專利名稱：：測試基體、測試基體掩膜及測試基體的形成方法
技術領域：
：本發明涉及集成電路制造
技術領域：
，特別涉及一種測試基體、測試基體掩膜及測試基體的形成方法。
背景技術：
：傳統的集成電路制程中，為保證產品的質量，執行制程中涉及的諸多步驟后均需進行檢測，如對經歷研磨或刻蝕過程后的產品進行的檢測。通常，采用在半導體基底上制作測試基體，繼而利用所述測試基體代替所述產品進行檢測。為使所述測試基體能真實地模擬產品的相關制程，所述測試基體與所述產品同步制作。關于測試基體的結構以及如何利用所述測試基體執行制程檢測，繼而完成半導體器件的制造，業界已進行了多種嘗試。2006年2月2日公開的公開號為"CN1729569"的中國專利申請及2000年4月25日公開的公告號為"US6054721C"的美國專利中均提供了一種測試基體及采用所述測試基體的半導體器件制造方法。通常，所述測試基體并非一完整的器件，而是代替對應不同制程產品進行檢測的一種中間體。半導體基底內包含的所述測試基體的數目為至少一個。如圖1所示，所述測試基體10包含至少一個測試單元20，所述測試單元20中包含至少兩個測試基元202和至少兩個測試輔助基元204,所述測試基元202和所述測試輔助基元204間隔相"l妄。以對應淺溝槽隔離區形成過程中化學機械研磨制程的測試基體為例，所述測試基元202和所述測試輔助基元204分別對應測試有源區和測試淺溝槽；所述測試有源區和測試淺溝槽分別對應不同制程產品中的有源區和淺溝槽。同一所述測試單元20內，各所述測試有源區尺寸相同，各所述測試淺溝槽的尺寸也相同；不同所述測試單元20內，各所述測試有源區的尺寸可相同或不相同，各所述測試淺溝槽的尺寸也可相同或不相同。經歷已填充的淺溝槽的化學機械研磨過程后，通過對所述測試單元20進行檢測，可確定產品的制造效果。實際生產中，形成淺溝槽隔離區的步驟包括在半導體基底上形成淺溝槽；向所述淺溝槽填充隔離物；平整化填充隔離物后的所述淺溝槽。所述半導體基底通過在半導體襯底表面順次形成隔離層及鈍化層后獲得。形成淺溝槽隔離區后，在去除所述隔離層以進行后續步驟的過程中，在所述淺溝槽頂端，位于所述淺溝槽隔離區與半導體基底間的交界處易產生間隙。若后續步驟中涉及的導電材料填充所述間隙，將導致所述淺溝槽隔離區隔離效果的降低。為保證所述淺溝槽隔離區的隔離效果，通常要求所述淺溝槽隔離區表面與由其隔離的有源區表面間具有一定的高度差(stephigh),所述高度差通過在平整化所述淺溝槽后，去除有源區表面剩余的鈍化層和隔離層而實現，以在去除所述隔離層時，消除在所述淺溝槽隔離區與半導體基底間產生的間隙。然而，生產實踐中，在以所述鈍化層作為研磨停止層以平整化填充隔離物后的所述淺溝槽時，若所述鈍化層的尺寸與其相鄰的所述淺溝槽內填充隔離物的尺寸相差過大，易造成所述鈍化層缺失，致使所述淺溝槽隔離區表面與由其隔離的有源區表面間的高度差降低，降低的所述高度差不足以消除所述淺溝槽隔離區與半導體基底間產生的間隙，即降低的所述高度差易導致相鄰淺溝槽隔離區隔離效果的惡化。如何抑制所述鈍化層缺失現象的發生，以提供合適的工藝窗口，進而優化器件隔離性能成為本領域技術人員致力解決的主要問題。
發明內容本發明提供了一種測試基體，通過檢測鈍化層的缺失，而可獲得合適的工藝窗口，進而可抑制所述鈍化層缺失現象的發生；本發明提供了一種測試基體掩膜，可獲得通過檢測所述鈍化層的缺失，進而可確定合適的工藝窗口的測試基體；本發明提供了一種測試基體的形成方法，可獲得通過檢測所述鈍化層的缺失，進而可確定合適的工藝窗口的測試基體。本發明提供的一種測試基體，所述測試基體包含至少一個孤立測試單元系列，單一所述孤立測試單元系列包含至少兩個孤立測試單元，所述孤立測試單元包含一個測試基元和兩個測試輔助基元，所述測試基元與測試輔助基元間隔相4妄。可選地，單一所述孤立測試單元系列內，所述測試基元尺寸取至少一個固定值，且單一固定值對應至少兩個尺寸漸變的所述測試輔助基元；可選地，單一所述孤立測試單元系列內，所述測試輔助基元尺寸取至少一個固定值，且單一固定值對應至少兩個尺寸漸變的所述測試基元；可選地，所述"瓜立測試單元外圍具有外圍圖形，所述外圍圖形內具有填充圖形；可選地，所述填充圖形內包含的材質與所述測試基元內包含的材質相同；可選地，同一所述孤立測試單元系列內，所述填充圖形的圖形密度相同；可選地，在不同所述孤立測試單元系列間，所述填充圖形的圖形密度不相同；可選地，對單一孤立測試單元，其外圍的填充圖形非均勻分布；可選地，所述填充圖形的圖形密度與所述測試基體模擬的產品外圍圖形的圖形密度之差小于25%;可選地，所述測試基體還包括至少一個連續測試單元系列，單一所述連續測試單元系列中包含至少兩個連續測試單元，所述連續測試單元包含一個測試基元和一個測試輔助基元，所述連續測試單元系列內測試基元和測試輔助基元間隔相接，同一所述連續測試單元系列內不同連續測試單元包含的所述測試基元與所述測試輔助基元的尺寸之比相同，相鄰的連續測試單元間所述測試基元和所述測試輔助基元的尺寸漸變；可選地，所述連續測試單元系列外具有外圍圖形，所述外圍圖形內具有填充圖形；可選地，在同一所述連續測試單元系列外圍，各所述連續測試單元外圍填充圖形均勻分布；可選地，不同所述連續測試單元系列中所述測試基元或所述測試輔助基元尺寸之比不相同，且各所述連續測試單元系列外圍，各所述連續測試單元外圍填充圖形均勻分布；可選地，不同所述連續測試單元系列中所述測試基元或所述測試輔助基元尺寸之比相同，且各所述連續測試單元系列外圍，各所述連續測試單元外圍填充圖形的圖形密度不相同；可選地，所述測試基體還包含至少兩個連續測試單元系列，且單一所述連續測試單元系列中包含的測試基元與測試輔助基元的尺寸相同時，在不同所述連續測試單元系列中，測試基元或測試輔助基元的尺寸不相同；可選地，各所述連續測試單元外圍填充圖形的圖形密度相同；可選地，對單一連續測試單元系列，其外圍的填充圖形非均勻分布。本發明提供的一種測試基體掩膜，所述測試基體掩膜包含至少一個孤立測試單元系列掩膜圖形，單一所述孤立測試單元系列掩膜圖形包含至少兩個孤立測試單元掩膜圖形，所述孤立測試單元掩膜圖形包含一個測試基元掩膜圖形和兩個測試輔助基元掩膜圖形，所述測試基元掩膜圖形與測試輔助基元掩膜圖形間隔相接。