專利名稱：發光體、發光元件和發光顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及發光元件技術，尤其涉及能提供下述發光元件結構的發光體、發光元件和發光顯示裝置這種發光元件結構可實現大開口率；可省略發光元件的密封；對于在形成透明電極后破壞真空并移到其他成膜裝置中后可形成保護層的膜面發光型發光元件，能確保長時間的元件發光壽命。
背景技術：
通常，作為在顯示裝置中使用的自發光體，有場致發射元件和電致發光(EL)元件。其中，EL元件分為將有機材料作為發光層的有機EL元件和將無機材料作為發光層的無機EL元件。
有機EL元件由陽極、陰極、夾在這些陽極和陰極的2種電極之間的有機發光性化合物所組成的超薄膜有機EL層組成。在陽極-陰極間施加電壓時，空穴、電子分別從陽極、陰極注入有機EL層并再次耦合，通過這時產生的能量激發構成有機EL層的有機發光性化合物的分子。這樣受到激發的分子在基礎狀態下失活的過程中產生發光現象。有機EL元件是利用這種發光現象的發光體。
有機EL層具有至少包含一個下述有機層的單層結構或多層結構空穴和電子再次耦合后發光的稱為發光層的有機層，空穴容易注入且電子難以移動的稱為空穴傳輸層的有機層，以及電子容易注入且空穴難以移動的稱為電子傳輸層的有機層。
近年來，有機EL元件得到廣泛研究并且進入實用化。有機EL元件是具有以下基本結構的元件通過在銦錫氧化物(ITO)等透明電極(空穴注入電極即陽極)上蒸鍍三苯基二胺(TPD)等空穴注入材料而形成薄膜，而且將喹啉醇鋁絡合物(Alq3)等熒光物質作為發光層疊積，形成AgMg等功函數小的金屬電極(電子注入電極即陰極)，以10V左右的外加電壓從數百到數萬cd/m2時獲得高亮度，因此，作為家電產品和汽車、自行車、飛機等的電裝品、顯示器等而引起注意。
這種有機EL元件例如具有這樣的結構發光層等的有機層由作為電子注入電極的掃描(公共線)電極、作為空穴注入電極(透明電極)的數據(段線)電極夾持，并且形成在透明(玻璃)基板上。而且，因為是作為顯示器來形成的，所以通過配置成矩陣狀的掃描電極和數據電極進行點顯示，區分為將圖像和字符等信息作為這些點(像素)的集合體來顯示的矩陣顯示和作為預先確定了形狀、大小的顯示器來顯示獨立存在的東西的段式顯示。
段式顯示時，有使各顯示器可分別獨立顯示的靜態驅動方式，但在矩陣顯示時，通常采用分時驅動各掃描線和數據線的動態驅動方式。
作為構成有機EL元件發光部分的發光體，分為基板面發光型，用透明基板/透明電極/發光層/金屬電極這種構成，在發光層中產生的光透過透明電極和透明基板發出；膜面發光型，用基板/金屬電極/發光層/透明電極這種構成，在發光層中產生的光透過透明電極、從和基板表面相反側的膜表面側發出。
對于基板面發光型的元件，例如在應用物理雜志第51卷、913-915頁(1987)(Appl.Phys.Lett.，51，913-915(1987))中記載。
對于膜面發光型的元件，例如在應用物理雜志第65卷、2636-2638頁(1994)(Appl.Phys.Lett.，65，2636-2638(1994))中記載。
但是，上述基板面發光型因為從基板表面側發光，所以在基板表面和發光面之間插入驅動電路和布線等不透明物質時，產生遮光及開口率和亮度下降的問題。而且，因為易腐蝕的金屬電極和發光層涉及到透明電極，因此在金屬電極形成后不破壞真空就不能密封元件時，存在發光特性變差這樣的問題。關于發光體的密封技術，例如在特開平8-124677號公報中記載。
另一方面，上述膜面發光型即使在基板表面和發光面之間插入驅動電路和布線，開口率也不降低。而且，因為易腐蝕的金屬電極和發光層位于透明電極和基板之間，所以通過選擇發光層和透明電極圖形的大小和位置關系，即使愛透明電極成膜后破壞真空，發光特性也不會立刻變差；要么省略發光元件的密封，可在透明電極形成后一旦破壞真空并移到其他成膜裝置中后形成保護層。
為了解決這些問題，本發明的目的是提供一種能提供下述發光元件結構的發光體、發光元件和發光顯示裝置這種發光元件結構可實現大開口率；可省略發光元件的密封；對于在形成透明電極后破壞真空并移到其他成膜裝置中后可形成保護層的膜面發光型發光元件，能確保長時間的元件發光壽命。

發明內容
例如，本發明的第1發明要點是發光體，在基板上形成下電極圖形，在下電極圖形上形成發光層圖形，在發光層圖形上形成透明電極，其特征在于，透明電極圖形比下電極圖形大。
本發明的第2發明要點是發光體，在基板上形成下電極圖形，在下電極圖形上形成發光層圖形，在發光層圖形上形成透明電極，其特征在于，在下電極圖形的全部區域上形成透明電極圖形。
本發明的第3發明要點是發光體，在基板上形成下電極圖形，在下電極圖形上形成發光層圖形，在發光層圖形上形成透明電極，其特征在于，透明電極圖形比發光層圖形大。
本發明的第4發明要點是發光體，在基板上形成下電極圖形，在下電極圖形上形成發光層圖形，在發光層圖形上形成透明電極，其特征在于，在發光層圖形的全部區域上形成透明電極圖形。
本發明的第5發明要點是第1至第4任一項發明中記載的發光體，其特征在于，上述透明電極、上述發光層和上述下電極組成的元件部分是電致發光元件。
本發明的第6發明要點是第5發明中記載的發光體，其特征在于，上述電致發光元件具有有機薄膜通過外加電流來發光的結構。
本發明的第7發明要點是第5或第6發明中記載的發光體，其特征在于，在上述透明電極和上述發光層之間形成空穴注入層。
本發明的第8發明要點是第5至第7任一項發明中記載的發光體，其特征在于，在上述透明電極和上述發光層之間形成電子傳輸層。
本發明的第9發明要點是第8發明中記載的發光體，在兼作上述電子傳輸層的狀態下獨立地形成多個。
本發明的第10發明要點是第5或第6發明中記載的發光體，其特征在于，由上述基板上形成的下電極層、下電極層上形成的電子傳輸層、兼作電子傳輸層上形成的空穴注入層的發光層、以及發光層上形成的金屬電極層組成。
本發明的第11發明要點是第7或第10發明中記載的發光體，其特征在于，在兼作空穴注入層的狀態下獨立地形成多個。
