1.DRAM短路分析方法，其特征在于，包含以下步驟：
步驟1，通過(guò)測(cè)試系統(tǒng)檢測(cè)DRAM，確定短路的區(qū)域；
步驟2，通過(guò)萬(wàn)用表對(duì)步驟1中所述區(qū)域進(jìn)行短路檢測(cè)，確定短路的兩個(gè)引腳；
步驟3，將步驟2中所述兩個(gè)引腳與芯片連接處的金線磨斷，再用萬(wàn)用表測(cè)試兩個(gè)引腳，如果仍然發(fā)生短路則是基板內(nèi)部短路，如果無(wú)短路則是芯片內(nèi)部短路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DRAM短路分析方法，其特征在于，步驟2中所述短路檢測(cè)的引腳根據(jù)錫球位置圖確定兩個(gè)引腳。