可選地，單一所述孤立測試單元系列掩膜圖形內，所述測試基元掩膜圖形尺寸取至少一個固定值，且單一固定值對應至少兩個尺寸漸變的所述測試輔助基元掩膜圖形；可選地，單一所述孤立測試單元系列掩膜圖形內，所述測試輔助基元掩膜圖形尺寸取至少一個固定值，且單一固定值對應至少兩個尺寸漸變的所述測試基元掩膜圖形；可選地，所述孤立測試單元掩膜圖形外圍具有外圍掩膜圖形，所述外圍掩膜圖形內具有填充掩膜圖形；可選地，所述填充掩膜圖形內包含的材質與所述測試基元掩膜圖形內包含的材質相同；可選地，同一所述孤立測試單元系列掩膜圖形內，所述填充掩膜圖形的圖形密度相同；可選地，在不同所述孤立測試單元系列掩膜圖形間，所述填充掩膜圖形的圖形密度不相同；可選地，對單一孤立測試單元掩膜圖形，其外圍的填充掩膜圖形非均勻分布；可選地，所述填充掩膜圖形的圖形密度與利用測試基體模擬的產品的掩膜的外圍圖形圖形密度之差小于25%;可選地，所述測試基體掩膜還包括至少一個連續測試單元系列掩膜圖形，單一所述連續測試單元系列掩膜圖形中包含至少兩個連續測試單元掩膜圖形，所述連續測試單元掩膜圖形包含一個測試基元掩膜圖形和一個測試輔助基元掩膜圖形，所述連續測試單元系列掩膜圖形內測試基元掩膜圖形和測試輔助基元掩膜圖形間隔相接，同一所述連續測試單元系列掩膜圖形內不同連續測試單元掩膜圖形包含的所述測試基元掩膜圖形與所述測試輔助基元掩膜圖形的尺寸之比相同，相鄰的連續測試單元掩膜圖形間所述測試基元掩膜圖形和所述測試輔助基元掩膜圖形的尺寸漸變；可選地，所述連續測試單元系列掩膜圖形外具有外圍掩膜圖形，所述外圍掩膜圖形內具有填充掩膜圖形；可選地，在同一所述連續測試單元系列掩膜圖形外圍，各所述連續測試單元掩膜圖形外圍填充掩膜圖形均勻分布；可選地，不同所述連續測試單元系列掩膜圖形中所述測試基元掩膜圖形或所述測試輔助基元掩膜圖形尺寸之比不相同，且各所述連續測試單元系列掩膜圖形外圍，各所述連續測試單元掩膜圖形外圍填充掩膜圖形均勻分布；可選地，不同所迷連續測試單元系列掩膜圖形中所述測試基元掩膜圖形或所述測試輔助基元掩膜圖形尺寸之比相同，且各所述連續測試單元系列掩膜圖形外圍，各所述連續測試單元掩膜圖形外圍填充掩膜圖形的圖形密度不相同；可選地，所述測試基體掩膜還包含至少兩個連續測試單元系列掩膜圖形，且單一所述連續測試單元系列掩膜圖形中包含的測試基元掩膜圖形與測試輔助基元掩膜圖形的尺寸相同時，在不同所述連續測試單元系列掩膜圖形中，測試基元掩膜圖形或測試輔助基元掩膜圖形的尺寸不相同；可選地，各所述連續測試單元掩膜圖形外圍填充掩膜圖形的圖形密度相同；可選地，對單一連續測試單元系列掩膜圖形，其外圍的填充掩膜圖形非均勻分布。本發明提供的一種測試基體的形成方法，包括在半導體基底上形成測試基層；利用測試基體掩膜，圖形化所述測試基層，以在所述測試基層內形成至少一個孤立測試單元基體系列，所述孤立測試單元基體系列用以形成孤立測試單元系列，所述孤立測試單元基體系列內包含至少兩個測試基元；沉積輔助測試基層，所述輔助測試基層覆蓋所述孤立測試單元基體系列；平整化所述輔助測試基層，以去除覆蓋所述測試基元的輔助測試基層，形成測試基體。可選地，利用測試基體掩膜，圖形化所述測試基層后，在所述測試基層內還形成連續測試單元基體系列，所述連續測試單元基體系列用以形成連續測試單元系列，所述連續測試單元基體系列內包含至少兩個測試基元；可選地，利用測試基體掩膜，圖形化所述測試基層后，在所述測試基層內還形成填充圖形。與現有技術相比，本發明具有以下優點本發明提供的測試基體，通過增加至少一個孤立測試單元系列，單一孤立測試單元系列中包含至少兩個孤立測試單元，單一3瓜立測試單元包含一個測試基元和與之間隔相接的兩個測試輔助基元，可才全測所述測試基元缺失；換言之，當所述測試基元對應鈍化層結構時，可檢測所述鈍化層缺失；本發明提供的測試基體的可選方式，通過檢測所述測試基元缺失，可在所述測試基元的尺寸與其相鄰的所述測試輔助基元尺寸之比漸變時，獲得合適的工藝窗口，以抑制所述測試基元缺失現象的發生；換言之，可通過檢測所述鈍化層缺失，以在所述鈍化層的尺寸與其相鄰的所述淺溝槽內填充隔離物尺寸之比漸變時，而獲得合適的工藝窗口，進而可抑制所述鈍化層缺失現象的發生；本發明提供的測試基體的可選方式，通過選擇孤立測試單元系列中孤立測試單元的結構形式，可較精細地;險測所述測試基元缺失的變化，獲得較精細的工藝窗口；換言之，通過選擇淺溝槽隔離區的結構形式，可較精細地檢測所述鈍化層缺失的變化，獲得較精細的工藝窗口；本發明提供的測試基體的可選方式，通過增加至少一個連續測試單元系列，單一連續測試單元系列中包含至少兩個連續測試單元，所述連續測試單元包含一個測試基元和一個測試輔助基元，所述連續測試單元系列內測試基元和測試輔助基元間隔相接，所述連續測試單元系列內所述測試基元的尺寸與其相鄰的所述測試輔助基元尺寸之比相同，相鄰的連續測試單元間所述測試基元和所述測試輔助基元的尺寸漸變，使得單一所述連續測試單元系列內可包含有足夠大的所述測試基元可檢測面積；換言之，當所述測試基元為鈍化層時，可使經歷平整化過程后，對測試基元表面即鈍化層表面氧化物殘留進行檢測成為可能；本發明4是供的測試基體的可選方式，通過在所述測試基體包含至少兩個連續測試單元系列，且單一所述連續測試單元系列中包含的測試基元與測試輔助基元的尺寸相同時，在不同所述連續測試單元系列中，測試基元或測試輔助基元的尺寸不相同；使得檢測產品結構密集區和稀疏區內所述測試基元的研磨效果成為可能；本發明提供的測試基體的可選方式，通過在所述孤立測試單元系列內各孤立測試單元外圍和連續測試單元系列內連續測試單元外圍增加填充圖形，調整所述孤立測試單元和所述連續測試單元的外圍圖形密度，進而可通過模擬產品外圍圖形密度，實現已包含產品外圍圖形密度影響的研磨效果的檢測，提高檢測的真實性；本發明提供的測試基體的可選方式，利用在同一孤立測試單元和連續測試單元外圍圖形內具有不同圖形密度的填充圖形，可靈活地模擬產品外圍圖形密度，實現已包含產品外圍圖形密度影響的研磨效果的檢測，提高檢測的真實性；本發明提供的測試基體掩膜，通過增加至少一個孤立測試單元系列掩膜圖形，單一孤立測試單元系列掩膜圖形中包含至少兩個孤立測試單元掩膜圖形，單一孤立測試單元