本發明的第12發明要點是第5或第6發明中記載的發光體，其特征在于，由在導光體端面上形成的透明電極層、在透明電極層上形成的、兼作空穴注入層和電子傳輸層的發光層、以及在發光層上形成的金屬電極層組成。
本發明的第13發明要點是第1至第12任一項發明中記載的發光體，其特征在于，在兼作上述透明電極層的狀態下獨立地形成多個。
本發明的第14發明要點是第1至第13任一項發明中記載的發光體，其特征在于，由在平面上并列配置的至少3個獨立的發光體組成，第一發光體或發光體群以紅色區域的波長發光，第二發光體或發光體群以綠色區域的波長發光，第三發光體或發光體群以藍色區域的波長發光。
本發明的第15發明要點是第14發明記載的發光體，其特征在于，具有可使紅色區域、綠色區域和藍色區域的波長同時發光的結構。
本發明的第16發明要點是第1至第13任一項發明中記載的發光體，其特征在于，多個獨立地并列配置在平面上，分別以藍色區域的光、紅色區域的光和綠色區域的光的混合色發光。
本發明的第17發明要點是發光元件，其特征在于，由具備第6至第16任一項發明中記載的發光體的元件部分和與該元件部分電氣連接的用于向該元件部分施加電流的電流施加元件組成。
本發明的第18發明要點是第17發明中記載的發光元件，其特征在于，上述電流施加元件由柵極、漏極和源極組成的薄膜晶體管構成，上述透明電極或上述下電極中的一個與漏極或源極中的一個連接。
本發明的第19發明要點是第17或18發明中記載的發光元件，其特征在于，包含開關元件，與上述電流施加元件連接，選擇該電流施加元件是否在上述透明電極、上述發光層和上述下電極組成的上述元件部分中流過電流。
本發明的第20發明要點是第19發明中記載的發光元件，其特征在于，上述開關元件至少包含一個晶體管，該開關元件中所包含的晶體管的漏極連接上述電流施加元件中所包含的晶體管的柵極。
本發明的第21發明要點是第19或20發明中記載的發光元件，其特征在于，包含開關元件，與上述電流施加元件連接，選擇該電流施加元件是否在上述透明電極、上述發光層和上述下電極組成的上述元件部分中流過電流；還包含用于為該電流施加元件提供電流的布線和用于向該開關元件施加開/關電壓信息的布線。
本發明的第22發明要點是發光顯示裝置，其特征在于，包含多個第21發明中記載的發光元件，將用于向上述電流施加元件提供電流的布線、用于向上述開關元件施加開/關電壓信息的布線和用于向該電流施加元件提供電流的布線配置成矩陣狀。
本發明的第23發明要點是第22發明中記載的發光顯示裝置，其特征在于，配置在一個方向上的布線和配置在另一個方向上的布線的夾角大致垂直。
附圖的簡單說明

圖1A是表示根據本發明一個實施例的發光體的截面結構示意圖；圖1B是其俯視圖，圖2A是表示根據本發明一個實施例的發光體的截面結構示意圖；圖2B是其俯視圖，圖3A是表示根據本發明一個實施例的發光體的截面結構示意圖；圖3B是其俯視圖，圖4A是表示根據本發明一個實施例的發光體的截面結構示意圖；圖4B是其俯視圖，圖5A是表示根據本發明一個實施例的發光體的截面結構示意圖；圖5B是其俯視圖，圖6A是表示根據本發明一個實施例的發光體的截面結構示意圖；圖6B是其俯視圖，圖7A是表示根據本發明一個實施例的發光體的截面結構示意圖；圖7B是其俯視圖，圖8A是表示根據本發明一個實施例的發光體的截面結構示意圖；圖8B是其俯視圖，圖9A是表示根據本發明一個實施例的發光體的截面結構示意圖；圖9B是其俯視圖，圖10A至圖10D示出了可適用于本發明的發光體層疊結構的一個實施例，圖11A至圖11D示出了可適用于本發明的發光體層疊結構的一個實施例，圖12A至圖12D示出了可適用于本發明的發光體層疊結構的一個實施例，圖13A至圖13D示出了可適用于本發明的發光體層疊結構的一個實施例，圖14是根據本發明一個實施例的發光元件的示意圖；圖15是表示根據本發明一個實施例的發光元件排列的平面示意圖；圖16是表示根據本發明一個實施例的發光體和布線關系的平面示意圖；圖17是表示根據本發明一個實施例的發光體和布線關系的平面示意圖；圖18是表示根據本發明一個實施例的發光體和布線關系的平面示意圖；圖19是表示根據本發明一個實施例的發光體、布線和電氣連接關系的平面示意圖；圖20是表示根據本發明一個實施例的發光體、布線和電氣連接關系的平面示意圖；圖21是表示根據本發明一個實施例的發光體、布線和電氣連接關系的平面示意圖；圖22是表示根據本發明一個實施例的發光體、布線和電氣連接關系的平面示意圖；圖23是表示根據本發明一個實施例的發光體、布線和電氣連接關系的平面示意圖；圖24是表示根據本發明一個實施例的發光體、布線和電氣連接關系的平面示意圖；圖25是表示根據本發明一個實施例的發光元件排列的截面示意圖；圖26是表示根據本發明一個實施例的發光元件排列的截面示意圖；圖27是表示根據本發明一個實施例的發光元件排列的截面示意圖；圖28是表示根據本發明一個實施例的發光元件排列的截面示意圖；
圖29是表示根據本發明一個實施例的發光元件排列的截面示意圖；圖30是表示根據本發明一個實施例的發光元件排列的截面示意圖；圖31是表示根據本發明一個實施例的發光元件排列的截面示意圖；圖32是表示根據本發明一個實施例的發光元件結構的截面示意圖；圖33是表示根據本發明一個實施例的發光元件結構的截面示意圖；圖34是表示根據本發明一個實施例的發光元件結構的截面示意圖；圖35是表示根據本發明一個實施例的發光元件結構的頂面示意圖；圖36是表示根據本發明一個實施例的發光元件的第1制作步驟的截面示意圖；圖37是表示根據本發明一個實施例的發光元件的第2制作步驟的截面示意圖；圖38是表示根據本發明一個實施例的發光元件的第3制作步驟的截面示意圖；圖39是表示根據本發明一個實施例的發光元件的第4制作步驟的截面示意圖；圖40是表示根據本發明一個實施例的發光元件的第5制作步驟的截面示意圖；圖41是表示根據本發明一個實施例的發光元件的第6制作步驟的截面示意圖；圖42是表示根據本發明一個實施例的發光元件的第7制作步驟的截面示意圖；圖43是表示根據本發明一個實施例的發光元件的第8制作步驟的截面示意圖；
