本技術(shù)涉及采樣探頭，具體涉及一種氣體采樣探頭。

背景技術(shù)：

1、在工業(yè)生產(chǎn)中會(huì)產(chǎn)生較多煙氣，煙氣在排放時(shí)需要遵循相關(guān)的排放標(biāo)準(zhǔn)，因此在排放之前需要對(duì)煙氣進(jìn)行檢測(cè)，以檢測(cè)煙氣中相關(guān)污染物的濃度，總量等參數(shù)。煙氣檢測(cè)設(shè)備中的采樣探頭是非常重要的一部分，在檢測(cè)時(shí)常需要將將待檢測(cè)的氣體通過(guò)采樣探頭通入到檢測(cè)儀器內(nèi)進(jìn)行檢測(cè)。

2、目前，采樣探頭通常僅具有簡(jiǎn)單的收集過(guò)濾的功能，在氣泵的帶動(dòng)下將待檢測(cè)的氣體吸入，或者說(shuō)直接向采樣探頭內(nèi)的通入；這種探頭結(jié)構(gòu)雖然簡(jiǎn)單，但當(dāng)其檢測(cè)一些沸點(diǎn)較高的有害氣體時(shí)，氣體接觸到采樣探頭時(shí)會(huì)部分會(huì)受到冷卻，從而使得其中沸點(diǎn)較高的氣體變?yōu)橐簯B(tài)，殘留在采樣探頭的內(nèi)壁，哪怕在檢測(cè)裝置中在進(jìn)行加熱也會(huì)導(dǎo)致其含量不準(zhǔn)確，從而影響判斷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)上述的缺陷，本實(shí)用新型提供了一種氣體采樣探頭，來(lái)解決現(xiàn)有技中采樣探頭無(wú)法加熱的問(wèn)題。

2、本實(shí)用新型是使用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：一種氣體采樣探頭，包括加熱筒，所述加熱筒內(nèi)安裝有檢測(cè)進(jìn)管的一端，所述檢測(cè)進(jìn)管的另一端延伸至所述加熱筒的外側(cè)，所述加熱筒內(nèi)還安裝有返回管的一端，所述返回管的另一端延伸至所述加熱筒的外側(cè)，所述返回管與所述檢測(cè)進(jìn)管位于加熱筒內(nèi)的一端連通。

3、更進(jìn)一步的，所述檢測(cè)進(jìn)管位于所述加熱筒外的部分還安裝有第二稀釋管的一端，所述第二稀釋管的另一端連接有第二四通閥的第一端，所述第二四通閥的第二端連接有第一稀釋管的一端，所述第一稀釋管的另一端連接有稀釋模塊的一端，所述稀釋模塊的另一端連接有真空管的一端，所述真空管的另一端延伸至所述加熱筒的外側(cè)，所述稀釋模塊固定安裝在加熱筒內(nèi)。

4、更進(jìn)一步的，所述稀釋模塊遠(yuǎn)離所述第一稀釋管的一端還連接有加熱管的一端，所述加熱管的另一端延伸至所述加熱筒的外側(cè)。

5、更進(jìn)一步的，所述加熱管位于所述加熱筒內(nèi)的部分還連接有第一稀釋空氣管和第二稀釋空氣管的一端，所述第一稀釋空氣管和第二稀釋空氣管的另一端均延伸至所述加熱筒的外側(cè)。

6、更進(jìn)一步的，所述第二四通閥的第三端還安裝有反吹管，所述第一稀釋管上還安裝有反吹支管的一端，所述反吹支管的另一端與所述檢測(cè)進(jìn)管連接，所述反吹支管位于所述加熱筒內(nèi)側(cè)；所述第二稀釋管上還安裝有第一反吹閥，所述第一稀釋管上還安裝有第二反吹閥。

7、更進(jìn)一步的，所述第二四通閥的第四端還安裝有蓄能器。

8、更進(jìn)一步的，所述檢測(cè)進(jìn)管和返回管的連接處還安裝有噴射器，所述噴射器上安裝有噴射空氣管的一端，所述噴射空氣管的另一端延伸至所述加熱筒的外側(cè)。

9、更進(jìn)一步的，所述檢測(cè)進(jìn)管靠近所述返回管的一端安裝有壓差流量計(jì)。

10、更進(jìn)一步的，所述檢測(cè)進(jìn)管遠(yuǎn)離所述返回管的一端還安裝有標(biāo)氣機(jī)構(gòu)。

11、更進(jìn)一步的，所述標(biāo)氣機(jī)構(gòu)、第二稀釋管和第二標(biāo)氣管之間的檢測(cè)進(jìn)管、第二稀釋管上均安裝有電子流量計(jì)。

12、本實(shí)用新型的有益效果如下：

13、1、本裝置通過(guò)將檢測(cè)探頭的整體換為加熱筒，檢測(cè)進(jìn)管和返回管均位于加熱筒的內(nèi)部，待檢測(cè)氣體流經(jīng)加熱筒時(shí)被加熱，從而保證待檢測(cè)氣體始終保持一個(gè)氣態(tài)狀態(tài)；加熱筒為電加熱狀態(tài)，且如果檢測(cè)多種有害氣體，那加熱筒的溫度要高于沸點(diǎn)最高的氣體沸點(diǎn)溫度。