掩膜圖形包含一個測試基元掩膜圖形和與之間隔相接的兩個測試輔助基元掩膜圖形，可輔助;險測測試基元缺失；換言之，當所述測試基元為鈍化層時，可輔助4企測所述鈍化層缺失；本發明提供的測試基體掩膜的可選方式，可通過輔助檢測測試基元缺失，可在所述測試基元掩膜圖形的尺寸與其相鄰的所述測試輔助基元掩膜圖形尺寸之比漸變時，而獲得合適的工藝窗口，進而可輔助抑制所述測試基元缺失現象的發生；換言之，當所述測試基元為鈍化層時，可輔助抑制所述鈍化層缺失現象的發生；本發明提供的測試基體掩膜的可選方式，通過選擇孤立測試單元系列掩膜圖形中孤立測試單元掩膜圖形的結構形式，可較精細地輔助檢測所述測試基元缺失的變化，獲得較精細的工藝窗口；換言之，當所述測試基元為鈍化層時，可較精細地輔助檢測所述鈍化層缺失的變化，獲得較精細的工藝窗口；本發明提供的測試基體掩膜的可選方式，通過增加至少一個連續測試單元系列掩膜圖形，單一連續測試單元系列掩膜圖形中包含至少兩個連續測試單元掩膜圖形，所述連續測試單元掩膜圖形包含一個測試基元掩膜圖形和一個測試輔助基元掩膜圖形，所述連續測試單元系列掩膜圖形內測試基元掩膜圖形和測試輔助基元掩膜圖形間隔相接，所述連續測試單元系列掩膜圖形內所述測試基元掩膜圖形的尺寸與其相鄰的所述測試輔助基元掩膜圖形尺寸之比相同，相鄰的連續測試單元掩膜圖形間所述測試基元掩膜圖形和所述測試輔助基元掩膜圖形的尺寸漸變，使得單一所述連續測試單元系列內可包含有足夠大的所述測試基元可檢測面積；換言之，當所述測試基元為鈍化層時，可使經歷平整化過程后，對測試基元表面即鈍化層表面氧化物殘留進行檢測成為可能；本發明提供的測試基體掩膜的可選方式，通過在所述測試基體掩膜內包含至少兩個連續測試單元系列掩膜圖形，且單一所述連續測試單元系列掩膜圖形中包含的測試基元掩膜圖形與測試輔助基元掩膜圖形的尺寸相同時，在不同所述連續測試單元系列掩膜圖形中，測試基元掩膜圖形或測試輔助基元掩膜圖形的尺寸不相同；使得檢測產品結構密集區和稀疏區內所述測試基元的研磨效果成為可能；本發明提供的測試基體掩膜的可選方式，通過在所述孤立測試單元系列掩膜圖形內各孤立測試單元掩膜圖形外圍和連續測試單元系列掩膜圖形內連續測試單元掩膜圖形外圍增加填充掩膜圖形，調整所述孤立測試單元掩膜圖形和所述連續測試單元掩膜圖形的外圍圖形密度，進而可通過模擬產品外圍圖形密度，實現已包含產品外圍圖形密度影響的研磨效果的檢測，提高檢測的真實性；本發明提供的測試基體掩膜的可選方式，利用在同一孤立測試單元掩膜圖形和連續測試單元掩膜圖形外圍圖形內具有不同圖形密度的填充掩膜圖形，可靈活地模擬產品外圍圖形密度，實現已包含產品外圍圖形密度影響的研磨效果的檢測，提高檢測的真實性；本發明提供的測試基體的形成方法，通過增加至少一個孤立測試單元基體系列，單一孤立測試單元基體系列中包含至少兩個測試基元，可使所述測試基元缺失的檢測成為可能，進而在所述測試基元的尺寸與其相鄰的所述測試輔助基元尺寸之比漸變時，確定所述鈍化層缺失的變化，以獲得合適的工藝窗口，進而可抑制所述測試基元缺失現象的發生；換言之，當所述鈍化層的尺寸與其相鄰的所述淺溝槽內填充隔離物尺寸之比漸變時，可通過檢測所述鈍化層缺失的變化，而獲得合適的工藝窗口，進而可抑制所述鈍化層缺失現象的發生；繼而，還可通過增加至少兩個連續測試單元基體系列，單一連續測試單元基體系列中包含至少兩個測試基元，所述連續測試單元系列內所述測試基元的尺寸和與其相鄰的所述測試基元的間隔的尺寸之比相同，相鄰的所述測試基元間尺寸漸變，使得單一所述連續測試單元基體系列內可包含有足夠大的所述測試基元可檢測面積；換言之，當所述測試基元為鈍化層時，可使經歷平整化過程后，對測試基元表面即鈍化層表面氧化物殘留進行檢測成為可能；及/或，通過增加至少兩個連續測試單元基體系列，且單一所述連續測試單元基體系列中包含的測試基元與測試基元間間隔的尺寸相同時，在不同所述連續測試單元基體系列中，測試基元的尺寸不相同；使得檢測產品結構密集區和稀疏區內所述測試基元的研磨效果成為可能；本發明提供的測試基體的形成方法的可選方式，通過在測試單元基體系列外圍形成填充圖形，調整所述測試單元基體的外圍圖形密度，進而可通過模擬產品外圍圖形密度，實現已包含產品外圍圖形密度影響的研磨均勻性的檢測，提高檢測的真實性。圖1為說明現有技術中測試基體的結構示意圖；圖2為說明本發明測試基體第一實施例的結構示意圖；圖3為說明本發明測試基體第二實施例的結構示意圖；圖4為說明本發明測試基體第三實施例的結構示意圖；圖5為說明本發明測試基體第四實施例的結構示意圖；圖6為說明本發明測試基體第五實施例的結構示意圖；圖7為說明本發明測試基體第六實施例的結構示意圖；圖8為說明本發明測試基體第七實施例的結構示意圖；圖9為說明本發明測試基體第八實施例的結構示意圖；圖10為說明本發明測試基體第九實施例的結構示意圖；圖11為說明本發明測試基體第十實施例的結構示意圖；圖12為說明本發明測試基體第十一實施例的結構示意圖；圖13為說明本發明測試基體第十二實施例的結構示意圖；圖14為說明本發明測試基體掩膜第一實施例的結構示意圖；圖15為說明本發明測試基體掩膜第二實施例的結構示意圖；圖16為說明本發明測試基體掩膜第三實施例的結構示意圖；圖17為說明本發明測試基體掩膜第四實施例的結構示意圖；圖18為說明本發明測試基體掩膜第五實施例的結構示意圖；圖19為說明本發明測試基體掩膜第六實施例的結構示意圖；圖20為說明本發明測試基體掩膜第七實施例的結構示意圖；圖21為說明本發明測試基體掩膜第八實施例的結構示意圖；圖22為說明本發明測試基體掩膜第九實施例的結構示意圖；圖23為說明本發明測試基體掩膜第十實施例的結構示意圖；圖24為說明本發明測試基體掩膜第十一實施例的結構示意圖；圖25為說明本發明測試基體掩膜第十二實施例的結構示意圖；圖26為說明形成本發明實施例中測試基體的流程示意圖；圖27為說明本發明實施例的形成測試基層后的半導體基底結構示意圖；圖28為說明本發明實施例的圖形化測試基層以形成瓜立測試基元基體系列后的半導體基底結構示意圖；圖29為說明本發明實施例的圖形化測試基層以形成孤立測試基元基體系列后，且具有均勻填充圖形的半導體基底結構示意圖；圖30為說明本發明實施例的圖形化測試基層以形成孤立測試