技術特征：

技術總結
本發明提出了一種CMOS反相器MOS閾值電壓的測量方法，用于解決現有技術無法同時測量已封裝CMOS反相器內部NMOS閾值電壓和PMOS閾值電壓的技術問題，實現步驟為：直流電壓源為CMOS反相器施加直流電壓，同時信號發生器為CMOS反相器施加脈沖信號；雙通道示波器同時采集CMOS反相器的輸入電壓和輸出電壓；繪制CMOS反相器一個周期的靜態電壓傳輸曲線；計算靜態電壓傳輸曲線轉換點的增益；繪制轉換點增益直線；計算轉換點增益直線與靜態電壓傳輸曲線重合區間的端點；獲取NMOS的閾值電壓Vthn和PMOS的閾值電壓Vthp。本發明測量效率高，通用性強，可用于數字電路設計和仿真中閾值電壓的提取和分析。

技術研發人員：劉剛;李靜月;劉錦輝;李苗蕊;王泉
受保護的技術使用者：西安電子科技大學
技術研發日：2017.05.22
技術公布日：2017.10.03