本發(fā)明涉及顯示面板領(lǐng)域，尤其涉及一種基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著觸控技術(shù)不斷更新，新材料研發(fā)及工藝能力的不斷優(yōu)化，觸控性能(包括觸控靈敏性)得到更大程度上提高，用戶需求體驗(yàn)要求達(dá)到新的高度，各類觸控電子產(chǎn)品采用的觸控技術(shù)分為OGS/in-cell/on-cell三種主流技術(shù)，OGS因其觸控靈敏性在大尺寸上占據(jù)優(yōu)勢(shì)，on-cell/In-cell在小尺寸產(chǎn)品上有成本優(yōu)勢(shì)。針對(duì)大尺寸OGS及其他高性能要求的觸控模組，為了降低觸控模組的成本，現(xiàn)有的制作工藝中，經(jīng)常采用具有價(jià)格優(yōu)勢(shì)及低方阻特點(diǎn)的純鋁靶材，而由于旋轉(zhuǎn)靶材設(shè)備的節(jié)拍時(shí)間短，每次鍍膜的膜厚有一定的極限值，因而針對(duì)觸控模組中低方阻的金屬膜層，需要對(duì)其進(jìn)行多次鍍膜，但是將純鋁工藝應(yīng)用到觸控模組上時(shí)，采用純鋁多次鍍膜的膜質(zhì)較差，小丘出現(xiàn)的概率明顯增大，容易導(dǎo)致屏幕不良的現(xiàn)象。

綜上所述，目前現(xiàn)有的大尺寸OGS及其他高性能要求的觸控模組中，針對(duì)觸控模組中低方阻的金屬膜層，采用多次鍍膜的膜質(zhì)較差，小丘現(xiàn)象出現(xiàn)的概率明顯增大，容易導(dǎo)致屏幕不良的現(xiàn)象。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有的大尺寸OGS及其他高性能要求的觸控模組中，針對(duì)觸控模組中低方阻的金屬膜層，采用多次鍍膜的膜質(zhì)較差，小丘現(xiàn)象出現(xiàn)的概率明顯增大，容易導(dǎo)致屏幕不良現(xiàn)象的問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基板，包括襯底基板和設(shè)置在所述襯底基板上的信號(hào)線，所述信號(hào)線包括：至少兩個(gè)主膜層，以及設(shè)置在每相鄰的兩個(gè)主膜層之間的第一附加膜層；其中，

所述主膜層的導(dǎo)電率大于所述第一附加膜層的導(dǎo)電率；所述主膜層的結(jié)晶度低于所述第一附加膜層的結(jié)晶度。

本發(fā)明實(shí)施例提供的基板中的信號(hào)線由至少兩個(gè)主膜層構(gòu)成，即低方阻的信號(hào)線需要多次鍍膜時(shí)，在每相鄰的兩個(gè)主膜層之間，增加結(jié)晶度更高的第一附加膜層，可以減小待鍍的主膜層上小丘出現(xiàn)的幾率，提高屏幕的良率。

較佳的，所述信號(hào)線還包括：設(shè)置在所述信號(hào)線上靠近所述襯底基板一側(cè)的第二附加膜層；和/或，設(shè)置在所述信號(hào)線上背離所述襯底基板一側(cè)的第三附加膜層；其中，所述第二附加膜層和所述第三附加膜層為用于增加所述信號(hào)線附著力的膜層。

較佳的，所述主膜層的刻蝕速率均小于所述第一附加膜層、所述第二附加膜層和所述第三附加膜層的刻蝕速率。

較佳的，所述第二附加膜層和所述第三附加膜層的材料均與所述第一附加膜層的材料相同。

較佳的，所述第一附加膜層、所述第二附加膜層或所述第三附加膜層的材料為下列材料之一或組合：鉬、鉻或鎳。

較佳的，所述主膜層的材料為下列材料之一或組合：鋁、銀或銅。

較佳的，所述第一附加膜層的厚度為150埃-350埃。

較佳的，所述信號(hào)線的方阻小于0.2歐姆。

較佳的，所述信號(hào)線包括以下之一或組合：數(shù)據(jù)線、柵極線、電路補(bǔ)償調(diào)試線或其他連接線。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置，該顯示裝置包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一種信號(hào)線的膜層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種信號(hào)線的膜層結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，并不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

附圖中各個(gè)膜層的厚度和區(qū)域大小形狀不反映基板和信號(hào)線的真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本發(fā)明內(nèi)容。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基板，是在現(xiàn)有基板的基礎(chǔ)上，對(duì)基板上的信號(hào)線進(jìn)行重新設(shè)計(jì)優(yōu)化，改變了現(xiàn)有的信號(hào)線的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明適用于任意類型的基板，如陣列基板、對(duì)向基板或觸摸基板等。下面對(duì)其具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。

