本發(fā)明涉及存儲介質(zhì)的重讀糾錯領域，特別涉及一種存儲介質(zhì)異步重讀糾錯方法。

背景技術：

1、相關技術中，隨著閃存密度的逐漸提升，閃存的可靠性有所下降，最關鍵的可靠性就是用戶數(shù)據(jù)的完整性和正確性。閃存讀操作的最小單位是page，目前主流的ldpc引擎的編解碼最小單位是碼字，1個碼字占用的空間大小是4k字節(jié)，所以1個page中可以存儲多個碼字，當對某個page進行讀操作，然后該page中包含的某個碼字發(fā)生ecc錯誤時，常用的解決辦法就是通過閃存廠商提供的指定命令，結合特性分析提供的數(shù)據(jù)，更改閃存的閾值電壓偏移后，再對該page重讀一次，直至ecc正確或者所有糾錯手段全部用完，即讀對或者發(fā)生不可糾正的ecc錯誤為止。

2、目前市面上大多數(shù)多ce產(chǎn)品的重讀都是采用同步糾錯機制，即某個ce的某筆讀操作發(fā)生ecc錯誤后，會中斷或暫停其它所有ce正在執(zhí)行的操作，直至該發(fā)生ecc錯誤的page糾錯完畢，這種糾錯流程雖然簡單，但是犧牲了多ce可并行操作的優(yōu)勢，當多個ce同時發(fā)生ecc錯誤時，同步糾錯機制會對所有發(fā)生ecc錯誤的page逐個使用single?read命令進行重讀。每一次的single?read命令都需要等待rb信號從busy轉成ready以后，才被允許從閃存中取數(shù)據(jù)，這段等待時間通常為30us～60us。所以，在同步糾錯機制中，每一次重讀都會有部分時間消耗在等待rb?ready上。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一。為此，本發(fā)明提出一種存儲介質(zhì)異步重讀糾錯方法，能夠使得在多ce閃存固件設備中，各ce的重讀流程相對獨立，減少相互之間的影響，提高ecc糾錯效率和速度。

2、根據(jù)本發(fā)明實施例的一種存儲介質(zhì)異步重讀糾錯方法，應用于具有多個ce的閃存設備，所述存儲介質(zhì)異步重讀糾錯方法包括：

3、獲取所述閃存設備的ecc結果；

4、根據(jù)所述ecc結果，確定發(fā)生ecc錯誤、需要重讀的物理頁，并更新第一數(shù)組、第二數(shù)組、第一變量、多個第一隊列和第三數(shù)組；所述第一數(shù)組用于記錄所有需要重讀的物理頁的信息，所述第一變量用于記錄所有需要重讀的物理頁的總數(shù)，每個所述ce具有對應的所述第一隊列，所述第一隊列用于記錄對應的所述ce需要重讀的物理頁，所述第二數(shù)組用于記錄每個所述ce需要重讀的物理頁的總數(shù)；所述第三數(shù)組用于記錄每個所述第一隊列的末尾節(jié)點；

5、根據(jù)所述ecc結果，創(chuàng)建重讀任務；

6、根據(jù)所述重讀任務，遍歷所有所述ce的所述第一隊列，根據(jù)遍歷結果，更新第四數(shù)組；所述第四數(shù)組用于記錄每個所述第一隊列正在重讀的物理頁；

7、確定每個所述ce的閾值電壓偏移，根據(jù)所述閾值電壓偏移對所述第四數(shù)組的物理頁進行重讀；

8、重讀操作結束后，更新所述第一變量和所述第二數(shù)組，并返回所述根據(jù)所述重讀任務，遍歷所有所述ce的所述第一隊列，根據(jù)遍歷結果，更新第四數(shù)組的步驟，直至所有重讀操作執(zhí)行完畢。

9、根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，所述根據(jù)所述ecc結果，創(chuàng)建重讀任務，包括：

10、根據(jù)所述ecc結果，確定需要重讀的所述ce，創(chuàng)建重讀任務；

11、等待當前系統(tǒng)中所有對所述閃存設備的操作執(zhí)行完畢，在下一次處理任務的循環(huán)中優(yōu)先進入重讀流程。

12、根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，所述更新第一數(shù)組、第二數(shù)組、第一變量、多個第一隊列和第三數(shù)組，包括：

13、從所述第一數(shù)組中選取第一元素，將所述ce中所述ecc錯誤對應的碼字信息保存到所述第一元素中；

14、將所述第一隊列的末位元素的下一節(jié)點指針，指向所述第一元素；

15、將所述ce在所述第三數(shù)組中對應的值更新為所述第一元素的指針；

16、所述第一變量的數(shù)值加一；

17、所述第二數(shù)組中，與當前所述ce對應的元素數(shù)值加一。

18、根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，所述根據(jù)所述重讀任務，遍歷所有所述ce的所述第一隊列，根據(jù)遍歷結果，更新第四數(shù)組，包括：