圖44是表示根據本發明一個實施例的發光元件的第9制作步驟的截面示意圖；圖45是表示根據本發明一個實施例的發光元件的第10制作步驟的截面示意圖；圖46是表示根據本發明一個實施例的發光元件的第11制作步驟的截面示意圖；圖47是表示根據本發明一個實施例的發光元件的第12制作步驟的截面示意圖；圖48是表示根據本發明一個實施例的一例發光元件的結構的頂面示意圖。
發明的最佳實施例實施例1以下，根據附圖詳細說明本發明的實施例1。圖1A是本發明發光體14的截面示意圖，圖1B是俯視示意圖。基板1是形成發光體14的物體，包含基板或在基板上形成膜和元件(下同)。在基板1上形成下電極2a的圖形。在下電極2a上形成發光材料層3a的圖形。發光材料層3a是至少包含發光層(例如，后述的發光層7)的部分，最好在發光層之外還包含電子傳輸層(后述的電子傳輸層6)和空穴注入層(后述的空穴注入層8)(下同)。
發光材料層3a的圖形比下電極2a的圖形大，覆蓋下電極2a圖形的全部區域。即，發光材料層3a的圖形端部3b在全部區域中位于下電極2a的圖形端部2b的外側。在發光材料層3a的圖形上部形成透明電極4a。圖1A中，透明電極4a示出了未圖形化的，這意味著在圖示范圍內要將圖形圖形化，圖形很大。
在本實施例的元件結構中，在下電極2a和發光材料層3a的全部區域上，形成不易腐蝕且透濕性小的透明電極4a。因此，即使破壞真空而使本實施例元件結構的發光體14暴露在空氣中，也能由下電極2a和發光材料層3a遮擋空氣中包含的水分和氧氣，可防止下電極2a和發光材料層3a的腐蝕。
在本實施例中，在透明電極4a上可設置保護層(后述第10至第13圖中所示的保護層16)，用于更強地將下電極2a和發光材料層3a與空氣中的水和氧氣隔離。
實施例2以下，基于附圖詳細說明本發明的實施例2。而且，和上述實施例相同的部分用相同的標號表示，重復說明從略。圖2A表示本發明發光體14的截面示意圖，圖2B是俯視示意圖。在基板1上形成下電極2a的圖形。在下電極2a上形成發光材料層3a的圖形。發光材料層3a的圖形比下電極2a的圖形大，覆蓋下電極2a圖形的全部區域。圖2A中，發光材料層3a示出了未圖形化的，這意味著在圖示范圍內要將圖形圖形化，圖形很大。在發光材料層3a上形成透明電極4a的圖形。透明電極4a的圖形比發光材料層3a的圖形小，但比下電極2a的圖形大。而且，下電極2a圖形的全部區域由透明電極4a的圖形覆蓋。即，在全部區域內，下電極2a的圖形端部2b位于透明電極4a的圖形端部4b的內側。
在本實施例的元件結構中，在下電極2a的圖形和發光材料層3a的全部區域上形成不易腐蝕且透濕性小的透明電極4a。這里，所謂發光材料層3a指發光材料層3a中由下電極2a的圖形和透明電極4a夾持、通過在下電極2a和透明電極4a之間施加電壓來發光的部分。這時，在發光材料層3a中連接下電極2a的部分中基本一致。本實施例的元件結構的發光體14即使破壞真空而暴露在空氣中，也能由下電極2a遮擋包含在空氣中的水分和氧氣，可防止下電極2a的腐蝕。
本實施例的元件結構是不需要發光材料層3a完全覆蓋下電極2a又被透明電極4a的圖形所覆蓋那樣精密地圖形化，因此，和圖1A及圖1B所示結構相比，制造容易，可降低制造成本。但是，發光材料層3a中未被透明電極4a的圖形覆蓋的部分不能遮擋氧氣和水。這個區域遠離發光材料層3a，是與發光沒有直接關系的區域。但是，該區域被腐蝕變成了引發點而產生發光材料層3a的剝離，給發光特性帶來影響。為了使用本實施例的元件結構，最好在發光層中使用不易被水和氧氣腐蝕的材料。
在本實施例中，示出了在全部發光材料層3a的圖形上形成透明電極4a的圖形的情況，但也包含其一部分是形成在發光材料層3a圖形之外的情況。
在本實施例的元件結構中，在透明電極4a上可設置強有力地將下電極2a和發光材料層3a與空氣中的水和氧氣隔開的保護層(后述第10至第13圖中所示的保護層16)。
實施例3以下，基于附圖詳細說明本發明的實施例3。而且，和上述實施例相同的部分用相同的標號表示，重復說明從略。圖3A表示本發明發光體14的截面示意圖，圖3B是俯視示意圖。在基板1上形成下電極2a的圖形。在下電極2a上形成發光材料層3a的圖形。這里，示出了在全部下電極2a的圖形上形成發光材料層3a圖形的情況。形成絕緣層5a，使得絕緣層5a的圖形端部5b接著發光材料層3a的端部3b。形成透明電極4a的圖形，使其完全覆蓋在發光材料層3a的圖形上。
在本實施例的元件結構中，在下電極2a圖形的全部區域上形成透明電極4a或絕緣層5a。在發光材料層3a的全部區域上形成透明電極4a。因此，本實施例的元件結構的發光體14即使暴露在空氣中，也能利用透明電極4a和絕緣層5a使下電極2a和發光材料層3a與空氣中包含的水分和氧氣隔離，可防止下電極2a和發光材料層3a的腐蝕。
本實施例的元件結構是在絕緣層5a中嵌入下電極2a和發光材料層3a的結構，因此可使元件上表面比較平坦。而且，可由透明電極4a和絕緣層5a全部覆蓋發光材料層3a的圖形和下電極2a的圖形，對氧氣和水的耐腐蝕性好。但是，因為需要使用絕緣層5a，所以需要多出1個工序，這部分會使制造成本上升。
在本實施例的元件結構中，在透明電極4a上可設置強有力地將下電極2a和發光材料層3a與空氣中的水和氧氣隔開的保護層(后述第10至第13圖中所示的保護層16)。
實施例4以下，基于附圖詳細說明本發明的實施例4。而且，和上述實施例相同的部分用相同的標號表示，重復說明從略。圖4A和圖4B所示的元件結構是圖3A和圖3B所示元件結構的變形例，元件結構變成絕緣層5a的圖形端部5b搭在發光材料層3a的圖形上。通過設置絕緣層5a和發光材料層3a的重疊部分，可減少由于制造誤差而在下電極2a的圖形和透明電極4a的圖形之間產生漏電流。但是，由于絕緣層5a和發光材料層3a的重疊部分的存在，和上述實施例3(圖)相比，元件上面的平坦性變差。
在本實施例的元件結構中，在透明電極4a上可設置強有力地將下電極2a和發光材料層3a與空氣中的水和氧氣隔開的保護層(后述第10至第13圖中所示的保護層16)。
