本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術：

隨著顯示技術的發展，有機發光二極管(英文：organiclightemittingdiode；簡稱：oled)作為一種電流型發光器件，因其所具有的自發光、快速響應、寬視角等特點而越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。

相關技術中，oled的顯示基板一般包括形成在襯底基板上的薄膜晶體管(英文：thinfilmtransistor，簡稱：tft)、陽極、發光層和陰極，該oled顯示基板中的tft一般采用頂柵結構。但由于頂柵結構的tft中，柵極形成在有源層遠離襯底基板的一側，為了避免該有源層受環境光照射影響tft的性能，需要在該有源層靠近襯底基板的一側沉積一層金屬材料作為遮擋層。

但是，由于金屬材料形成的遮擋層會導致tft寄生電容的增大，因此該遮擋層的面積一般較小，遮光效果也較差。

技術實現要素：

為了解決相關技術中的遮擋層遮光效果較差的問題，本發明提供了一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置。所述技術方案如下：

第一方面，提供了一種顯示基板，所述顯示基板包括：

襯底基板，設置在所述襯底基板上的遮擋層，以及設置在所述遮擋層遠離所述襯底基板一側的頂柵薄膜晶體管；

所述遮擋層包括交疊設置的多個子遮擋層，任意兩個相鄰的子遮擋層由不同的非金屬材料形成，且每個所述子遮擋層在所述襯底基板上的正投影與所述顯示基板中任一像素單元的開口區域不重疊。

可選的，所述顯示基板還包括：設置在所述頂柵薄膜晶體管遠離所述襯底基板一側的電致發光單元；

每個所述子遮擋層在所述襯底基板上的正投影與所述電致發光單元中像素定義層在所述襯底基板上的正投影重合。

可選的，每個所述子遮擋層遠離所述襯底基板且與其他子遮擋層接觸的一面設置有溝壑。

可選的，所述多個子遮擋層包括至少一個第一子遮擋層和至少一個第二子遮擋層；

每個所述第一子遮擋層由絕緣材料形成，每個所述第二子遮擋層由半導體材料形成。

可選的，每個所述第二子遮擋層的厚度大于每個所述第一子遮擋層的厚度，且所述遮擋層中與所述頂柵薄膜晶體管接觸的為第二子遮擋層。

第二方面，提供了一種顯示基板的制造方法，所述方法包括：

提供一襯底基板；

采用非金屬材料在所述襯底基板上形成多個子遮擋層，所述多個子遮擋層形成為遮擋層，其中，任意兩個相鄰的子遮擋層采用不同的非金屬材料形成，且每個所述子遮擋層在所述襯底基板上的正投影與所述顯示基板中任一像素單元的開口區域不重疊；

在形成有所述遮擋層的襯底基板上形成頂柵薄膜晶體管。

可選的，所述方法還包括：

在形成有所述頂柵薄膜晶體管的所述襯底基板上形成電致發光單元；

每個所述子遮擋層與所述電致發光單元中的像素定義層采用同一個掩膜板形成。

可選的，每個所述子遮擋層遠離所述襯底基板且與其他子遮擋層接觸的一面形成有溝壑。

可選的，所述采用非金屬材料在所述襯底基板上形成多個子遮擋層，包括：

采用絕緣材料形成至少一個第一子遮擋層；

采用半導體材料形成至少一個第二子遮擋層，其中，所述第二子遮擋層與所述第一子遮擋層交替形成。

第三方面，提供了一種顯示裝置，所述裝置包括：

如第一方面所述的顯示基板。

本發明提供的技術方案帶來的有益效果是：

本發明提供了一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置，該顯示基板中的遮擋層包括交疊設置的多個子遮擋層，相鄰子遮擋層由不同的非金屬材料形成，因此該各個子遮擋層可以有效吸收和遮擋環境光。此外，由于每個子遮擋層均是由非金屬材料形成的，不會使薄膜晶體管產生寄生電容，因此該遮擋層的面積可以設置的較大，能夠在不增加晶體管寄生電容的前提下，進一步改善遮擋層的遮光效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發明實施例提供的一種顯示基板的結構示意圖；