14、2、通過(guò)在檢測(cè)進(jìn)管上增加了第二稀釋管，第二稀釋管內(nèi)通入的是稀釋空氣，通過(guò)稀釋空氣的稀釋，從而防止有害氣體濃度過(guò)高導(dǎo)致的檢測(cè)數(shù)據(jù)波動(dòng)，從而影響檢測(cè)的準(zhǔn)確性；通入稀釋空氣后，只需要根據(jù)稀釋空氣和待檢測(cè)氣體按照比例通入，然后將得到數(shù)據(jù)再通過(guò)該比例還原即可。

15、3、通過(guò)蓄能器可以有效的保持管路的壓力系統(tǒng)的平衡，從而保護(hù)了本裝置的安全。

16、下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的一種氣體采樣探頭作進(jìn)一步說(shuō)明。

技術(shù)特征：

1.一種氣體采樣探頭，其特征在于，包括加熱筒（3），所述加熱筒（3）內(nèi)安裝有檢測(cè)進(jìn)管（1）的一端，所述檢測(cè)進(jìn)管（1）的另一端延伸至所述加熱筒（3）的外側(cè)，所述加熱筒（3）內(nèi)還安裝有返回管（5）的一端，所述返回管（5）的另一端延伸至所述加熱筒（3）的外側(cè)，所述返回管（5）與所述檢測(cè)進(jìn)管（1）位于加熱筒（3）內(nèi)的一端連通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體采樣探頭，其特征在于，所述檢測(cè)進(jìn)管（1）位于所述加熱筒（3）外的部分還安裝有第二稀釋管（85）的一端，所述第二稀釋管（85）的另一端連接有第二四通閥（82）的第一端，所述第二四通閥（82）的第二端連接有第一稀釋管（71）的一端，所述第一稀釋管（71）的另一端連接有稀釋模塊（7）的一端，所述稀釋模塊（7）的另一端連接有真空管（61）的一端，所述真空管（61）的另一端延伸至所述加熱筒（3）的外側(cè)，所述稀釋模塊（7）固定安裝在加熱筒（3）內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體采樣探頭，其特征在于，所述稀釋模塊（7）遠(yuǎn)離所述第一稀釋管（71）的一端還連接有加熱管（64）的一端，所述加熱管（64）的另一端延伸至所述加熱筒（3）的外側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體采樣探頭，其特征在于，所述加熱管（64）位于所述加熱筒（3）內(nèi)的部分還連接有第一稀釋空氣管（62）和第二稀釋空氣管（63）的一端，所述第一稀釋空氣管（62）和第二稀釋空氣管（63）的另一端均延伸至所述加熱筒（3）的外側(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體采樣探頭，其特征在于，所述第二四通閥（82）的第三端還安裝有反吹管（81），所述第一稀釋管（71）上還安裝有反吹支管（72）的一端，所述反吹支管（72）的另一端與所述檢測(cè)進(jìn)管（1）連接，所述反吹支管（72）位于所述加熱筒（3）內(nèi)側(cè)；所述第二稀釋管上還安裝有第一反吹閥（8），所述第一稀釋管（71）上還安裝有第二反吹閥（84）。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氣體采樣探頭，其特征在于，所述第二四通閥（82）的第四端還安裝有蓄能器（83）。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體采樣探頭，其特征在于，所述檢測(cè)進(jìn)管（1）和返回管（5）的連接處還安裝有噴射器（51），所述噴射器（51）上安裝有噴射空氣管（65）的一端，所述噴射空氣管（65）的另一端延伸至所述加熱筒（3）的外側(cè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體采樣探頭，其特征在于，所述檢測(cè)進(jìn)管（1）靠近所述返回管（5）的一端安裝有壓差流量計(jì)（4）。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體采樣探頭，其特征在于，所述檢測(cè)進(jìn)管（1）遠(yuǎn)離所述返回管（5）的一端還安裝有標(biāo)氣機(jī)構(gòu)（2）。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氣體采樣探頭，其特征在于，所述標(biāo)氣機(jī)構(gòu)（2）、第二稀釋管（85）和第二標(biāo)氣管（29）之間的檢測(cè)進(jìn)管（1）、第二稀釋管（85）上均安裝有電子流量計(jì)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及采樣探頭技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氣體采樣探頭；包括加熱筒，所述加熱筒內(nèi)安裝有檢測(cè)進(jìn)管的一端，所述檢測(cè)進(jìn)管的另一端延伸至所述加熱筒的外側(cè)，所述加熱筒內(nèi)還安裝有返回管的一端，所述返回管的另一端延伸至所述加熱筒的外側(cè)，所述返回管與所述檢測(cè)進(jìn)管位于加熱筒內(nèi)的一端連通；通過(guò)將檢測(cè)探頭的整體換為加熱筒，檢測(cè)進(jìn)管和返回管均位于加熱筒的內(nèi)部，待檢測(cè)氣體流經(jīng)加熱筒時(shí)被加熱，從而保證待檢測(cè)氣體始終保持一個(gè)氣態(tài)狀態(tài)；加熱筒為電加熱狀態(tài)，且如果檢測(cè)多種有害氣體，那加熱筒的溫度要高于沸點(diǎn)最高的氣體沸點(diǎn)溫度。

技術(shù)研發(fā)人員：韓春光,李志才,劉飛,邱晶晶
受保護(hù)的技術(shù)使用者：山東中節(jié)能天融環(huán)保技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240422
技術(shù)公布日：2025/4/28