基元基體系列后，且具有不同填充圖形密度的半導體基底結構示意圖；圖31為說明本發明實施例的圖形化測試基層以形成連續測試基元基體系列后的半導體基底結構示意圖；圖32為說明本發明實施例的圖形化測試基層以形成連續測試基元基體系列后，且具有均勻填充圖形的半導體基底結構示意圖；圖33為說明本發明實施例的圖形化測試基層以形成連續測試基元基體系列后，且具有不同填充圖形密度的半導體基底結構示意圖；圖34為說明本發明實施例的圖形化測試基層以形成至少兩個連續測試基元基體系列后的半導體基底結構示意圖；圖35為說明本發明實施例的圖形化測試基層以形成至少兩個連續測試基元基體系列后，且具有均勻填充圖形的半導體基底結構示意圖；圖36為說明本發明實施例的圖形化測試基層以形成至少兩個連續測試基元基體系列后，且具有不同填充圖形密度的半導體基底結構示意圖；圖37為說明本發明實施例的沉積輔助測試基層后的半導體基底結構示意圖；圖38為說明本發明實施例的形成測試基體后的半導體基底結構示意圖。具體實施方式盡管下面將參照附圖對本發明進行更詳細的描述，其中表示了本發明的優選實施例，應當理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發明而仍然實現本發明的有利效果。因此，下列的描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛教導，而并不作為對本發明的限制。為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本發明由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中，必須^f故出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是復雜和規工作。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發明。根據下列說明和權利要求書本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，^叉用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。在本文件中，產品意指形成待;險測區域的處于任意制程階段的在制品；術語"圖形密度，，意指在產品和測試基體的同一平面確定區域內，或者，在產品掩膜或測試基體掩膜確定區域內，待檢測區域包含的材料占據的面積與其相鄰結構包含的材料占據的面積的比值。術語"尺寸"意指沿二維平面內任意方向擴展后獲得的區域參數，如長度、寬度、表面積等。由前所述，以鈍化層作為研磨停止層而平整化已填充隔離物的所述淺溝槽時，若所述鈍化層與其相鄰的所述淺溝槽內隔離物尺寸相差過大，易造成所述鈍化層缺失，致使相鄰的淺溝槽隔離區的隔離效果變差。如何提供合適的工藝窗口，減少所述鈍化層缺失現象的發生，以優化器件隔離性能成為本領域技術人員致力解決的主要問題。實際生產中，通常利用測試基體代替產品進行相應制程檢測。本發明的發明人分析后認為，利用測試基體，真實地檢測所述鈍化層缺失成為確定工藝窗口的指導方向。如圖2所示，本發明提供的測試基體，包含至少一個《瓜立測試單元系列102，單一所述孤立測試單元系列102包含至少兩個孤立測試單元22,所述孤立測試單元22包含一個測試基元202和兩個測試輔助基元2Q4，所述測試基元202與測試輔助基元204間隔相接；單一所述孤立測試單元系列102中包含所述孤立測試單元22的數目及所述孤立測試單元22的結構根據產品要求確定。所述孤立測試單元22的結構包括所述測試基元102和測試輔助基元l04的尺寸。單一所述孤立測試單元系列102內，各所述孤立測試單元22的結構可部分相同或各不相同，部分相同的孤立測試單元22的數目根據產品要求確定；所述測試輔助基元204的尺寸可相同或不相同。對于結構不相同的各所述孤立測試單元22，單一所述《瓜立測試單元系列102內，所述孤立測試單元22的結構可以是漸變的，即所述3瓜立測試單元22內，所述測試基元202尺寸可取至少一個固定值，且單一固定值對應至少兩個尺寸漸變的所述測試輔助基元204(圖未示)；及/或，所述測試輔助基元204尺寸可取至少一個固定值，且單一固定值對應至少兩個尺寸漸變的所述測試基元202。特別地，所述測試基元2Q2和所述測試輔助基元204分別對應不同制程產品中的有源區和淺溝槽隔離區。取固定值的所述測試基元202或測試輔助基元204的數目及尺寸以及與之相接的測試輔助基元204或測試基元202的尺寸均可根據產品要求確定。作為示例，表1和表2為單一孤立測試單元內所述測試輔助基元尺寸相同時孤立測試單元結構的數據表，表1為說明測試輔助基元尺寸取2個固定值，且對單一固定值，對應7個尺寸漸變的所述測試基元的孤立測試單元結構的示意圖表；表2為說明測試基元尺寸取5個固定值，且對單一固定值，分別對應12個、3個、3個、3個和3個尺寸漸變的所述測試輔助基元的孤立測試單元結構的示意圖表。表內尺寸單位均為微米。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>編碼1718192021222324測試基元尺寸0.40.81.60.090.20.40.81.6測試輔助基元尺寸10.410.811.615.015.215.415.816.6測試基元與測試輔助基元的尺寸之比3.8%7.13.80.6541.3%2.6%5.1%9.6°/。如表l所示，所述測試輔助基元取固定值的數目為2，對應的所述測試輔助基元的尺寸分別為IO.28微米和20.15微米，漸變的所述測試基元的尺寸分別為O.08微米、0.l微米、0.14微米、0.2微米、0.3微米、0.4微米和1微米。如表2所示，所述測試基元固定值的數目為5，對應的所述測試輔助基元的尺寸分別為O.OW效米、0.2孩i米、0.4《效米、0.8微米和1.6微米，其中，對應各固定值的所述測試基元的數目分別為12個、3個、3個、3個和3個；漸變的所述測試輔助基元的尺寸分別為l.82微米至59.6《效米之間的24個^:值，不逐一列出。