圖2是本發明實施例提供的另一種顯示基板的結構示意圖；

圖3是本發明實施例提供的一種顯示基板及其各組件的俯視圖；

圖4是本發明實施例提供的一種遮擋層的示意圖；

圖5是本發明實施例提供的一種子遮擋層與有源層交界面附近的能帶結構示意圖；

圖6是本發明實施例提供的一種顯示基板的制造方法流程圖。

具體實施方式

為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步地詳細描述。

圖1是本發明實施例提供的一種顯示基板的結構示意圖，參考圖1，該顯示基板可以包括：

襯底基板10，設置在該襯底基板上的遮擋層20，以及設置在該遮擋層20遠離該襯底基板10一側的頂柵薄膜晶體管30。

該遮擋層20可以包括交疊設置的多個子遮擋層，任意兩個相鄰的子遮擋層由不同的非金屬材料形成，且每個該子遮擋層在該襯底基板上的正投影與該顯示基板中任一像素單元的開口區域不重疊。其中，該開口區域是指像素單元的有效顯示區域，每個子遮擋層在襯底基板上的正投影與該開口區域不重疊，可以避免對像素單元開口率的大小造成影響。

示例的，圖1所示的遮擋層20包括四個交疊設置的子遮擋層：子遮擋層21至子遮擋層24。其中子遮擋層21和23采用一種非金屬材料(例如二氧化硅)形成，子遮擋層22和24采用另一種非金屬材料(例如非晶硅)形成。

綜上所述，本發明實施例提供的顯示基板中，遮擋層包括交疊設置的多個子遮擋層，相鄰子遮擋層由不同的非金屬材料形成，由于不同金屬材料對環境光的折射率不同，因此該各個子遮擋層可以有效吸收和遮擋環境光。此外，由于每個子遮擋層均是由非金屬材料形成的，不會使薄膜晶體管產生寄生電容，因此該遮擋層的面積可以設置的較大，能夠在不增加晶體管寄生電容的前提下，進一步改善遮擋層的遮光效果。

需要說明的是，在本發明實施例中，該多個子遮擋層中，至少一個子遮擋層所采用的非金屬材料應當具有遮光或者吸光的特性。例如，可以采用不透明的非金屬材料形成。

圖2是本發明實施例提供的另一種顯示基板的結構示意圖，參考圖2，該顯示基板還可以包括：設置在該頂柵薄膜晶體30管遠離該襯底基板10一側的電致發光單元40；每個該子遮擋層在該襯底基板上的正投影與該電致發光單元40中像素定義層(pixeldefininglayer，pdl)在該襯底基板上的正投影重合。也即是，在形成該遮擋層時，可以采用用于形成像素定義層的掩膜板形成該遮擋層中的每個子遮擋層，由此可以避免制造過程中額外增加掩膜板，降低了顯示基板的制造成本。

圖3是本發明實施例提供的一種顯示基板及其各組件的俯視圖，從圖3中可以看出，該顯示基板00中，遮擋層20的形狀與像素定義層401的形狀完全相同，即遮擋層20幾乎完全覆蓋了每個像素單元的非開口區域。由于該遮擋層20的覆蓋面積較大，因此可以有效遮擋環境光，避免頂柵薄膜晶體管的性能受到光照的影響。

此外，從圖3中還可以看出，頂柵薄膜晶體管具體可以包括有源層301、柵極302和源漏極303。該電致發光單元具體可以包括陽極層402、像素定義層401、發光層(圖3中未示出)和陰極層(圖3中未示出)。參考圖3，該遮擋層20的覆蓋面積遠大于有源層301，因此可以有效遮擋射入至有源層301的環境光。