實施例5以下，基于附圖詳細說明本發明的實施例5。而且，和上述實施例相同的部分用相同的標號表示，重復說明從略。圖5A表示本發明發光體14的截面示意圖，圖5B是俯視示意圖。在基板1上形成下電極2a的圖形。在下電極2a上形成發光材料層3a的圖形。發光材料層3a的圖形覆蓋下電極2a的圖形的全部區域。在其上形成為透明電極4a的圖形完全覆蓋下電極2a圖形的全部區域。在發光材料層3a上形成絕緣層5a，使得絕緣層5a的圖形端部5b接著透明電極4a的圖形端部4b。盡管本實施例未示出，但絕緣層5a形成為完全覆蓋發光材料層3a中未被透明電極4a覆蓋的部分。
在本實施例的元件結構中，在下電極2a圖形的全部區域上形成透明電極4a。在發光材料層3a的全部區域上形成透明電極4a。因此，本實施例的元件結構的發光體14即使暴露在空氣中，也能利用透明電極4a和絕緣層5a使下電極2a和發光材料層3a與空氣中包含的水分和氧氣隔離，可防止下電極2a和發光材料層3a的腐蝕。
因為本實施例的元件結構是在絕緣層5a中嵌入透明電極4a的圖形，因此可使元件上表面比較平坦。而且，可由透明電極4a和絕緣層5a全部覆蓋發光材料層3a的圖形和下電極2a的圖形，因此，對氧氣和水的耐腐蝕性好。但是，因為需要使用絕緣層5a，所以需要多出1個工序，這部分會使制造成本上升。
本實施例的元件結構中，在透明電極4a上可設置強有力地將下電極2a和發光材料層3a與空氣中的水和氧氣隔開的保護層(后述第10至第13圖中所示的保護層16)。
實施例6以下，基于附圖詳細說明本發明的實施例6。而且，和上述實施例相同的部分用相同的標號表示，重復說明從略。圖6A和圖6B所示的元件結構是圖5A和圖5B所示元件結構的變形例，重合形成絕緣層5a的圖形端部5b，使其位于透明電極4a的圖形端部4b上。通過設置絕緣層5a和透明電極4a的重疊部分，可防止由于制造誤差而在絕緣層5a的圖形端部5b和透明電極4a的圖形端部4b之間產生間隙，可降低腐蝕發光材料層3a的概率。但是，由于絕緣層5a和發光材料圖形(發光材料層3a的圖形)的重疊部分的存在，和上述實施例5(圖5)的情況相比，元件上面的平坦性變差。
在本實施例的元件結構中，在透明電極4a上可設置強有力地將下電極2a和發光材料層3a與空氣中的水和氧氣隔開的保護層(后述第10至第13圖中所示的保護層16)。
實施例7以下，基于附圖詳細說明本發明的實施例7。而且，和上述實施例相同的部分用相同的標號表示，重復說明從略。圖7A和圖7B是排列多個發光體14時發光元件65的截面圖和平面圖。在各個發光體14中，在基板1上形成下電極2a的圖形，在下電極2a的圖形上形成覆蓋其全部區域的發光材料層3a的圖形。在發光材料層3a的圖形上形成覆蓋其全部區域的透明電極4a的圖形。這里，在全部區域內，發光材料層3a的圖形端部3b位于下電極2a的圖形端部2b的外側，透明電極4a的圖形端部4b在全部區域中位于發光材料層3a的圖形端部3b的外側。這樣，元件如圖所示縱橫排列。這里，示出了縱4列、橫5行的排列，但也可自由選擇排列數。
實施例8以下，基于附圖詳細說明本發明的實施例8。而且，和上述實施例相同的部分用相同的標號表示，重復說明從略。圖8A和圖8B是排列多個發光體14時發光元件65的截面圖和平面圖。在基板1上形成下電極2a的圖形，在下電極2a的圖形上形成覆蓋其全部區域的發光材料層3a的圖形。發光材料層3a的圖形覆蓋多個下電極2a的圖形。在發光材料層3a的圖形上形成覆蓋其全部區域的透明電極4a的圖形。透明電極4a的圖形以1個圖形覆蓋多個下電極2a圖形和發光材料層3a圖形的全部區域。這樣，發光體14如圖所示縱橫排列。這里，示出了縱4列、橫5行的排列，但也可自由選擇排列數。而且，發光材料層3a和透明電極4a的圖形在全部發光體14中是共同的，不一定必須，但可以橫跨多個元件。
實施例9以下，基于附圖詳細說明本發明的實施例9。而且，和上述實施例相同的部分用相同的標號表示，重復說明從略。圖9A和圖9B是排列多個發光體14時發光元件65的截面圖和平面圖。在基板1上形成下電極2a的圖形，在下電極2a的圖形上形成覆蓋其全部區域的發光材料層3a的圖形。這里，重合形成發光材料層3a的圖形端部3b，使其位于下電極2a的圖形端部2b上。在發光材料層3a的圖形上形成覆蓋其全部區域的透明電極4a的圖形。透明電極4a的圖形以1個圖形覆蓋多個下電極2a圖形和發光材料層3a圖形的全部區域。這樣，發光體14如圖所示縱橫排列。這里，示出了縱4列、橫5行的排列，但也可自由選擇排列數。而且，發光材料層3a和透明電極4a的圖形在全部發光體14中是共同的，不一定必須，但可以橫跨多個元件。
實施例10以下，基于附圖詳細說明本發明的實施例10。而且，和上述實施例相同的部分用相同的標號表示，重復說明從略。圖10至圖13示出了可適用于本發明的發光體14的層結構。
圖10A示出了在基板1上順次形成下電極2a、兼作空穴注入層8和電子傳輸層6的發光層9、以及透明電極4a的元件結構。這時，發光層9相當于上述發光材料層3a。圖10B示出了在兼作空穴注入層8和電子傳輸層6的發光層9與透明電極4a之間插入陽極緩沖層15的元件結構。如圖10C和圖10D所示，在圖10A、圖10B所示的結構最上部可設置保護層16。
圖11A示出了在基板1上順次形成下電極2a、兼作電子傳輸層6的發光層10、空穴注入層8以及透明電極4a的元件結構。這時，兼作電子傳輸層6的發光層10和空穴注入層8的部分相當于上述發光材料層3a。圖11B示出了在空穴注入層8和透明電極4a之間插入陽極緩沖層15的元件結構。如圖11C和圖11D所示，在圖11A、圖11B所示結構的最上部可設置保護層16。
圖12A示出了在基板1上順次形成下電極2a、電子傳輸層6、兼作空穴注入層8的發光層11和透明電極4a的元件結構。這時，電子傳輸層6和兼作空穴注入層8的發光層11的部分相當于上述發光材料層3a。圖12B示出了在發光層11和透明電極4a之間插入陽極緩沖層15的元件結構。如圖12C和圖12D所示，在圖12A、圖12B所示結構的最上部可設置保護層16。
圖13A示出了在基板1上順次形成下電極2a、電子傳輸層6、發光層7、空穴注入層8和透明電極4a的元件結構。這時，電子傳輸層6、發光層7、空穴注入層8的部分相當于上述發光材料層3a。圖13B示出了在空穴注入層8和透明電極4a之間插入陽極緩沖層15的元件結構。如圖13C和圖13D所示，可在圖13A、13B所示結構的最上部設置保護層16。