所述^立測試單元外圍具有外圍圖形，如圖3所示，所述外圍圖形222內可具有填充圖形224。所述外圍圖形222的構成，如其包含的材質，與所述測試輔助基元204相同；所述填充圖形224的構成，如其包含的材質，與所述測試基元202相同。如圖4所示，在同一所述孤立測試單元系列內，各所述孤立測試單元外圍填充圖形的圖形密度相同；在不同所述孤立測試單元系列間，相應的孤立測試單元外圍填充圖形的圖形密度不相同；即在第一孤立測試單元系列106內，各所述孤立測試單元22外圍的填充圖形224具有第一填充圖形密度；在第二孤立測試單元系列108內，各所述孤立測試單元22外圍的填充圖形224具有第二填充圖形密度，所述第一填充圖形密度和第二填充圖形密度數值不同。換言之，在不同所述孤立測試單元系列間，單一所述孤立測試單元系列包含的孤立測試單元的結構及組成均相同，區別僅在于孤立測試單元外圍填充圖形的圖形密度不相同。利用所述填充圖形224可檢測產品外圍圖形密度對制造效果的影響。所述測試基體包含的孤立測試單元系列102的數目根據產品要求確定。作為示例，所述測試基體包含的孤立測試單元系列102的數目為2，對應的填充圖形224密度分別為40°/。和20°/。。所述填充圖形224的尺寸根據產品要求及工藝條件確定。作為示例，所述填充圖形224的俯視圖形可為方形、條形、圓形、三角形、棱形或任意工藝可行的形狀等，所述填充圖形224的尺寸可為工藝條件允許范圍內的任意值。作為示例，對65nm工藝，所述填充圖形224的邊長或直徑可為70nm或90nm等。所述填充圖形224的分布，即所述填充圖形224的圖形密度根據產品的外圍圖形密度確定，如，所述填充圖形224的圖形密度與產品的外圍圖形密度之差小于25%。所述填充圖形224與產品外圍圖形密度的模擬近似程度直接影響檢測的真實性。此外，通常，產品外圍圖形224呈非均勻分布，位于具有不同圖形密度的產品外圍圖形內的產品，其邊界區域與產品中心區域的研磨差異也將不同。本發明的發明人分析后認為，所述孤立測試單元22的外圍圖形密度可做較精確的模擬，即可對產品的外圍圖形及相應的孤立測試單元外圍圖形222進行分區，并獲得產品各分區圖形密度；繼而，以各產品分區內具有的圖形密度作為孤立測試單元外圍圖形222分區的圖形密度，在各:瓜立測試單元外圍圖形分區內形成填充圖形224。所述孤立測試單元外圍圖形222分區的圖形密度為所述填充圖形224的面積與各孤立測試單元外圍圖形分區面積的比值。各孤立測試單元外圍圖形222分區面積根據設計要求確定。所述分區數目及分區的形式根據產品要求確定。對任一孤立測試單元22，其外圍的填充圖形224可非均勻分布。作為示例，利用所述測試單元外圍圖形的圖形密度較精確地模擬產品外圍圖形的圖形密度時，采用矩形分區方式，分區凄t目為4，相應地，各分區分別記為第一分區231、第二分區232、第三分區233和第四分區234;所述第一分區231、第二分區232、第三分區233和第四分區234對應的產品外圍分區圖形密度分別為20°/。、40%、50°/和30°/。時，測試基體的結構如圖5所示。具體地，以對應淺溝槽隔離區形成過程中化學機械研磨制程的測試基體為例，所述測試基元和所述測試輔助基元分別對應不同制程產品中的有源區和淺溝槽。如圖6所示，所述測試基體還可包括至少一個連續測試單元系列104,單一所述連續測試單元系列104中包含至少兩個連續測試單元24,所述連續測試單元24包含一個測試基元202和一個測試輔助基元204，所述連續測試單元系列104內測試基元202和測試輔助基元204間隔相^l妻，同一所述連續測試單元系列104內不同連續測試單元24包含的所述測試基元202與所述測試輔助基元204的尺寸之比相同；相鄰的連續測試單元24間所述測試基元202和所述測試輔助基元204的尺寸漸變。同一所述連續測試單元24內所述測試基元202和所述測試輔助基元204的尺寸的比值根據產品要求和工藝條件確定。所述連續測試單元系列104可用以;險測研磨殘留物，其內測試基元202與測試輔助基元204尺寸要求相對產品而言足夠大，所述尺寸根據產品要求和工藝條件確定。需說明的是，用以說明本發明包含連續測試單元系列104的實施例的附圖中，可包含上述孤立測試單元系列102,為便于描述，圖中未示出。作為示例，表3為說明連續測試單元結構的示意圖表。表內尺寸單位均為微米。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>如表3所示，測試基體內所述連續測試單元系列104的數目為1，所述連續測試單元系列104內包含的所述連續測試單元24的lt目為7,所述測試基元202和所述測試輔助基元204尺寸相同時，即所述測試基元202與測試輔助基元204的尺寸之比為50°/時，漸變的所述測試基元202和所述測試輔助基元204的尺寸分別為5微米、IO微米、20微米、50微米、IOO微米、200微米和400微米。如圖7所示，各所述連續測試單元系列104外也可具有外圍圖形222,所述外圍圖形222內還可具有填充圖形224，所述填充圖形224的圖形密度根據產品外圍圖形密度確定。所述外圍圖形222的構成，如其包含的材質，與所述測試輔助基元204相同；所述填充圖形224的構成，如其包含的材質，與所述測試基元202相同。如圖8所示，不同所述連續測試單元系列104中所述測試基元202或所述測試輔助基元204尺寸之比不相同，且各所述連續測試單元系列104外，各所述連續測試單元24外圍填充圖形224均勻分布；如圖9所示，不同所述連續測試單元系列104中所述測試基元202或所述測試輔助基元204尺寸之比相同，且各所述連續測試單元系列104外，各所述連續測試單元24外圍填充圖形224的圖形密度不相同；即在第一連續測試單元系列116內，各所述連續測試單元外圍的填充圖形224具有第一填充圖形密度；在第二連續測試單元系列118內，各所述連續測試單元外圍的填充圖形224具有第二填充圖形密度，所述第一填充圖形密度和第二填充圖形密度數值不同。利用所述填充圖形224可檢測產品外圍圖形密度對制造效果的影響。所述測試基體包含的連續測試單元系列104的數目根據產品要求確定。作為示例，如圖9所示，所述測試基體包含的連續測試單元系列104的數目為2,對應的填充圖形224的圖形密度分別為40%和20%。