本發明屬于液晶顯示技術領域，尤其涉及一種In-Cell觸控面板及其制造方法。

背景技術：

隨著移動終端的發展，觸控面板的使用范圍越來越廣，In-Cell觸控是目前最前沿的一類觸控技術，In-Cell觸控面板更加輕薄，顯示也更加清晰，In-Cell觸控主要分為互容和自容兩大類，但是幾乎所有現有的技術方案都需要在原來非觸控的制成上新增觸控層，以實現觸控的功能，新增加的制成改變了原有的工藝，工程師不僅要解決設計原理上的問題，更要調試新的工藝，由此來看，良率更加難以保證。

圖1為現有自容式In-Cell觸控面板的剖視圖，自容式In-Cell觸控面板包括：柵極101、覆蓋柵極101的柵極絕緣層102、位于柵極絕緣層102上的半導體層103、位于半導體層103上的刻蝕阻擋層104、位于刻蝕阻擋層104上且均與該半導體層103接觸的源漏極105、覆蓋在源漏極105上的絕緣層106、覆蓋在該絕緣層106上的JAS層107、位于JAS層107上的透明共通電極108、覆蓋該透明共通電極108的觸控絕緣層109、位于該觸控絕緣層109上且與透明共通電極108接觸的觸控信號線110、位于觸控信號線110上的像素絕緣膜111、以及位于像素絕緣膜111上且與漏極連接的透明像素電極112。

現有自容式In-Cell觸控面板由于有一層額外的觸控信號線110，為了降低觸控信號線110與數據線之間的寄生電容，因此將觸控信號線110放置在JAS層107以上，數據線放置在JAS層107以下，如此觸控信號線110與透明像素電極112同在JAS層107的上方，中間只有一層像素絕緣膜111隔開，現有自容式In-Cell觸控面板導致觸控的某一區塊接收觸控信號時，其他觸控區塊的干擾較大，噪聲會引起誤檢測。

現有自容式In-Cell觸控面板的觸控信號線放置在JAS以下，透明共通電極放置在JAS層以上，降低電容效果明顯，但是工藝較復雜，良率較低。

技術實現要素：

本發明的目的在于提供一種減少了一層觸控層與一層絕緣層、制造工藝簡單的In-Cell觸控面板及其制造方法。

本發明提供一種一種In-Cell觸控面板，包括多個像素單元，每個像素單元包括至少3個子像素單元，像素單元包括柵線、與該柵線縱橫交錯的數據線，還包括位于像素單元外且與數據線平行的觸控數據線，該觸控數據線與數據線同時形成，該觸控數據線位于相鄰兩個像素單元之間，該觸控數據線與所述柵線縱橫交錯。

優選地，像素單元還包括金屬氧化物半導體層、位于金屬氧化半導體層上的刻蝕阻擋層、以及與金屬氧化物接觸的源極和漏極。

優選地，金屬氧化物半導體層為銦鎵鋅氧化物。

優選地，像素單元還包括位于源極和漏極上的JAS層。

優選地，像素單元還包括位于JAS層上且與觸控數據線電性連接的透明共通電極。

優選地，所述In-Cell觸控面板的顯示模式為FFS。

本發明還提供一種In-Cell觸控面板的制造方法，包括如下步驟：

第一步：第一金屬線形成柵線；

第二步：在柵線上形成柵極絕緣層；

第三步：在柵極絕緣層上形成金屬氧化物半導體層；

第四步：在金屬氧化物半導體層上形成蝕刻阻擋層；

第五步：第二金屬線形成與金屬氧化物半導體層接觸的源極和漏極、與柵線縱橫交錯的數據線、以及相鄰兩個像素單元之間的觸控數據線；

第六步：形成位于第二金屬上的第一絕緣膜；

第七步：形成位于第一絕緣膜上的JAS層；

第八步：在觸控數據線上設置第一開孔；

第九步：形成位于JAS層上的透明共通電極、且透明共通電極通過第一開孔與觸控數據線接觸；

第十步：形成位于透明共通電極上的第二絕緣膜；

第十一步：在漏極上開設第二開孔；

第十二步：形成位于第二絕緣膜上的像素電極、且像素電極通過第二開孔與漏極電性連接。

優選地，所述金屬氧化物半導體層為銦鎵鋅氧化物。

優選地，所述JAS層為有機絕緣膜。

本發明自容式In-Cell觸控面板采用IGZO工藝，顯示模式為FFS；本發明采用數據線所在金屬層制作觸控數據線，減少了一層觸控層與一層絕緣層，制造工藝簡單，與現有技術相比成本降低，良率提高。

附圖說明

圖1為現有自容式In-Cell觸控面板的剖視圖；

圖2為本發明自容式In-Cell觸控面板的單個像素單元的結構示意圖；

圖3為本發明自容式In-Cell觸控面板的一個觸控區域的結構示意圖；

圖4為本發明自容式In-Cell觸控面板的剖視圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例，進一步闡明本發明，應理解這些實施例僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍，在閱讀了本發明之后，本領域技術人員對本發明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權利要求所限定的范圍。