實施例11以下，基于附圖詳細說明本發明的實施例11。而且，和上述實施例相同的部分用相同的標號表示，重復說明從略。
圖14是表示本發明發光元件65的截面示意圖。發光體14連接電流施加元件13，電流施加元件13連接開關元件12。
這樣構成的發光元件65如圖15中的發光元件65的俯視圖那樣，多個并排配置。這里，示出了縱3列、橫6行的情況，但可任意選擇排列數。
實施例12
以下基于附圖詳細說明本發明的實施例12。而且，和上述實施例相同的部分用相同的標號表示，重復說明從略。參照圖16至圖18，描述布線和發光體14的平面位置關系。
在圖16所示的元件結構中，向著紙面在橫(紙面左右)方向上配置接地布線22和第一開關布線20，在縱向上配置第二開關布線21。在縱向布線(第二開關布線21)和橫(紙面左右)方向的布線(接地布線22、第一開關布線20)之間配置發光體14。發光體14連接電流施加元件13，電流施加元件13連接開關元件12(參考圖14)。發光體14連接電流源(電流源191(后述，參考圖19))。接地布線22也有配置在縱向的時候。這里，示出了發光體14縱2列、橫2行排列的情況，但可適當選擇排列數。
圖17所示的元件結構中，向著紙面在橫(紙面左右)方向上配置第二開關布線21和接地布線22，在縱向上配置第一開關布線20和電流施加線23。縱向的布線(第一開關布線20和電流施加線23)和橫(紙面方向)方向的布線(第二開關布線21和接地布線22)之間，配置發光體14。發光體14連接電流施加元件13，電流施加元件13連接開關元件12(參考圖14)。接地布線22也有配置在縱向的時候。這里，示出了發光體14縱2列、橫2行排列的情況，但可適當選擇排列數。
圖18所示的元件結構中，向著紙面在橫(紙面左右)方向上配置兼作接地布線22的第二開關布線24和電流施加線23，在縱向上配置第一開關布線20。在縱向布線(第一開關布線20)和橫(紙面左右)方向的布線(兼作接地布線22的第二開關布線24和電流施加線23)之間配置發光體14。發光體14連接電流施加元件13，電流施加元件13連接開關元件12(參考圖14)。兼作接地布線22的第二開關布線24可配置在縱向上。這里，示出了發光體14縱2列、橫2行排列的情況，但可適當選擇排列數。
實施例13以下基于附圖詳細說明本發明的實施例13。而且，和上述實施例相同的部分用相同的標號表示，重復說明從略。參考圖19至圖25描述發光體14、電流施加元件13、開關元件12、第一開關布線20和第二開關布線21的連接關系。
圖19是可適用于本發明的發光元件65的電路示意圖。參考圖19，在本實施例中，元件結構是分別用開關晶體管作為開關元件12，用電流施加用的晶體管作為電流供給元件。
第一開關布線187(第一開關布線20)和第二開關布線188(第二開關布線21)如圖19所示縱橫排列。第一開關晶體管183的源極部分193a連接第二開關布線188(第二開關布線21)，柵極部分194a連接第一開關布線187(第一開關布線20)。漏極部分195a連接第二開關晶體管184(電流施加用的晶體管)的柵極部分194b和電壓保持用的電容器185的一個端子。電壓保持用的電容器185的另一個端子連接地190。第二開關晶體管184(電流施加用的晶體管)的源極部分193b連接電流源191，漏極部分195b連接發光體182的陽極。發光體182的陰極連接地190。
在第一開關布線187(第一開關布線20)上施加電壓時，通過在第一開關晶體管183的柵極部分194a上施加電壓，使源極部分193a和漏極部分195a之間導通。在這種狀態下，在第二開關布線188(第二開關布線21)上施加電壓時，在漏極部分195a上施加電壓，電荷存儲在電壓保持用的電容器185中。從而，即使關斷施加在第一開關布線187(第一開關布線20)或第二開關布線188(第二開關布線21)上的電壓，在存儲在電壓保持用的電容器185中的電荷完全用盡之前也可以給第二開關晶體管184(電流施加用的晶體管)的柵極部分194b上連續施加電壓。通過給第二開關晶體管184(電流施加用的晶體管)的柵極部分194b上施加電壓，源極部分193b和漏極部分195b之間導通，電流從電流源191通過發光體182流入地190，發光體182發光。
另一方面，沒有向第一開關布線187(第一開關布線20)和第二開關布線188(第二開關布線21)施加驅動電壓時，因為沒有給第二開關晶體管184(電流施加用的晶體管)的漏極部分195a施加電壓，所以電流不流過發光體182，不能引起發光。
圖20示出了在圖19所示元件結構中增加接地布線186(接地布線22)和電流供給布線189(電流施加線23)的元件結構。圖21示出了在圖19所示構成中、共用第一開關布線187(第一開關布線20)和地190的布線作為公共布線192的元件結構。
圖22是表示第一開關布線187(第一開關布線20)、第二開關布線188(第二開關布線21)和開關元件12、電流施加元件13和發光元件65的電氣連接圖。這里，示出了分別用開關晶體管作為開關元件12、用電流施加用的晶體管作為電流供給元件的情況。開關用的布線由第一開關布線187(第一開關布線20)和第二開關布線188(第二開關布線21)組成。第一開關晶體管183的源極部分193a連接第二開關布線188(第二開關布線21)，柵極部分194a連接第一開關布線187(第一開關布線20)。漏極部分195a連接第二開關晶體管184(電流施加用的晶體管)的柵極部分194b，同時，連接電壓保持用的電容器185的一個端子。電壓保持用的電容器185的另一個端子連接地190。第二開關晶體管184(電流施加用的晶體管)的源極部分193b連接發光體182的陰極側，漏極部分195b連接地190。發光體182的陽極部分連接電流源191。此外，這里，省略了接地190用的布線和電流施加用的布線。
在本實施例的元件結構中，在同時給第一開關布線187(第一開關布線20)和第二開關布線188(第二開關布線21)提供驅動電壓時，向第一開關晶體管183的漏極部分195a提供電壓，通過將電荷存儲在電壓保持用的電容器185中，可向第二開關晶體管184(電流施加用的晶體管)的柵極部分194b施加穩定的電位。從而，電流從電流源191通過發光體182流過，電流還從第二開關晶體管184(電流施加用的晶體管)的柵極部分194b通過漏極部分195b流入地190。從而，可使發光體182發光。
