技術(shù)特征：

1.一種電磁器件分析中電磁-熱-應(yīng)力三場(chǎng)耦合的去耦合計(jì)算方法，其特征在于包括以下步驟：根據(jù)電磁波傳播原理與阻抗邊界條件建立電磁波在金屬微波器件內(nèi)壁的微波電磁損耗模型，通過微波電磁損耗模型將電磁場(chǎng)和力場(chǎng)之間去耦合，使得電磁場(chǎng)通過溫度場(chǎng)間接與力場(chǎng)耦合，進(jìn)而對(duì)力場(chǎng)分布計(jì)算。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁器件分析中電磁-熱-應(yīng)力三場(chǎng)耦合的去耦合計(jì)算方法，其特征在于：所述的平面波入射到金屬微波器件，在金屬微波器件的內(nèi)部形成電磁場(chǎng)分布并產(chǎn)生熱量，先計(jì)算獲得金屬內(nèi)壁產(chǎn)生的熱損耗分布，熱損耗包括電阻性損耗和磁性損耗，根據(jù)熱損耗分布進(jìn)行求解得到溫度場(chǎng)分布，根據(jù)溫度場(chǎng)分布計(jì)算獲得熱應(yīng)變分布，獲得去耦合計(jì)算結(jié)果。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁器件分析中電磁-熱-應(yīng)力三場(chǎng)耦合的去耦合計(jì)算方法，其特征在于：在所述平面波入射到金屬微波器件采用以下方式計(jì)算獲得去耦合計(jì)算結(jié)果：

第一，先通過電場(chǎng)形式下具有附加邊界條件的波動(dòng)方程獲得金屬微波器件內(nèi)的電場(chǎng)分布，接著利用麥克斯韋方程組以及本構(gòu)關(guān)系計(jì)算出電位移、磁感應(yīng)強(qiáng)度、磁場(chǎng)強(qiáng)度和自由電流密度物理量，從而獲得電磁場(chǎng)分布情況；

第二，采用以下公式計(jì)算獲得電阻性損耗Q_rh與磁性損耗Q_ml：

$Q_{rh}=\frac{1}{2}\mathrm{Re}(\stackrel{\→}{J}\·{\stackrel{\→}{E}}^{*})$

$Q_{ml}=\frac{1}{2}\mathrm{Re}(j\mathrm{\ω}\stackrel{\→}{B}\·{\stackrel{\→}{H}}^{*})$

其中，Re表示實(shí)部，j表示虛數(shù)單位，ω表示角頻率，和分別為磁感應(yīng)強(qiáng)度矢量和磁場(chǎng)強(qiáng)度矢量，為電場(chǎng)強(qiáng)度矢量，為自由電流密度矢量；

將電阻性損耗Q_rh與磁性損耗Q_ml相加作為熱源的大小，代入以下熱傳導(dǎo)方程求解獲得問題，進(jìn)而得到溫度場(chǎng)分布：

${\mathrm{\ρC}}_{\mathrm{\ρ}}\frac{\∂T}{\∂t}=-(\▿\·\stackrel{\→}{q})+Q$

$\stackrel{\→}{q}=-k\▿T$

其中，ρ為密度，C_ρ為恒壓下的熱容，為傳導(dǎo)熱通量，k為熱導(dǎo)率，Q為熱損耗；

第三，采用以下公式表示的線彈性力學(xué)方程計(jì)算得到熱應(yīng)變?chǔ)?sub>inel，進(jìn)而得到熱應(yīng)變分布：

ε_inel＝α(T-T_ref)

其中，α為熱膨脹系數(shù)，T_ref表示金屬微波器件的原始溫度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁器件分析中電磁-熱-應(yīng)力三場(chǎng)耦合的去耦合計(jì)算方法，其特征在于：所述金屬微波器件包括波導(dǎo)法蘭、同軸連接器等。