括Nii^e合金，因此，GMR和TMR器件中的AMR效應造成其余的角誤差。 展現正交電流方向的GMR/TMR元件的組合將導致對AMR感應的電阻改變的消除，從而在實施例中抑制AMR效應對角度準確度的影響。
GMR或TMR器件的實施例與圖2的器件非常相似或相同，區別在于xMR結構202包括GMR或TMR結構或元件。根據實施例的仿真，接觸部204的點接觸設計產生了非均勻電流分布大部分載流子在GMR/TMR結構202的中間區中流動，這對于低各向異性誤差的輸出信號來說是有利的，這是由于邊緣區展現出不利的磁特性。實施例中的點接觸部204的配置的顯著優勢在于增強的比電阻，例如在一個實施例中幾乎加倍，這實現了在特定總電阻下的有源GMR/TMR區域的減小。圖15中示出了仿真電流密度。
為了抑制在GMR/TMR實施例中由于AMR效應引起的電阻調制，相對于彼此以及相對于電壓梯度軸正交定向的相等數目的元件、多個GMR/TMR結構可以串行耦合，例如圖16 所示。圖16示出了多個GMR/TMR結構1602，每一個包括通過連接器1606耦合的點接觸部 1604。在一個實施例中，連接器1606包括金屬連接器。
圖17中示出了另一實施例。在圖17中，GMR/TMR結構或元件1702包括多個點接觸部1704。3個接觸部1704被布置為使得一個接觸部一般置于GMR/TMR結構1702的中心處，耦合至第一端子，并且兩個接觸部位于邊緣附近，限定了 90度角并耦合至第二端子。因此，元件1700展現出彼此正交的2條平行電流通路，例如可見于圖18的仿真結果中。圖19 中示出了仿真電流密度。盡管比電阻減小，但是在一個實施例中，其仍為大約0.7平方，處于合理范圍內。圖17的實施例的優勢在于在單個元件中抑制了基于AMR效應的電阻調制。
圖20中示出了另一多元件實施例。這里，GMR/TMR結構2002保持通過GMR/TMR橋 2006與基礎通孔2010耦合。在實施例中，橋2006的寬度處于大約0. 1 μ m至大約10 μπι 的范圍內，例如大約0.5 μπι至大約2 μπι的范圍內，并且其長度處于大約0. 1 ym至大約 10 μπι的范圍內，例如大約0.5 μ m至大約2 μ m的范圍內。在其他實施例中，更多或更少GMR/TMR結構2002可以耦合，并且結構2002可以以可替換配置耦合，記住，相對于彼此以及相對于電壓梯度軸正交定向的相等數目的元件是期望的。在另一實施例中，可替換接觸配置用于縮短GMR/TMR橋2006配置，例如與如圖14所示的布線金屬相結合的單通孔接觸部。
另一實施例包括根據圖16、圖17或圖20的AMR元件。在一些應用中，可能有必要提供具有電阻的特定溫度系數的AMR電阻器，而在施加外部磁場時不表現出磁阻效應。例如，可以利用這種元件來實現惠斯通半橋。
這里已經討論了 xMR傳感器結構的各個實施例，包括AMR、GMR和/或TMR。在實施例中，這些結構可以具有各種配置(包括圓形或多邊)并與具有各種布置和配置的接觸部和接觸區(包括點、條帶、多部分等)進行組合。本領域技術人員應當理解，實施例不限于這些具體示出或討論的實施例，可以將配置和布置形成為各種其他組合。如所討論的，與更改 xMR結構自身的幾何結構的傳統方案相比，具有變化和各種的接觸部和接觸區配置的實施例實現了對基礎xMR結構中的電流方向分布的更改。
這里已經描述了系統、器件和方法的各個實施例。這些實施例僅作為示例而給出， 并不意在限制本發明的范圍。此外，應當認識到，已描述的實施例以及權利要求的各個特征可以以各種方式組合以生成許多另外的實施例。此外，盡管已經描述了各種材料、尺寸、形狀、植入位置等以供所公開的實施例使用，但是在不超出本發明的范圍的前提下可以利用除所公開的實施例以外的其他實施例。
相關領域的技術人員將意識到，本發明可以包括比上述任何個體實施例更少的特征。這里描述的實施例并不意在詳盡地呈現本發明的各個特征可進行組合的方式。相應地， 這些實施例不是特征的互斥組合；相反，本領域技術人員應當理解，本發明可以包括從不同個體實施例和/或不同權利要求中選擇的不同個體特征的組合。
參考上述文檔的任何合并被限制為使得并未合并與這里的顯式公開相反的主題。 參考上述文檔的任何合并被進一步限制為使得并未將文檔中包括的權利要求合并于此以供參考。參考上述文檔的任何合并還被進一步限制為使得并未將文檔中提供的任何限定合并于此以供參考，除非這里明確包括這種限定。
為了解釋本發明的權利要求，預期明確地不援引35 U. S. C的第112節第6段的規定，除非權利要求中記載了特定術語“用于……的裝置”或“用于……的步驟”。
權利要求
1.一種傳感器元件，包括非細長xMR結構；以及在xMR結構上形成的多個接觸區，所述多個接觸區彼此間隔開使得當在所述多個接觸區之間施加電壓時，在xMR結構中感應非均勻電流方向和電流密度分布。
2.根據權利要求1所述的傳感器元件，其中，所述多個接觸區中的每一個緊接于所述 xMR結構的邊緣。
3.根據權利要求1所述的傳感器元件，其中，在所述xMR結構的最大橫向尺寸的方向上定義第一軸，并且，與所述第一軸基本上垂直地定義第二軸，其中，所述xMR結構沿所述第一軸和所述第二軸的尺寸之比小于大約1. 5。