另一方面，沒有給第一開關布線187(第一開關布線20)和第二開關布線188(第二開關布線21)施加驅動電壓時，因為沒有向第二開關晶體管184(電流施加用的晶體管)的柵極部分194b施加電壓，所以電流不流過發光體182，不引起發光。
圖23示出了在圖22所示結構上增加接地布線186(接地布線22)和電流供給布線189(電流施加線23)的元件結構。圖24示出了在圖22所示構成中，共用第一開關布線187(第一開關布線20)和接地190用的布線作為公共布線192的元件結構。
實施例14以下，基于附圖詳細說明本發明的實施例14。而且，和上述實施例相同的部分用相同的標號表示，重復說明從略。以下，描述可適用于本發明的發光體14、182的排列方法、和基板表面的關系、層疊結構等變形例。
圖25是表示發光體14、182的排列的截面示意圖。圖25所示的元件結構中，第一顏色用的發光元件40、第二顏色用的發光元件41和第三顏色用的發光元件42交互排列在基板1上。第一顏色用的發光元件40、第二顏色用的發光元件41和第三顏色用的發光元件42通常從以藍色為主成分的發光元件(發光元件65)、以綠色為主成分的發光元件(發光元件65)和以紅色為主成分的發光元件(發光元件65)中選擇。
圖26是表示發光體14、182的排列的截面示意圖。在圖26所示的元件結構中，第一顏色用的發光元件40、第二顏色用的發光元件41和第三顏色用的發光元件42的至少一部分嵌入基板1中并交互排列。第一顏色用的發光元件40、第二顏色用的發光元件41和第三顏色用的發光元件42通常從以藍色為主成分的發光元件(發光元件65)、以綠色為主成分的發光元件(發光元件65)和以紅色為主成分的發光元件(發光元件65)中選擇。
圖27是表示發光體14、182的排列的截面示意圖。在圖27所示的元件結構中，第一顏色用的發光元件40、第二顏色用的發光元件41和第三顏色用的發光元件42交互排列在基板1上。在各個元件間形成堤壩52。第一顏色用的發光元件40、第二顏色用的發光元件41和第三顏色用的發光元件42通常從以藍色為主成分的發光元件(發光元件65)、以綠色為主成分的發光元件(發光元件65)和以紅色為主成分的發光元件(發光元件65)中選擇。
圖28是表示發光體14、182的排列的截面示意圖。在圖28所示的元件結構中，包含金屬電極層43(下電極2a)/第一顏色用的電子傳輸層62/第一顏色用的發光層53的層疊結構圖形(第一顏色用的發光元件40)、包含金屬電極層43(下電極2a)/第二顏色用的電子傳輸層63/第二顏色用的發光層54的層疊結構圖形(第二顏色用的發光元件41)、以及包含金屬電極層43(下電極2a)/第三顏色用的電子傳輸層64/第三顏色用的發光層55的層疊結構圖形(第三顏色用的發光元件42)交互排列在基板1上。各個元件間形成堤壩52。在這些之上，橫跨多個元件形成空穴注入層46(空穴注入層8)和透明電極47(透明電極4a)。第一顏色、第二顏色和第三顏色通常從以藍色為主成分的光、以綠色為主成分的光和以紅色為主成分的光中選擇。
圖29是表示發光體14、182的排列的截面示意圖。在圖29所示的元件結構中，包含金屬電極層43(下電極2a)/第一顏色用的電子傳輸層62/第一顏色用的發光層53/第一顏色用的空穴注入層56的層疊結構圖形(第一顏色用的發光元件40)、包含金屬電極層43(下電極2a)/第二顏色用的電子傳輸層63/第二顏色用的發光層54/第二顏色用的空穴注入層57的層疊結構圖形(第二顏色用的發光元件41)、以及包含金屬電極層43(下電極2a)/第三顏色用的電子傳輸層64/第三顏色用的發光層55/第三顏色用的空穴注入層58的層疊結構圖形(第三顏色用的發光元件42)交互排列在基板1上。在這些之上，橫跨多個元件形成透明電極47(透明電極4a)。第一顏色、第二顏色和第三顏色通常從以藍色為主成分的光、以綠色為主成分的光和以紅色為主成分的光中選擇。
圖30是表示發光體14、182的排列的截面示意圖。在圖30所示的元件結構中，包含金屬電極層43(下電極2a)/第一顏色用的電子傳輸層62/第一顏色用的發光層53的層疊結構圖形(第一顏色用的發光元件40)、包含金屬電極層43(下電極2a)/第二顏色用的電子傳輸層63/第二顏色用的發光層54的層疊結構圖形(第二顏色用的發光元件41)、以及包含金屬電極層43(下電極2a)/第三顏色用的電子傳輸層64/第三顏色用的發光層55的層疊結構圖形(第三顏色用的發光元件42)交互排列在基板1上。在這些之上，橫跨多個元件形成空穴注入層46(空穴注入層8)和透明電極47(透明電極4a)。第一顏色、第二顏色和第三顏色通常從以藍色為主成分的光、以綠色為主成分的光和以紅色為主成分的光中選擇。
圖31是表示發光體14、182的排列的截面示意圖。在圖31所示的元件結構中，包含下電極43(下電極2a)/電子傳輸層44(電子傳輸層6)/發光層45(發光層7)/空穴注入層46(空穴注入層8)/透明電極47(透明電極4a)的層疊結構彼此間留有間隙地交互排列在基板1上。
圖32是表示發光體14、182的排列的截面示意圖。在圖32所示的元件結構中，在基板1中形成凹部，其中，形成包含金屬電極層43(下電極2a)/電子傳輸層44(電子傳輸層6)/發光層45(發光層7)/空穴注入層46(空穴注入層8)/透明電極47(透明電極4a)的層疊結構。
實施例15以下，基于附圖詳細說明本發明的實施例15(適用本發明的發光元件65的更具體的結構)。而且，和上述實施例相同的部分用相同的標號表示，重復說明從略。