圖2為本發明自容式In-Cell觸控面板的單個像素單元的結構示意圖，其顯示模式為FFS，In-Cell觸控面板內設有多個像素單元100，每個像素單元100包括第一子像素單元10、第二子像素單元20和第三子像素單元30，像素單元100包括橫向的柵線1、與該柵線1縱橫交錯的第一數據線21、第二數據線22、第三數據線23、以及第四數據線24，第一數據線21、第二數據線22、以及第三數據線23依序設置且相互平行。

在本實施例中，每個像素單元100包括三個子像素單元，在其他實施例中，也可以包括四個子像素單元。

第一子像素單元10由柵線1與第一數據線21交錯設置，第二子像素單元20由柵線1與第二數據線22交錯設置，第三子像素單元30由柵線1與第三數據線23交錯設置，第一子像素單元10內設有均與柵線1和第一數據線21連接的第一TFT開關31，第二子像素單元20內設有均與柵線1和第二數據線22連接的第二TFT開關32，第三子像素單元30內設有均與柵線1和第三數據線23連接的第三TFT開關33。

自容式In-Cell觸控面板還包括位于像素單元100外且與第一數據線21平行的觸控數據線41，該觸控數據線41位于相鄰兩個像素單元100之間，該觸控數據線41與柵線1縱橫交錯。

該觸控數據線41不用于數據線的信號傳輸，專門用于觸控信號傳輸，即作為觸控信號線。觸控數據線41上設有第一開孔303，通過第一開孔303與透明共通電極304連接。

像素單元還包括金屬氧化物半導體層12、位于金屬氧化半導體層12上的刻蝕阻擋層13、與金屬氧化物接觸的源極201和漏極202、位于源極201和漏極202上的JAS層302、以及位于JAS層302上且與觸控數據線41電性連接的透明共通電極304。

其中，源極201、漏極202、數據線203、和觸控數據線41均由同一金屬層形成的；金屬氧化物半導體層12為銦鎵鋅氧化物。

圖3為一個觸控區域的表面結構示意圖。即：位于相鄰同一排的像素單元100之間設有一個觸控數據線41。

圖4為本發明自容式In-Cell觸控面板的剖視圖，本自容式In-Cell觸控面板包括如下制作步驟：

第一步：第一金屬線形成柵線1；

第二步：在柵線1上形成柵極絕緣層11；

第三步：在柵極絕緣層11上形成金屬氧化物半導體層12；

第四步：在金屬氧化物半導體層12上形成蝕刻阻擋層13；

第五步：第二金屬線形成與金屬氧化物半導體層12接觸的源極201和漏極202、與柵線1縱橫交錯的數據線203、以及相鄰兩個像素單元100之間的觸控數據線41；

第六步：形成位于第二金屬上的第一絕緣膜301；

第七步：形成位于第一絕緣膜301上的JAS層302；

第八步：在觸控數據線41上設置第一開孔303；

第九步：形成位于JAS層302上的透明共通電極304、且透明共通電極304通過第一開孔303與觸控數據線41接觸；

第十步：形成位于透明共通電極304上的第二絕緣膜305；

第十一步：在漏極202上開設第二開孔306；

第十二步：形成位于第二絕緣膜305上的像素電極307、且像素電極307通過第二開孔306與漏極202電性連接。

金屬氧化物半導體層12為銦鎵鋅三種金屬氧化物半導體層，即IGZO。

數據線41包括第一數據線21、第二數據線22、第三數據線23、以及第四數據線24。

JAS層為有機絕緣膜。

本發明觸控數據線41和透明共通電極304均放置在JAS層302上，即在現有非觸控IGZO FFS制成上只增加了一條與源漏極同一層的金屬線，工藝簡單，成本降低，良率提高顯著。

每一個像素單元的觸控數據線和柵線有一重疊區域，由于采用IGZO工藝，與a-Si工藝相比增加一層刻蝕阻擋層，因此觸控數據線和柵線之間的寄生電容較小；觸控數據線與透明共通電極分別放置在JAS層的下層與上層，當某一區域在接收信號時，其他區域因為寄生電容產生的噪聲降低，觸控靈敏度提高；觸控數據線分布在每個像素單元的邊緣，與數據線平行放置；在數控數據線上設計JAS層與絕緣層的開孔，按照區塊的分布邏輯連接至相應區塊的透明共通電極；本發明可以降低每一幀的信號頻率，在顯示時間不變的情況下增加觸控感應的時間，提升觸控效果。

本發明自容式In-Cell觸控面板，為一種簡單的制成實現了觸控功能，并且在不影響顯示和觸控效果的情況下能夠成功的實現觸控面板的制造；本發明基于IGZO工藝開發出的自容式In-Cell觸控面板，IGZO較傳統a-Si有更低的Ioff，運用IGZO制程的觸控面板可以延長一幀的畫面時間，在延長的holding時間內IGZO面板不會對畫質產生影響，而增加的時間能夠用于觸控感應,因此觸控效果更佳；由于不改變傳統的IGZO工藝，因此利用該設計生產觸控面板具有更高的良率，更低的成本。

本發明自容式In-Cell觸控面板采用IGZO工藝，顯示模式為FFS；本發明采用數據線所在金屬層制作觸控數據線，減少了一層觸控層與一層絕緣層，制造工藝簡單，與現有技術相比成本降低，良率提高。