本發明涉及一種DRAM的檢測方法，尤其是DRAM短路分析方法。

背景技術：

目前在DRAM（動態存取存儲器）產品發生短路時，運用X-射線或者研磨基板的方式進行確認短路是發生在基板上，還是芯片內部。X-射線可以透過封裝查看內部金線，但是基板通常有多層，內部金線很多，射線穿透時容易形成重疊的影像，很難清晰的看出金線是否短路，耗費時間長，效果較差。研磨基板是將基板進行研磨，一直研磨到金線上方，看基板內部金線是否短路。但是金線很細，而且基板內部有多層金線，很容易研磨過頭，造成檢測失敗，同時研磨時間長，成本高。

技術實現要素：

為解決上述問題，本發明提供一種能夠快速準確確定短路位置的DRAM短路分析方法，具體技術方案為：

DRAM短路分析方法，包含以下步驟：

步驟1，通過測試系統檢測DRAM，確定短路的區域；

步驟2，通過萬用表對步驟1中所述區域進行短路檢測，確定短路的兩個引腳；

步驟3，將步驟2中所述兩個引腳與芯片連接處的金線磨斷，再用萬用表測試兩個引腳，如果仍然發生短路則是基板內部短路，如果無短路則是芯片內部短路。

步驟2中所述短路檢測的引腳根據錫球位置圖確定兩個引腳。

通過測試系統檢測DRAM，確定短路的區域；根據錫球位置圖查看相關短路區域的引腳，再將萬用表的兩個針頭連接這兩個錫球進行測試，如果發生短路會有聲音提示。對短路區域內所有的引腳進行檢測，直到找出短路的兩個引腳。將短路的兩個引腳與芯片連接處的金線磨斷，再用萬用表測試基板上的兩個引腳，如果仍然發生短路則是基板內部短路，如果無短路則是芯片內部短路。

將萬用表調到蜂鳴檔進行短路檢測。

引腳的位置是標準的，各個引腳的作用也是固定的，因此可以根據錫球位置圖查找短路的兩個相關的引腳。引腳上焊有錫球。

是行業內的標準名稱，每個引腳都有不同的作用金線是連接芯片和基板的。

確定具體短路原因后，進行針對性分析，分析準確率高。

與現有技術相比本發明具有以下有益效果：

本發明提供的DRAM短路分析方法簡單、準確，快速確定是芯片短路還是基板上金線短路。

具體實施方式

現結合實施例對本發明作進一步說明。

DRAM短路分析方法，包含以下步驟：

步驟1，通過測試系統檢測DRAM，確定短路的區域；

步驟2，通過萬用表對步驟1中所述區域進行短路檢測，確定短路的兩個引腳；

步驟3，將步驟2中所述兩個引腳與芯片連接處的金線磨斷，再用萬用表測試兩個引腳，如果仍然發生短路則是基板內部短路，如果無短路則是芯片內部短路。

步驟2中所述短路檢測的引腳根據錫球位置圖確定兩個引腳。

通過測試系統檢測DRAM，確定短路的區域；根據錫球位置圖查看相關短路區域的引腳，再將萬用表的兩個針頭連接這兩個錫球進行測試，如果發生短路會有聲音提示。對短路區域內所有的引腳進行檢測，直到找出短路的兩個引腳。將短路的兩個引腳與芯片連接處的金線磨斷，再用萬用表測試基板上的兩個引腳，如果仍然發生短路則是基板內部短路，如果無短路則是芯片內部短路。