1.一種吸波材料輻射影響仿真方法，用于電磁兼容暗室，所述電磁兼容暗室為封閉的六面體屏蔽室，其中五個內(nèi)表面鋪設(shè)有吸波材料，其特征在于，包括以下步驟：
在所述電磁兼容暗室內(nèi)建立輻射源和接收天線；
在所述輻射源關(guān)于每個所述鋪設(shè)有吸波材料的內(nèi)表面的鏡像位置，分別建立一個等效輻射源，所述等效輻射源的強度為所述輻射源強度與所述吸波材料反射損耗的乘積；
在未鋪設(shè)吸波材料的內(nèi)表面為良導(dǎo)體、去除鋪設(shè)有吸波材料內(nèi)表面、保留等效輻射源的條件下計算所述吸收天線接收到的輻射場強度，作為仿真場強度。
2.如權(quán)利要求1所述吸波材料輻射影響仿真方法，其特征在于，還包括以下步驟：
在鋪設(shè)有吸波材料內(nèi)表面無反射的條件下計算所述吸收天線收到的輻射場強度，作為理想場強度；
計算所述理想場強度和所述仿真場強度的差值。
3.一種吸波材料輻射影響仿真系統(tǒng)，用于仿真電磁兼容暗室，所述電磁兼容暗室為封閉的六面體屏蔽室，在所述電磁兼容暗室內(nèi)有輻射源和接收天線，所述輻射源與第一內(nèi)表面的距離為X1；所述輻射源與第二內(nèi)表面的距離為X2；所述輻射源與第三內(nèi)表面的距離為Y1；所述輻射源與第四內(nèi)表面的距離為Y2；，所述輻射源與第五內(nèi)表面的距離為Z1；所述輻射源與第六內(nèi)表面的距離為Z2；以所述輻射源為直角坐標(biāo)系(x，y，z)的原點，所述第一內(nèi)表面的位置為x＝X1；所述第二內(nèi)表面的位置為x＝-X2；所述第三內(nèi)表面的位置為y＝Y(jié)1；所述第四內(nèi)表面的位置為y＝-Y2；所述第五內(nèi)表面的位置為z＝Z1；所述第六內(nèi)表面的位置為z＝-Z2；所述第一內(nèi)表面、第二內(nèi)表面、第三內(nèi)表面、第四內(nèi)表面、第五內(nèi)表面均鋪設(shè)有吸波材料；所述第六內(nèi)表面為良導(dǎo)體；其特征在于，所述仿真系統(tǒng)包含：仿真源、仿真接收天線、等效源；
所述等效源包含第一等效源、第二等效源、第三等效源、第四等效源、第五等效源；
所述仿真源，用于產(chǎn)生輻射場；所述仿真接收天線，用于接收所述輻射場；
以所述仿真源為直角坐標(biāo)系(x’，y’，z’)的原點，所述仿真接收天線相對于所述仿真源的位置，與所述接收天線相對于所述輻射源的位置相同；
所述第一等效源的位置為(2X1，0，0)，所述第一等效源的強度為所述仿真源強度與所述第一內(nèi)表面鋪設(shè)的吸波材料反射損耗的乘積；
所述第二等效源的位置為(-2X2，0，0)，所述第二等效源的強度為所述仿真源強度與所述第二內(nèi)表面鋪設(shè)的吸波材料反射損耗的乘積；
所述第三等效源的位置為(0，2Y1，0)，所述第三等效源的強度為所述仿真源強度與所述第三內(nèi)表面鋪設(shè)的吸波材料反射損耗的乘積；
所述第四等效源的位置為(0，-2Y2，0)，所述第四等效源的強度為所述仿真源強度與所述第四內(nèi)表面鋪設(shè)的吸波材料反射損耗的乘積；
所述第五等效源的位置為(0，0，2Z1)，所述第五等效源的強度為所述仿真源強度與所述第五內(nèi)表面鋪設(shè)的吸波材料反射損耗的乘積；
z’＝-Z2位置為良導(dǎo)體板。