對任一連續測試單元24,其外圍的填充圖形224可非均勻分布。作為示例，利用所述連續測試單元24的外圍圖形密度較精確地模擬產品的外圍圖形密度時，采用矩形分區方式，分區數目為2，相應地，各分區分別記為第一分區235和第二分區236;所述第一分區235和第二分區236對應的產品外圍分區圖形密度分別為40°/和20%時，測試基體的結構如圖10所示。特別地，如圖11所示，所述測試基體包含至少兩個連續測試單元系列104，且單一所述連續測試單元系列104中包含至少兩個連續測試單元24，單一所述連續測試單元系列104中包含的間隔相接的測試基元202與測試輔助基元204的尺寸分別相同；不同連續測試單元系列104內包含的測試基元202的尺寸不相同，與所述測試基元202間隔相接的測試輔助基元204的尺寸也不相同。所述測試基體中包含的所述連續測試單元系列104的數目、所述連續測試單元系歹']104中包含的連續測試單元24的數目以及所述測試基元202和所述測試輔助基元204的尺寸根據產品要求和工藝條件確定。作為示例，表4為說明連續測試單元系列結構的示意圖表。表內尺寸單位均為微米。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>如表4所示，測試基體內所述連續測試單元系列104的數目為4，所述連續測試單元系列104內包含的所述連續測試單元24的#t目為10，作為示例，對編碼為1的所述連續測試單元系列104，所述測試基元202和測試輔助基元204的尺寸分別為2微米和0.09微米，所述測試基元202和所述測試輔助基元204的尺寸之比為95.7%，不再贅述以其他編碼標示的所述連續測試單元系列104的具體結構。利用如圖ll所示的測試基體，可檢測產品結構密集區和稀疏區內所述測試基元的研磨效果；換言之，可檢測產品結構密集區和稀疏區的鈍化層的研磨效果。此時，如圖12所示，在不同所述連續測試單元系列104間，各所述連續測試單元24外圍填充圖形224密度相同；此外，對任一連續測試單元系列104,其外圍的填充圖形224可非均勻分布。作為示例，利用所述連續測試單元系列的外圍圖形密度較精確地模擬產品的外圍圖形密度時，采用矩形分區方式，分區數目為4，相應地，各分區分別記為第一分區251和第二分區252;所述第一分區251和第二分區252對應的產品外圍分區圖形密度分別為40%和20°/。時，測試基體的結構如圖13所示。如圖14所示，本發明提供的測試基體掩膜ll，包含至少一個孤立測試單元系列掩膜圖形112，單一所述孤立測試單元系列掩膜圖形112包含至少兩個孤立測試單元掩膜圖形12，所述孤立測試單元掩膜圖形12包含一個測試基元掩膜圖形212和兩個測試輔助基元掩膜圖形214,所述測試基元掩膜圖形212與測試輔助基元掩膜圖形214間隔相接；單一所述孤立測試單元系列掩膜圖形112中包含所述孤立測試單元掩膜圖形12的數目及所述孤立測試單元掩膜圖形12的結構根據產品要求確定。單一所述孤立測試單元系列掩膜圖形112內，各所述孤立測試單元掩膜圖形12可部分相同或各不相同，部分相同的孤立測試單元掩膜圖形12的數目根據產品要求確定。所述測試輔助基元掩膜圖形214的尺寸可相同或不相同。對于結構不相同的各所述孤立測試單元掩膜圖形12,以單一所述孤立測試單元系列掩膜圖形112內所述孤立測試輔助基元掩膜圖形214尺寸相同時為例，單一所述孤立測試單元系列掩膜圖形112內，所述孤立測試單元掩膜圖形12的結構可以是漸變的，即所述孤立測試單元掩膜圖形12內，所述測試基元掩膜圖形212尺寸可取至少一個固定值，且對單一固定值，對應至少兩個尺寸漸變的所述測試輔助基元214掩膜圖形；及/或，所述測試輔助基元掩膜圖形214尺寸可取至少一個固定值，且對單一固定值，對應至少兩個尺寸漸變的所述測試基元掩膜圖形212。特別地，所述測試基元掩膜圖形212和所述測試輔助基元掩膜圖形214分別對應不同制程產品中的有源區和淺溝槽隔離區。取固定值的所述測試基元掩膜圖形212或測試輔助基元掩膜圖形214的數目及尺寸以及與之相接的測試輔助基元掩膜圖形214或測試基元掩膜圖形212的尺寸均可根據產品要求確定。所述孤立測試單元掩膜圖形12外圍具有外圍掩膜圖形122,如圖15所示，所述外圍掩膜圖形122內可具有填充掩膜圖形124。所述外圍掩膜圖形122的構成，如其包含的材質，與所述測試輔助基元掩膜圖形214相同；所述填充掩膜圖形124的構成，如其包含的材質，與所述測試基元掩膜圖形212相同。如圖16所示，在同一所述孤立測試單元系列掩膜圖形112內，各所述孤立測試單元掩膜圖形12外圍填充掩膜圖形124的圖形密度相同；在不同所述孤立測試單元系列掩膜圖形112間，相應的孤立測試單元掩膜圖形12外圍填充掩膜圖形124的圖形密度可不相同；即在第一孤立測試單元系列掩膜圖形132內，各所述孤立測試單元掩膜圖形外圍的填充掩膜圖形124具有第一填充掩膜圖形密度；在第二孤立測試單元系列掩膜圖形134內，各所述孤立測試單元掩膜圖形外圍的填充掩膜圖形124具有第二填充掩膜圖形密度，所述第一填充掩膜圖形密度和第二填充掩膜圖形密度數值不同。換言之，在不同所述孤立測試單元系列掩膜圖形112間，單一所述孤立測試單元系列掩膜圖形112包含的孤立測試單元掩膜圖形12的結構及組成均相同，區別僅在于孤立測試單元掩膜圖形外圍填充圖形124的圖形密度不相同。利用所述填充掩膜圖形124可檢測產品掩膜圖形外圍圖形密度對制造效果的影響。所述測試基體掩膜l1包含的孤立測試單元系列掩膜圖形112的數目根據產品要求確定。作為示例，所述測試基體掩膜ll包含的孤立測試單元系列掩膜圖形112的數目為2,對應的填充掩膜圖形124的圖形密度分別為20°/。和40%。所述填充掩膜圖形124的尺寸根據產品要求及工藝條件確定。作為示例，所述填充掩膜圖形124的俯視圖形可為方形、條形、圓形、三角形、棱形或任意工藝可行的形狀等，所述填充掩膜圖形124的尺寸可為工藝條件允許范圍內的任意值。作為示例，對65nm工藝，所述填充掩膜圖形124的邊長或直徑可為70nm或90nm等。所述填充掩膜圖形124的分布，即所述填充掩膜圖形124的圖形密度根據產品掩膜的外圍圖形密度確定，如，所述填充掩膜圖形124的圖形密度與產品掩膜的外圍圖形密度之差小于25%。