4.根據權利要求1所述的傳感器元件，其中，所述xMR結構具有相等的橫向尺寸。
5.根據權利要求1所述的傳感器元件，其中，所述xMR結構是旋轉對稱的。
6.根據權利要求1所述的傳感器元件，其中，所述xMR結構是多邊的，并且其中多邊 xMR結構的相鄰邊之間的交點遵循旋轉對稱。
7.根據權利要求1所述的傳感器元件，其中，所述xMR結構是多邊的，并且其中多邊 xMR結構的相鄰邊之間的交點基本上是在圓上均勻分布的。
8.根據權利要求1所述的傳感器元件，其中，所述xMR結構具有半徑。
9.根據權利要求8所述的傳感器元件，其中，所述xMR結構基本上是圓形的。
10.根據權利要求1所述的傳感器元件，還包括與所述多個接觸區中的至少一個相鄰布置的至少一個高度導電區。
11.根據權利要求1所述的傳感器元件，包括串行耦合的多個XMR結構。
12.根據權利要求11所述的傳感器元件，其中，所述傳感器元件的凈電流方向定義了期望軸，其中，所述多個xMR結構中的第一個在其軸與期望軸之間具有第一角度，并且其中所述多個xMR結構中的第二個在其軸與期望軸之間具有第二角度，所述第一角度和所述第二角度相等但具有相反的符號。
13.根據權利要求1所述的傳感器元件，其中，所述多個接觸區包括通孔。
14.根據權利要求1所述的傳感器元件，其中，所述多個接觸區包括條帶。
15.根據權利要求1所述的傳感器元件，其中，所述多個接觸區被配置為提供所述xMR 結構的與同均勻電流密度分布相關聯的電阻相比增大的電阻。
16.根據權利要求1所述的傳感器元件，其中，所述xMR結構的直徑處于大約1微米 (μ m)至大約100 μ m的范圍內。
17.根據權利要求16所述的傳感器元件，其中，所述xMR結構的直徑處于大約5μπι至大約20 μ m的范圍內。
18.一種傳感器，包括第一非細長xMR元件，具有在該第一 xMR元件上形成的多個接觸區，所述多個接觸區彼此間隔開使得當在所述多個接觸區之間施加電壓時，在第一 xMR元件中感應局部非均勻電流方向和電流密度分布，并且第一 xMR元件中的凈電流方向定義了第一軸；以及第二非細長xMR元件，具有在該第二 xMR元件上形成的多個接觸區，所述多個接觸區彼此間隔開使得當在所述多個接觸區之間施加電壓時，在第二 xMR元件中感應局部非均勻電流方向和電流密度分布，并且第二 xMR元件中的凈電流方向定義了第二軸，所述第二軸基本上相對于所述第一軸正交。
19.根據權利要求18所述的傳感器，其中，所述多個接觸區中的每一個緊接于相應xMR 結構的邊緣。
20.根據權利要求18所述的傳感器，其中，所述第一xMR元件或所述第二 xMR元件中的至少一個包括巨磁阻(GMR)元件或隧道磁阻(TMR)元件之一。
21.根據權利要求18所述的傳感器，其中，所述第一xMR元件或所述第二 xMR元件中的至少一個包括各向異性磁阻(AMR)元件，并且其中所述AMR元件對外部磁場不敏感。
22.根據權利要求18所述的傳感器，其中，所述第二xMR元件通過xMR部分而耦合至所述第一 xMR元件。
23.根據權利要求22所述的傳感器，其中，所述xMR部分的寬度處于大約0.1微米 (μ m)至大約10 μ m的范圍內，并且所述xMR部分的長度處于大約0. 1 μ m至大約10 μπι 的范圍內。
24.根據權利要求22所述的角度傳感器，還包括緊接于所述xMR部分布置的導電區。
25.根據權利要求18所述的角度傳感器，其中，所述第一xMR元件和所述第二 xMR元件耦合以形成惠斯通全橋配置或惠斯通半橋配置之一。
26.一種傳感器元件，包括非細長xMR元件；第一接觸區，形成在xMR元件上并耦合至第一端子；第二接觸區，形成在xMR元件上，并且耦合至第二端子并沿第一接觸軸與所述第一接觸區間隔開；以及第三接觸區，形成在xMR元件上，并且耦合至第二端子并沿相對于所述第一接觸軸旋轉九十度的第二接觸軸與所述第一接觸區間隔開。
27.根據權利要求沈所述的傳感器元件，其中，所述第一接觸區被布置在所述xMR元件的近似中心處，并且，所述第二接觸區和所述第三接觸區被布置為緊接于所述xMR元件的邊緣，所述第二接觸區和所述第三接觸區彼此間隔開。
28.一種方法，包括形成xMR傳感器元件；在所述xMR傳感器元件上形成多個接觸區，所述多個接觸區彼此間隔且緊接于所述 xMR傳感器元件的邊緣；以及使電流在所述xMR傳感器元件中以局部非均勻電流方向和電流密度分布流動。
全文摘要
本發明涉及XMR角度傳感器。實施例涉及XMR傳感器、傳感器元件和結構、以及方法。在一個實施例中，傳感器元件包括非細長XMR結構；以及在XMR結構上形成的多個接觸區，所述多個接觸區彼此間隔開使得當在所述多個接觸區之間施加電壓時，在XMR結構中感應非均勻電流方向和電流密度分布。
文檔編號G01B7/30GK102538659SQ20111036774
公開日2012年7月4日 申請日期2011年11月18日 優先權日2010年11月19日
發明者J.齊默 申請人:英飛凌科技股份有限公司