圖33是適用本發明的發光元件65的更詳細的截面圖。圖33示出了發光元件65和為發光元件65設置的電流施加元件13。圖33所示的元件結構中，在基板1上形成緩沖層205。在其上如圖所示的那樣形成薄膜半導體(TFT＝Thin Film Transistor)的溝道區域(柵極部分194)、源極部分193和漏極部分195。之上形成柵極絕緣膜198。柵極絕緣膜198中，位于TFT的源極部分193和漏極部分195上的部分開孔。在柵極絕緣膜198上且位于TFT的溝道區域(柵極部分194)上的部分中形成柵電極206。之上形成第一層間絕緣膜199，但位于源極部分193和漏極部分195上的部分開孔。在該孔部分中形成源電極200和漏電極201，以便與源極部分193和漏極部分195接觸。之上再如圖所示的那樣除去漏電極201形成第二層間絕緣膜202。這里盡管未示出，但源電極200和開關元件12連接。
在第二層間絕緣膜202上與漏電極201的一方接觸地形成金屬電極203的圖形。之上順次形成發光材料層204(發光材料層3a)和透明電極197(透明電極4a)。用電子傳輸層44(電子傳輸層6)/發光材料層204(發光材料層3a)/空穴注入層46(空穴注入層8)組成的3層膜，兼作電子傳輸層44(電子傳輸層6)的發光材料層204(發光材料層3a)/空穴注入層46(空穴注入層8)組成的2層膜，或者兼作電子傳輸層44(電子傳輸層6)和空穴注入層46(空穴注入層8)的發光材料層204(發光材料層3a)組成的單層膜，作為發光材料層204(發光材料層3a)。
此外，在本實施例中，盡管展示了發光材料層204(發光材料層3a)和透明電極197(透明電極4a)圖形化的情況，但也有橫跨多個元件的大圖形的情況。
圖34是適用本發明的發光體14、182的更詳細的截面圖。圖34所示的元件結構中，和圖33所示元件結構的不同點在于發光材料層204(發光材料層3a)不連接漏電極201，透明電極197(透明電極4a)連接漏電極201。
圖35是適用圖33和圖34所示截面結構的元件時的包含布線部分的發光元件65周邊部分的典型平面圖。第一開關布線187(第一開關布線20)(柵極線)連接第一開關晶體管183的柵極部分194a。第二開關布線188(第二開關布線21)(數據線)連接第一開關晶體管183的源極部分193a。第一開關晶體管183的漏極部分195b連接第二開關晶體管184(電流施加用的晶體管)的柵極部分194b，同時，連接在和接地布線186(接地布線22)之間形成的電壓保持用的電容器185的一個端子(圖中電壓保持用的電容器185的下側)。電壓保持用的電容器185的另一個端子(圖中電壓保持用的電容器185的上側)連接接地布線186(接地布線22)。第二開關晶體管184(電流施加用的晶體管)的源極部分193b連接金屬電極203。
在圖35所示元件的整個表面上，形成發光材料層204(發光材料層3a)，并且在發光材料層204上形成透明電極197(透明電極4a)(未示出)，透明電極197(透明電極4a)連接電流源(電流源191)。第二開關晶體管184(電流施加用的晶體管)的漏極部分195b連接接地布線186(接地布線22)。
在構成發光元件65的各部件中可用以下提供的內容為代表。

而且，作為構成第一開關晶體管183和第二開關晶體管184(電流施加用的晶體管)的各要素，可用以下的內容。

接著，參考圖36～圖47說明適用本發明的發光元件65的代表性的制造方法(圖33所示的元件結構)。
在本實施例中，首先，如圖36所示，制備基板1。基板1通常是無堿玻璃。如圖37所示，通過濺射法或化學汽相淀積法(CVD，Chemical Vapor Deposition)在基板1上形成緩沖層205。
如圖38所示，利用濺射法或CVD法，通常采用施加500℃左右溫度的低壓(LP，Low Pressure)CVD法，形成硅180，通過激光照射而多結晶化。
接著，如圖39所示，通過濺射法或CVD法形成柵極絕緣膜198。通常，通過遠距離等離子CVD法成膜SiO2(氧化硅)。如圖40所示，在其上形成柵電極206的圖形。
柵電極206的圖形形成方法為例如在通過濺射法或蒸鍍法形成柵電極206的膜通常是WSi(硅化鎢)膜上，通過旋涂法涂敷光致抗蝕劑，通過利用光學掩模的曝光和顯影將光致抗蝕劑圖形化，用研磨法從其上去除沒有光致抗蝕劑圖形那部分的柵電極206的膜，最后，通過將光致抗蝕劑溶解在溶劑中等方法去除，從而形成柵電極206的圖形。
接著，用抗蝕劑覆蓋硅180形成部分以外的部分，然后，摻雜硼或鋰離子，如圖41所示，形成源極部分193和漏極部分195。為了使源極部分193和漏極部分195活性化，通常在550℃左右的溫度進行熱處理。
接著，如圖42所示，通過濺射法或CVD法形成第一層間絕緣膜199，通常是SiO2，接著，去除在源極部分193和漏極部分195形成的柵極絕緣膜198和第一層間絕緣膜199。這時，可用上述柵電極206圖形化時的方法。
接著，如圖43所示，形成源電極200和漏電極201通常是Al(鋁)的圖形。這時，可用上述柵電極206圖形化時的方法。如圖44所示，在其上形成第二層間絕緣膜202通常是SiO2的圖形。這時，也可用上述柵電極206圖形化時的方法。
接著，如圖45所示形成金屬電極203的圖形。這時，也可用上述柵電極206圖形化時的方法。如圖46所示，在其上形成發光材料層204(發光材料層3a)的圖形。這時，采用利用金屬掩模的蒸鍍法或利用噴墨噴射頭的形成方法。如圖47所示，在其上形成透明電極197(透明電極4a)。
透明電極197(透明電極4a)通過濺射法，CVD法或旋涂法等方法成膜。之后，利用上述柵電極206圖形化時所用的方法圖形化。
實施例16用具有圖1、圖9A、圖9B、圖11B、圖33和圖35所示元件結構的發光元件65試作發光顯示裝置。1個單位元件的大小為30μm×100μm，顯示部分的大小為50mm×50mm(毫米)。
為了比較，試作圖48中所示截面示意圖的結構的元件。如圖48所示的元件結構中，下電極2a、發光材料層3a和透明電極4a幾乎大小相同地被圖形化。
試作這些元件時，在基板1上用無堿玻璃作為金屬電極層43(下電極2a)，用AlLi(鋰和鋁的合金)作為空穴注入層，用喹啉醇鋁絡合物(Alq3)作為α-NPD、以及兼作電子傳輸層6的發光層7。在陽極緩沖層15中用聚苯胺。在透明電極4a中用In(銦)氧化物和Zn(鋅)氧化物的混合物。第一開關布線20、第二開關布線21和接地布線22中用Al(鋁)。