所述填充掩膜圖形124與產品掩膜外圍圖形密度的模擬近似程度直接影響檢測的真實性。對任一孤立測試單元掩膜圖形12,其外圍的填充掩膜圖形124可非均勻分布。作為示例，利用所述測試單元掩膜圖形外圍圖形的圖形密度較精確地模擬產品外圍圖形的圖形密度時，采用矩形分區方式，分區數目為4,相應地，各分區分別記為第一分區241、第二分區242、第三分區243和第四分區244;所述第一分區241、第二分區2"、第三分區243和第四分區244對應的產品外圍分區圖形密度分別為20%、40°/。、50%和30°/。時，測試基體掩膜的結構如圖17所示。具體地，以對應淺溝槽隔離區形成過程中化學機械研磨制程的測試基體掩膜為例，所述測試基元掩膜圖形212和所述測試輔助基元掩膜圖形214分別對應不同制程產品中的有源區掩膜圖形和淺溝槽掩膜圖形。如圖18所示，所述測試基體掩膜ll還可包括至少一個連續測試單元系列掩膜圖形114,單一所述連續測試單元系列114中包含至少兩個連續測試單元掩膜圖形14，所述連續測試單元掩膜圖形14包含一個測試基元掩膜圖形212和一個測試輔助基元掩膜圖形214,所述測試基元掩膜圖形212和測試輔助基元掩膜圖形214尺寸相同，所述連續測試單元系列掩膜圖形114內測試基元掩膜圖形212和測試輔助基元掩膜圖形214間隔相接，同一所述連續測試單元系列掩膜圖形114內不同連續測試單元掩膜圖形14包含的所述測試基元掩膜圖形212與所述測試輔助基元掩膜圖形214的尺寸之比相同；相鄰的連續測試單元掩膜圖形14間所述測試基元掩膜圖形212和所述測試輔助基元掩膜圖形214的尺寸漸變。同一所述連續測試單元掩膜圖形14內所述測試基元掩膜圖形212和所述測試輔助基元掩膜圖形214的尺寸的比值根據產品要求和工藝條件確定。所述連續測試單元系列掩膜圖形114可用以檢測研磨殘留物，其內測試基元掩膜圖形212與測試輔助基元掩膜圖形214尺寸要求相對產品而言足夠大，所述尺寸根據產品要求和工藝條件確定。如圖19所示，各所述連續測試單元系列掩膜圖形114外也可具有外圍掩膜圖形122,所述外圍掩膜圖形122內還可具有填充掩膜圖形124，所述填充掩膜圖形124的圖形密度根據產品外圍掩膜圖形122的圖形密度確定。所述外圍掩膜圖形122的構成，如其包含的材質，與所述測試輔助基元掩膜圖形214相同；所述填充掩膜圖形124的構成，如其包含的材質，與所述測試基元掩膜圖形212相同。如圖20所示，不同所述連續測試單元系列掩膜圖形114中所述測試基元掩膜圖形212或所述測試輔助基元掩膜圖形214尺寸之比不相同，且各所述連續測試單元系列掩膜圖形114外，各所述連續測試單元掩膜圖形14外圍填充掩膜圖形124均勻分布；如圖21所示，不同所述連續測試單元系列掩膜圖形114中所述測試基元掩膜圖形212或所述測試輔助基元掩膜圖形214尺寸之比相同，且各所述連續測試單元系列掩膜圖形114外，各所述連續測試單元掩膜圖形14外圍填充掩膜圖形124的圖形密度不相同；即在第一連續測試單元系列掩膜圖形132內，各所述連續測試單元外圍的填充掩膜圖形124具有第一填充圖形密度；在第二連續測試單元系列掩膜圖形134內，各所述連續測試單元外圍的填充掩膜圖形124具有第二填充圖形密度，所述第一填充圖形密度和第二填充圖形密度數值不同。利用所述填充掩膜圖形124可檢測產品外圍圖形密度對制造效果的影響。所述測試基體掩膜11包含的連續測試單元系列掩膜圖形14的數目根據產品要求確定。作為示例，如圖21所示，所述測試基體掩膜包含的連續測試單元系列掩膜圖形114的數目為2，對應的填充掩膜圖形124的圖形密度分別為20%和40%。對任一連續測試單元掩膜圖形14,其外圍的填充掩膜圖形124可非均勻分布。作為示例，利用所述連續測試單元掩膜圖形14的外圍圖形密度較精確地模擬產品的外圍圖形密度時，采用矩形分區方式，分區數目為2，相應地，各分區分別記為第一分區245和第二分區246;所述第一分區245和第二分區246對應的產品外圍分區圖形密度分別為40%和20%時，測試基體的結構如圖22所示。特別地，如圖23所示，所述測試基體掩膜包含至少兩個連續測試單元系列掩膜圖形114，且單一所述連續測試單元系列掩膜圖形114中包含至少兩個連續測試單元掩膜圖形14,單一所述連續測試單元系列掩膜圖形114中包含的間隔相接的測試基元掩膜圖形212與測試輔助基元掩膜圖形214的尺寸分別相同；不同連續測試單元系列掩膜圖形114內包含的測試基元掩膜圖形212的尺寸不相同，與所述測試基元掩膜圖形212間隔相接的測試輔助基元掩膜圖形214的尺寸也不相同。所述測試基體掩膜ll中包含的所述連續測試單元系列掩膜圖形114的數目、所述連續測試單元系列掩膜圖形114中包含的連續測試單元掩膜圖形14的數目以及所述測試基元掩膜圖形212和所述測試輔助基元掩膜圖形214的尺寸根據產品要求和工藝條件確定。利用如圖23所示的測試基體掩膜，可檢測產品結構密集區和稀疏區內所述測試基元的研磨效果；換言之，可檢測產品結構密集區和稀疏區的鈍化層的研磨效果。此時，如圖24所示，在不同所述連續測試單元系列掩膜圖形114間，各所述連續測試單元掩膜圖形14外圍填充掩膜圖形124的圖形密度相同；此外，對任一連續測試單元系列掩膜圖形114，其外圍的填充掩膜圖形124可非均勻分布。作為示例，利用所述連續測試單元系列掩膜圖形114的外圍圖形密度較精確地^t擬產品的外圍圖形密度時，采用矩形分區方式，分區數目為4,相應地，各分區分別記為第一分區261和第二分區262;所述第一分區261和第二分區252對應的產品外圍分區圖形密度分別為40%和20%時，測試基體的結構如圖25所示。應用本發明提供的方法形成測試基體的步驟包括在半導體基底上形成測試基層；利用測試基體掩膜，圖形化所述測試基層，以在所述測試基層內形成至少一個孤立測試單元基體系列，所述5^立測試單元基體系列用以形成孤立測試單元系列，所述孤立測試單元基體系列內包含至少兩個測試基元；沉積輔助測試基層，所述輔助測試基層覆蓋所述孤立測試單元基體系列；平整化所述輔助測試基層，以去除覆蓋所述測試基元的輔助測試基層，形成測試基體。