圖4是本發明實施例提供的一種遮擋層的示意圖，參考圖4，每個子遮擋層遠離襯底基板10且與其他子遮擋層接觸的一面可以設置有較多溝壑。示例的，如圖4所示，該遮擋層20共包括四個子遮擋層21至24，其中子遮擋層21、子遮擋層22和子遮擋層23遠離襯底基板10的一面均設置有較多溝壑210，由于子遮擋層24遠離襯底基板10的一面與頂柵薄膜晶體管中的有源層301接觸，因此該子遮擋層24遠離襯底基板10的一面可以無需設置溝壑。

其中，每個子遮擋層上的溝壑210可以通過干刻或者等離子體刻蝕等粗糙處理技術形成。該溝壑使得相鄰子遮擋層的交界面較為粗糙，該粗糙的交界面能夠有效反射入射的環境光。

可選的，該多個子遮擋層可以包括至少一個第一子遮擋層和至少一個第二子遮擋層；其中，每個第一子遮擋層由絕緣材料形成，每個第二子遮擋層由半導體材料形成。

示例的，如圖4所示的四個子遮擋層21至24中，可以包括兩個第一子遮擋層：子遮擋層21和23，以及兩個第二子遮擋層：子遮擋層22和24。該第一子遮擋層21和23可以是由二氧化硅形成的，該第二子遮擋層22和24可以是由非晶硅形成的。

需要說明的是，在本發明實施例中，該第一子遮擋層和第二子遮擋層也可以由兩種不同類型的半導體材料形成，或者也可以由兩種不同類型的絕緣材料形成，本發明實施例對此不做具體限定。

進一步的，每個第二子遮擋層的厚度大于每個第一子遮擋層的厚度，且該遮擋層20中與該頂柵薄膜晶體管接觸的為第二子遮擋層。由于第二子遮擋層是由半導體材料形成的，該半導體材料形成的第二子遮擋層吸收環境光的效果較好，因此可以將該第二子遮擋層的厚度設置的較厚，并可以將該遮擋層20的最頂層(即遠離襯底基板10的一側)設置為該第二子遮擋層，以保證有效吸收可能射入至有源層301的光線。

示例的，從圖4可以看出，由非晶硅形成的子遮擋層22和24的厚度較厚，而由二氧化硅形成的子遮擋層21和22的厚度較薄，且與該有源層301接觸的為第二子遮擋層24。環境光從襯底基板10遠離遮擋層20的一側射入后，部分光線可以被子遮擋層21和22粗糙的交界面反射出去，未被反射的光線進入子遮擋層22后會被進一步吸收，之后剩余的光線會在子遮擋層22和23粗糙的交界面被進一步反射，經過多次反射和吸收之后，入射至有源層301的光線會顯著減少，從而可以有效降低環境光對頂柵薄膜晶體管性能的影響。

圖5是本發明實施例提供的一種子遮擋層與有源層交界面附近的能帶結構示意圖，假設該頂柵薄膜晶體管中的有源層由銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)形成，與該有源層接觸的子遮擋層由非晶硅(a-si)形成。圖5中分別示出了a-si形成的子遮擋層和igzo形成的有源層的能帶結構，其中，ef為費米能級，ec為導帶底能量，ev為價帶頂能量。子遮擋層與有源層的界面處由于存在禁帶寬度和費米能級的差異，可以形成如圖5所示的電子勢壘qψbi，該電子勢壘使得頂柵薄膜晶體管的背界面(即有源層靠近襯底基板的一面)難以形成電子溝道，因此緩沖層(一般設置于遮擋層和有源層之間)或者背界面處的工藝不會影響到頂柵薄膜晶體管的性能。