如圖1所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一種信號(hào)線的膜層結(jié)構(gòu)示意圖；本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基板，包括襯底基板和設(shè)置在襯底基板上的信號(hào)線10，信號(hào)線10包括：至少兩個(gè)主膜層101，以及設(shè)置在每相鄰的兩個(gè)主膜層之間的第一附加膜層102；其中，主膜層101的導(dǎo)電率大于第一附加膜層102的導(dǎo)電率；主膜層101的結(jié)晶度低于第一附加膜層102的結(jié)晶度。

在具體實(shí)施時(shí)，現(xiàn)有的大尺寸OGS及其他高性能要求的觸控模組中，針對(duì)觸控模組中低方阻的金屬膜層，如多層鍍膜的信號(hào)線包括至少兩個(gè)主膜層101，由于采用多次鍍膜的膜質(zhì)較差，小丘現(xiàn)象出現(xiàn)的概率明顯增大，容易導(dǎo)致屏幕不良的現(xiàn)象，因而本發(fā)明實(shí)施例在每相鄰的兩個(gè)主膜層101之間設(shè)置一個(gè)第一附加膜層102。為了保證主膜層為主要導(dǎo)電膜層，需要設(shè)置主膜層101的導(dǎo)電率遠(yuǎn)大于第一附加膜層102的導(dǎo)電率，而為了使鍍的膜層更加平整，減少小丘的出現(xiàn)，需要選取結(jié)晶度比主膜層101的結(jié)晶高的材料作為第一附加膜層102。

如圖1所示，在上下兩個(gè)主膜層101的中間，設(shè)置一個(gè)第一附加膜層102，由于第一附加膜層102的結(jié)晶度比主膜層101的結(jié)晶度要高，因而可以減小待鍍的主膜層上小丘出現(xiàn)的幾率，提高屏幕的良率。例如，采用純鋁工藝制作的信號(hào)線，可以先鍍一層鋁作為主膜層101，再在鋁層的上方鍍一層結(jié)晶度較高的鉬(即第一附加膜層102)，以增加膜層的平整性，再在鉬層的上方鍍一層鋁(即上層的主膜層101)，相比于在鋁層上直接鍍鋁的方式，可以大大減小小丘出現(xiàn)的幾率。

由于本發(fā)明主要是針對(duì)基板上信號(hào)線結(jié)構(gòu)的改進(jìn)，因而本發(fā)明實(shí)施例中的附圖都沒(méi)有畫(huà)出整個(gè)基板的結(jié)構(gòu)示意圖，因?yàn)樾盘?hào)線的具體類型、以及設(shè)置在基板上的位置等，都可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，在此可以不做限定，本發(fā)明實(shí)施例提供的信號(hào)線可以是基板上的任意需要多層鍍膜的信號(hào)線，較佳的，信號(hào)線包括以下之一或組合：數(shù)據(jù)線、柵極線、電路補(bǔ)償調(diào)試線或其他連接線。只要是設(shè)置在基板上，且需要多次鍍膜的信號(hào)線，都可以采用本發(fā)明的方法。

在具體實(shí)施時(shí)，為了增加主膜層的附著力，可以在主膜層的上下兩側(cè)分別設(shè)置一層附加膜層，如圖2所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種信號(hào)線的膜層結(jié)構(gòu)示意圖；較佳的，信號(hào)線還包括：設(shè)置在信號(hào)線上靠近襯底基板一側(cè)的第二附加膜層103；和/或，設(shè)置在信號(hào)線上背離襯底基板一側(cè)的第三附加膜層104；其中，第二附加膜層103和第三附加膜層104為用于增加信號(hào)線附著力的膜層。

進(jìn)一步的，針對(duì)如圖2所示的信號(hào)線，中間的第一附加膜層除了能夠減少主膜層出現(xiàn)小丘的幾率外，還可以改善在設(shè)置第二附加膜層103和第三附加膜層104之后，進(jìn)行各個(gè)膜層的刻蝕時(shí)，底層金屬過(guò)度刻蝕的問(wèn)題。

較佳的，主膜層的刻蝕速率均小于第一附加膜層、第二附加膜層和第三附加膜層的刻蝕速率。由于組成信號(hào)線的各個(gè)膜層中，主膜層的刻蝕速率最小，即增加的第一附加膜層的刻蝕速率比主膜層大，因而在進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中，第一附加膜層會(huì)比主膜層更快的刻蝕，增加了刻蝕液與主膜層接觸的面積，進(jìn)而提高了主膜層的刻蝕速度。