用晶體管作為開關元件12和電流施加元件13。晶體管的源電極200和漏電極201中用Al，柵電極206中用WSi(硅化鎢)，柵極絕緣膜198、第一層間絕緣膜199、第二層間絕緣膜202、緩沖層205中用Si氧化物。
給這兩種發光顯示裝置的由透明電極4a組成的陽極部分施加5v電位，而且給全部第一開關布線20(柵極線)和第二開關布線21(數據線)施加5v電位，在室溫下測定通過肉眼觀測直至元件發出的光完全消失時間。與圖48所示的元件結構的元件發光持續時間僅為5分鐘相對照，本發明的元件結構的發光元件65發光持續500小時以上。
在圖48所示的元件結構中，因為下電極2a、發光層7和透明電極4a的圖形大致相同，所以水和氧氣從透明電極4a的圖形端部4b侵入發光層7的圖形和下電極2a的圖形，因此，腐蝕發光層7和下電極2a的圖形，推測為在短時間內變差。
對此，在適用本發明的發光元件65中，變成是氧化物的透明電極4a的圖形來覆蓋下電極2a圖形和發光材料層3a圖形的結構，因此，水和氧氣不從透明電極4a的圖形端部4b侵入發光層7的圖形和下電極2a的圖形，不腐蝕發光層7和下電極2a的圖形，因此，可長時間發光。
此外，本發明不限于上述實施例，顯然可以在本發明的技術思想范圍內對上述實施例進行適當修改。而且，上述構成部件的數量、位置、形狀等不限于上述實施例，在實施本發明時，可采用適當的數量、位置、形狀等。而且，各圖中，同一組成要素用同一標號表示。
權利要求
1.一種發光體，在基板上形成下電極圖形，在該下電極圖形上形成發光層圖形，在該發光層圖形上形成透明電極，其特征在于，所述透明電極圖形比所述下電極圖形大。
2.一種發光體，在基板上形成下電極圖形，在該下電極圖形上形成發光層圖形，在該發光層圖形上形成透明電極，其特征在于，在所述下電極圖形的全部區域上形成透明電極圖形。
3.一種發光體，在基板上形成下電極圖形，在該下電極圖形上形成發光層圖形，在該發光層圖形上形成透明電極，其特征在于，所述透明電極圖形比所述發光層圖形大。
4.一種發光體，在基板上形成下電極圖形，在該下電極圖形上形成發光層圖形，在該發光層圖形上形成透明電極，其特征在于，在所述發光層圖形的全部區域上形成透明電極圖形。
5.根據權利要求1至4任一項所述的發光體，其特征在于，所述透明電極、所述發光層和所述下電極組成的元件部分是電致發光元件。
6.根據權利要求5所述的發光體，其特征在于，所述電致發光元件具有有機薄膜通過外加電流來發光的結構。
7.根據權利要求5或6所述的發光體，其特征在于，在所述透明電極和所述發光層之間形成空穴注入層。
8.根據權利要求5至7任一項所述的發光體，其特征在于，在所述透明電極和所述發光層之間形成電子傳輸層。
9.根據權利要求8所述的發光體，在兼作所述電子傳輸層的狀態下獨立地形成多個。
10.根據權利要求5或6所述的發光體，其特征在于，由所述基板上形成的下電極層、該下電極層上形成的電子傳輸層、兼作該電子傳輸層上形成的空穴注入層的發光層、以及發光層上形成的金屬電極層組成。
11.根據權利要求7或10所述的發光體，其特征在于，在兼作空穴注入層的狀態下獨立地形成多個。
12.根據權利要求5或6所述的發光體，其特征在于，由在導光體端面上形成的透明電極層、在透明電極層上形成的兼作空穴注入層和電子傳輸層的發光層、以及在發光層上形成的金屬電極層組成。
13.根據權利要求1至12任一項所述的發光體，其特征在于，在兼作所述透明電極層的狀態下獨立地形成多個。
14.根據權利要求1至13任一項所述的發光體，其特征在于，由在平面上并列配置的至少3個獨立的發光體組成，第一發光體或發光體群以紅色區域的波長發光，第二發光體或發光體群以綠色區域的波長發光，第三發光體或發光體群以藍色區域的波長發光。
15.根據權利要求14所述的發光體，其特征在于，具有可使紅色區域、綠色區域和藍色區域的波長同時發光的結構。
16.根據權利要求1至13任一項所述的發光體，其特征在于，多個獨立地并列配置在平面上，分別以藍色區域的光、紅色區域的光和綠色區域的光的混合色發光。
17.一種發光元件，其特征在于，由具備權利要求6至16任一項所述的發光體的元件部分和與該元件部分電氣連接的用于向該元件部分施加電流的電流施加元件組成。
18.根據權利要求17所述的發光元件，其特征在于，所述電流施加元件由柵極、漏極和源極組成的薄膜晶體管構成，所述透明電極或所述下電極中的一個與漏極或源極中的一個連接。
19.根據權利要求17或18所述的發光元件，其特征在于，包含開關元件，與所述電流施加元件連接，選擇該電流施加元件是否在所述透明電極、所述發光層和所述下電極組成的所述元件部分中流過電流。
20.根據權利要求19所述的發光元件，其特征在于，所述開關元件至少包含一個晶體管，該開關元件中所包含的晶體管的漏極連接所述電流施加元件中所包含的晶體管的柵極。
21.根據權利要求19或20所述的發光元件，其特征在于，包含開關元件，與所述電流施加元件連接，選擇該電流施加元件是否在所述透明電極、所述發光層和所述下電極組成的所述元件部分中流過電流；還包含用于為所述電流施加元件提供電流的布線和用于向該開關元件施加開/關電壓信息的布線。
22.一種發光顯示裝置，其特征在于，包含多個權利要求21所述的發光元件，將用于向所述電流施加元件提供電流的布線、用于向所述開關元件施加開/關電壓信息的布線和用于向所述電流施加元件提供電流的布線配置成矩陣狀。
23.根據權利要求22所述的發光顯示裝置，其特征在于，配置在一個方向上的布線和配置在另一個方向上的布線的夾角大致垂直。
全文摘要
一種發光元件，在基板上形成下電極圖形，在下電極圖形上形成發光層圖形，在發光層圖形上形成透明電極，對于具有有機薄膜通過外加電流而發光的結構的發光體，透明電極的圖形比下電極的圖形大。而且，在下電極圖形的全部區域上形成透明電極的圖形。透明電極的圖形比發光層的圖形大。在發光層圖形的全部區域上形成透明電極的圖形。
文檔編號H01L51/52GK1491526SQ02804577
公開日2004年4月21日 申請日期2002年2月4日 優先權日2001年2月5日
發明者林一彥, 三, 福地隆, 坪井真三, 郎, 藤枝一郎 申請人:日本電氣株式會社