綜上所述，本發明實施例提供的顯示基板中，遮擋層包括交疊設置的多個子遮擋層，相鄰子遮擋層由不同的非金屬材料形成，因此該各個子遮擋層可以有效吸收和遮擋環境光。此外，由于每個子遮擋層均是由非金屬材料形成的，不會使薄膜晶體管產生寄生電容，因此該遮擋層的面積可以設置的較大，能夠在不增加晶體管寄生電容的前提下，進一步改善遮擋層的遮光效果。此外，采用非金屬材料形成的遮擋層，使得有源層靠近襯底基板的一面難以形成電子溝道，從而有效降低了頂柵薄膜晶體管閾值電壓偏負的概率，保證了頂柵薄膜晶體管的性能。

圖6是本發明實施例提供的一種顯示基板的制造方法流程圖，參考圖6，該方法可以包括：

步驟101、提供一襯底基板。

步驟102、采用非金屬材料在該襯底基板上形成多個子遮擋層，該多個子遮擋層形成為遮擋層，其中，任意兩個相鄰的子遮擋層采用不同的非金屬材料形成，且每個該子遮擋層在該襯底基板上的正投影與該顯示基板中任一像素單元的開口區域不重疊。

步驟103、在形成有該遮擋層的襯底基板上形成頂柵薄膜晶體管。

綜上所述，本發明實施例提供了一種顯示基板的制造方法，通過該方法制造的顯示基板中，遮擋層包括交疊設置的多個子遮擋層，相鄰子遮擋層由不同的非金屬材料形成，因此該各個子遮擋層可以有效吸收和遮擋環境光。此外，由于每個子遮擋層均是由非金屬材料形成的，不會使薄膜晶體管產生寄生電容，因此該遮擋層的面積可以設置的較大，能夠在不增加晶體管寄生電容的前提下，進一步改善遮擋層的遮光效果。

進一步的，參考圖6，在上述步驟103之后，該方法還可以包括：

步驟104、在形成有該頂柵薄膜晶體管的該襯底基板上形成電致發光單元。

每個子遮擋層與該電致發光單元中的像素定義層可以采用同一個掩膜板形成，從而可以避免制造過程中額外增加新的掩膜板，有效降低了制造成本。

可選的，在上述步驟102中，每形成完一個子遮擋層之后，在形成下一個子遮擋層之前，還可以對該子遮擋層的表面進行粗糙處理，例如圖4所示，可以通過干刻或者等離子刻蝕等方法形成多個溝壑210，從而提高相鄰兩個子遮擋層交界面處的粗糙度，進而提高該交界面反射環境光的效果。

可選的，上述步驟102中，采用非金屬材料在該襯底基板上形成多個子遮擋層的過程具體可以包括：

采用絕緣材料形成至少一個第一子遮擋層；采用半導體材料形成至少一個第二子遮擋層，其中該第二子遮擋層與該第一子遮擋層交替形成。也即是，可以在襯底基板10上交替沉積絕緣材料和半導體材料，從而形成至少一個第一子遮擋層和至少一個第二子遮擋層。

綜上所述，本發明實施例提供了一種顯示基板的制造方法，通過該方法制造的顯示基板中，遮擋層包括交疊設置的多個子遮擋層，相鄰子遮擋層由不同的非金屬材料形成，因此該各個子遮擋層可以有效吸收和遮擋環境光。此外，由于每個子遮擋層均是由非金屬材料形成的，不會使薄膜晶體管產生寄生電容，因此該遮擋層的面積可以設置的較大，能夠在不增加晶體管寄生電容的前提下，進一步改善遮擋層的遮光效果。此外，采用非金屬材料形成的遮擋層，使得有源層靠近襯底基板的一面難以形成電子溝道，從而有效降低了頂柵薄膜晶體管閾值電壓偏負的概率，保證了頂柵薄膜晶體管的性能。

本發明實施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置可以包如圖1至圖3任一所示的顯示基板，該顯示基板中可以包括圖4所示的遮擋層。本發明實施例提供的顯示裝置可以為：液晶面板、電子紙、oled面板、amoled面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。

以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。