例如，鉬-鋁-鋁-鉬或鉬-鋁-鋁-鉬-氧化鉬的結(jié)構(gòu)，由于鉬的刻蝕速率比鋁要大，因而在刻蝕時(shí)，鉬刻蝕速率較快，而鋁被刻蝕的較慢，進(jìn)而會(huì)出現(xiàn)底層金屬過(guò)度刻蝕的問(wèn)題；本發(fā)明實(shí)施例提供的信號(hào)線，是在現(xiàn)有的信號(hào)線結(jié)構(gòu)的主膜層之間增加第一附加膜層，如將現(xiàn)有結(jié)構(gòu)改善為鉬-鋁-鉬-鋁-鉬或鉬-鋁-鉬-鋁-鉬-氧化鉬的結(jié)構(gòu)，由于在兩層刻蝕速率較慢的鋁之間增加了一層刻蝕速率較快的鉬，因而可以提高主膜層的刻蝕速度，減少底層金屬被過(guò)度刻蝕的現(xiàn)象。

雖然增加第一附加膜層可以改善主膜層出現(xiàn)小丘現(xiàn)象的幾率，以及改善底層金屬被過(guò)度刻蝕的問(wèn)題，但增加的第一附加膜層的厚度也需要根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，不能過(guò)厚，較佳的，第一附加膜層的厚度為150埃-350埃。優(yōu)選的，第一附加膜層的厚度為350埃。由于第一附加膜層厚度太厚時(shí)，刻蝕的速度太快，因而可以設(shè)置在150埃-350埃，而設(shè)置在150埃-350埃時(shí)，改善小丘現(xiàn)象和底層金屬過(guò)度刻蝕的效果最佳。

針對(duì)上述第一附加膜層、第二附加膜層和第三附加膜層的材料，可以根據(jù)需要進(jìn)行選取，較佳的，第二附加膜層和第三附加膜層的材料均與第一附加膜層的材料相同。

在具體實(shí)施時(shí)，可以使第一附加膜層、第二附加膜層和第三附加膜層的材料相同，例如，全都采用鉬，也可以根據(jù)需要選取不同的材料，較佳的，第一附加膜層、第二附加膜層或第三附加膜層的材料為下列材料之一或組合：鉬、鉻或鎳。只要是保證，第一附加膜層、第二附加膜層和第三附加膜層的刻蝕速率比主膜層的刻蝕速率大，且導(dǎo)電率小即可。

而針對(duì)主膜層，只要是能夠用于制作金屬信號(hào)線的材料均可，例如用于制作柵極線和/或數(shù)據(jù)線的材料等，在此可以不做限定，較佳的，主膜層的材料為下列材料之一或組合：鋁、銀或銅。

由于本發(fā)明要解決的減少小丘現(xiàn)象，以及底層金屬過(guò)度刻蝕的問(wèn)題，都是針對(duì)兩次或者多次鍍膜、且膜層較厚的金屬層，因而可以根據(jù)需要選擇信號(hào)線方阻較小的，較佳的，信號(hào)線的方阻小于0.2歐姆。由于方阻大于0.2歐姆的金屬膜層，一般厚度都較薄，采用本發(fā)明的方法改善效果不明顯，因而一般適用于方阻小于0.2歐姆的信號(hào)線。

在具體實(shí)施時(shí)，上述信號(hào)線可以通過(guò)任意鍍膜方法進(jìn)行鍍膜，較佳的，可以采用利用率較高的旋轉(zhuǎn)靶材進(jìn)行制作，同時(shí)，由于旋轉(zhuǎn)靶材的節(jié)拍時(shí)間較短，因而鍍膜的厚度有一定極限值，需要采用多次鍍膜的方式，本發(fā)明實(shí)施例提供的信號(hào)線，可以在鍍膜過(guò)程中設(shè)置附加膜層。

基于同一構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例中還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括本發(fā)明實(shí)施例中提供的上述任一基板。由于該顯示裝置解決問(wèn)題的原理與本發(fā)明實(shí)施例一種基板相似，因此該顯示裝置的實(shí)施可以參見(jiàn)基板的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的基板中的信號(hào)線由至少兩個(gè)主膜層構(gòu)成，即低方阻的信號(hào)線需要多次鍍膜時(shí)，在每相鄰的兩個(gè)主膜層之間，增加結(jié)晶度更高的第一附加膜層，可以減小待鍍的主膜層上小丘出現(xiàn)的幾率，提高屏幕的良率。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。