19、根據(jù)所述第一變量的數(shù)值，判定是否繼續(xù)執(zhí)行重讀；

20、若判定為繼續(xù)執(zhí)行重讀，則遍歷所有所述ce的所述第一隊列，當所述第一隊列中存在等待重讀的物理頁時，根據(jù)所述第四數(shù)組，判斷對應的所述ce中是否存在正在重讀的任務；

21、若對應的所述ce中不存在正在重讀的任務，則將所述等待重讀任務的物理頁信息記錄在所述第四數(shù)組中。

22、根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，所述確定每個所述ce的閾值電壓偏移，根據(jù)所述閾值電壓偏移對所述第四數(shù)組的物理頁進行重讀，包括：

23、從第五數(shù)組中，獲取對應的所述ce上一次重讀操作糾錯成功的所述閾值電壓偏移；所述第五數(shù)組用于記錄每個所述ce上一次重讀操作糾錯成功的閾值電壓偏移，在閾值電壓偏移數(shù)組中的索引；

24、若所述閾值電壓偏移為默認偏移，則所述第四數(shù)組的物理頁從第一組所述閾值電壓偏移開始重讀；

25、若所述閾值電壓偏移為非默認偏移，則第四數(shù)組的物理頁從當前組所述閾值電壓偏移開始重讀，若重讀失敗，則從第一組所述閾值電壓偏移開始重讀。

26、根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，所述確定每個所述ce的閾值電壓偏移，根據(jù)所述閾值電壓偏移對所述第四數(shù)組的物理頁進行重讀，還包括：

27、若對應的所述ce中存在正在重讀的任務，則判斷所述正在重讀的閾值電壓偏移是否為所述正在重讀的物理頁中的最后一組；

28、若所述正在重讀的閾值電壓偏移為所述正在重讀的物理頁中的最后一組，則更新所述第四數(shù)組、所述第一變量和所述第二數(shù)組；

29、若對應的所述ce的閾值電壓偏移不為最后一組，則選擇下一組閾值電壓偏移。

30、根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，所述重讀操作結束后，更新所述第一變量和所述第二數(shù)組，并返回所述根據(jù)所述重讀任務，遍歷所有所述ce的所述第一隊列，根據(jù)遍歷結果，更新第四數(shù)組的步驟，直至所有重讀操作執(zhí)行完畢，包括：

31、若對應的所述ce不為最后一個ce，則返回步驟：遍歷所有所述ce的所述第一隊列，當所述第一隊列中存在等待重讀的物理頁時，根據(jù)所述第四數(shù)組，判斷對應的所述ce中是否存在正在重讀的任務；

32、若對應的所述ce為最后一個ce，則等待所有所述ce重讀操作結束，檢查重讀后產(chǎn)生的所述ecc結果，根據(jù)所述ecc結果更新所述第四數(shù)組、所述第一變量和所述第二數(shù)組，返回步驟：根據(jù)所述第一變量的數(shù)值，判定是否繼續(xù)執(zhí)行重讀。

33、根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，所述根據(jù)所述ecc結果更新所述第四數(shù)組、所述第一變量和所述第二數(shù)組，包括：

34、若所述ce的所述ecc結果為ok，則表示對應的所述ce的重讀操作成功，清空所述ce在所述第四數(shù)組中的元素、所述第一變量的數(shù)值減一、所述ce在所述第二數(shù)組中的元素的數(shù)值減一。

35、根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，所述碼字信息包括：物理地址、數(shù)據(jù)buffer地址及所述ecc結果的buffer地址。

36、根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，所述根據(jù)所述第一變量的數(shù)值，判定是否繼續(xù)執(zhí)行重讀，包括：

37、若所述第一變量的數(shù)值不為零，則判定為繼續(xù)執(zhí)行重讀；

38、若所述第一變量的數(shù)值為零，則結束重讀。

39、根據(jù)本發(fā)明實施例的存儲介質(zhì)異步重讀糾錯方法，至少具有如下有益效果：通過根據(jù)閃存設備的ecc結果來確定閃存設備的各ce中，需要進行的重讀的物理頁的信息來創(chuàng)建重讀任務以及更新重讀任務所需的變量，從而實現(xiàn)閃存設備重讀流程的精準化、高效化；通過對每個ce分別進行各自相互獨立的變量的更新，并且根據(jù)每個ce的閾值電壓偏移分別進行不同種類的物理頁重讀操作，從而實現(xiàn)在閃存設備重讀時，各ce之間的完全獨立重讀操作，使得在多ce的閃存設備中，在進行重讀時各ce的重讀流程相對獨立，減少相互之間的影響，更好地發(fā)揮多ce并行操作的優(yōu)勢，減少了等待準備信號的時間，從而提高了ecc糾錯效率、加快了糾錯速度，大大提高了固件整體的糾錯性能。

40、本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。