如圖26所示，應用本發明提供的方法形成測試基體的具體步驟包括步驟2601:在半導體基底上形成測試基層。如圖27所示，所述半導體基底30意指已經歷部分制程并需制作待執行研磨及檢測操作的膜層的在制品。所述測試基層32即為產品不同檢測制程中的待檢膜層。以對應淺溝槽隔離區形成過程中的化學機械研磨制程為例，由于，所述淺溝槽隔離區形成過程包括提供半導體基材；在所述半導體基材上形成鈍化層及圖形化的抗蝕劑層；以所述圖形化的抗蝕劑層為掩膜，刻蝕所述鈍化層；以刻蝕后的所述鈍化層為硬掩膜，刻蝕部分所述半導體基材，形成所述淺溝槽；以所述鈍化層為停止層，填充并研磨所述淺溝槽。所述半導體基材為已定義器件有源區并需完成淺溝槽隔離的半導體襯底。所述測試基層32即為所述鈍化層。形成所述測試基層32的4喿作可利用化學氣相沉積(CVD)等傳統工藝獲得。步驟2602:利用測試基體掩膜，圖形化所述測試基層，以在所述測試基層內形成至少一個孤立測試單元基體系列，所述孤立測試單元基體系列用以形成孤立測試單元系列，所述孤立測試單元基體系列包含至少兩個測試基元。圖形化所述測試基層的操作與產品的制造步驟同步進行。圖形化所述測試基層的步驟包括在所述測試基層形成圖形化的抗蝕劑層，所述圖形化的抗蝕劑層具有測試基體掩膜圖形；以所述圖形化的抗蝕劑層為掩膜，刻蝕所述測試基層。所述形成圖形化的抗蝕劑層包含所述抗蝕劑層的涂覆、烘干、光刻、曝光及^r測等步驟，相關工藝可應用各種傳統的方法，應用的所述抗蝕劑層可選用任何可應用于半導體制程中的抗蝕劑材料，在此均不再贅述。如圖28所示，所述孤立測試單元基體系列40中包含至少兩個測試基元202,各所述測試基元202對應產品內單一結構。所述測試基元202的組成和尺寸根據檢測要求確定。以對應淺溝槽隔離區形成過程中的化學機械研磨制程為例，所述測試基元對應形成淺溝槽后位于所述淺溝槽之間的有源區。單一所述孤立測試單元基體系列40內，各所述測試基元202的結構可部分相同或各不相同，對于結構不相同的各所述測試基元202，單一所述孤立測試單元基體系列40內，所述測試基元202的結構可以是漸變的，所述測試基元202的結構漸變形式根據產品要求確定。利用測試基體掩膜，圖形化所述測試基層32后，在所述測試基層32內還形成填充圖形224,所述填充圖形224的構成，如其包含的材質，與所述測試基元202相同。所述填充圖形224的尺寸根據產品要求及工藝條件確定。作為示例，所述填充圖形224的俯視圖形可為方形、條形、圓形、三角形、棱形或任意工藝可行的形狀等，所述填充圖形224的尺寸可為工藝條件允許范圍內的任意值。作為示例，對65nm工藝，所述填充圖形224的邊長或直徑可為70nm或90nm等。所述填充圖形224的分布，即所述填充圖形224的圖形密度根據產品的外圍圖形密度確定，如，所述填充圖形224的圖形密度與產品的外圍圖形密度之差小于25°/。如圖29所示，各孤立測試單元基體系列40外填充圖形224可均勻分布，或者，對單一孤立測試單元基體系列40，其外圍的填充圖形224均勻分布，但是對于不同的孤立測試單元基體系列40，其外圍的填充圖形224的均勻分布的方式可不相同。所述填充圖形224與產品外圍圖形密度的模擬近似程度直接影響檢測的真實性。特別地，對任一測試基元202,其外圍的填充圖形224可非均勻分布。作為示例，利用所述測試基元的外圍圖形密度較精確地模擬產品的外圍圖形密度時，采用矩形分區方式，分區數目為2，相應地，各分區分別記為第一分區52及第二分區54;所述第一分區52及第二分區54對應的產品外圍分區圖形密度分別為20%和40%時，測試基體的結構如圖30所示。所述填充圖形與孤立測試單元基體系列對應的產品同步制造，可應用現行工藝，所述填充圖形的深度(縱向)尺寸可不受限制。利用測試基體掩膜，圖形化所述測試基層后，在所述測試基層內還形成至少一個連續測試單元基體系列60，所述連續測試單元基體系列60用以形成連續測試單元系列，如圖31所示，所述連續測試單元基體系列60包含至少兩個測試基元202。單一所述連續測試單元基體系列60中包含的測試基元202的尺寸可漸變，且各測試基元202間的間隔均與位于所述間隔同一側的相鄰測試基元202的尺寸相同。在所述連續測試單元基體系列60外仍可具有填充圖形。如圖32所示，所述連續測試單元基體系列外圍填充圖形224密度相同；或者，對任一連續測試單元基體系列60，其外圍的填充圖形224可非均勻分布。作為示例，利用所述連續測試單元基體系列的外圍圖形密度較精確地模擬產品的外圍圖形密度時，采用矩形分區方式，分區數目為2,相應地，各分區分別記為第一分區72和第二分區74;所述第一分區72和第二分區74對應的產品外圍分區圖形密度分別為20°/。和40%時，測試基體的結構如圖33所示。此外，如圖34所示，單一所述連續測試單元基體系列60中包含的測試基元202的尺寸可分別相同，即測試基元224均勻分布；不同連續測試單元基體系列60內包含的測試基元202的尺寸可不相同。所述連續測試單元基體系列60的數目、所述連續測試單元基體系列60中包含的測試基元202的數目以及所述測試基元202的尺寸根據產品要求和工藝條件確定。此時，在所述連續測試單元基體系列60外仍可具有填充圖形224。如圖35所示，在不同所述連續測試單元基體系列60間，各所述連續測試單元基體系列60外圍填充圖形224密度相同。對任一連續測試單元基體系列60,其外圍的填充圖形224可非均勻分布。作為示例，利用所述連續測試單元基體系列60的外圍圖形密度較精確地模擬產品的外圍圖形密度時，采用矩形分區方式，分區數目為2,相應地，各分區分別記為第一分區82和第二分區84;所述第一分區82和第二分區84對應的產品外圍分區圖形密度分別為20%和40%時，測試基體的結構如圖36所示。繼而，以圖形化測試基層以形成孤立測試基元基體系列后的半導體基底為例，繼續后續步驟的說明。步驟2603:如圖37所示，沉積輔助測試基層90，所述輔助測試基層覆蓋所述孤立測試單元基體系列40。所述輔助測試基層90對應的產品中的結構與產品中待檢膜層對應的結構相鄰。以對應淺溝槽隔離區形成過程中的化學機械研磨制程為例，所述輔助測試基層即為填充所述淺溝槽的隔離物膜層，所述隔離物可為二氧化硅。步驟2604:如圖38所示，平整化所述輔助測試基層90，以去除覆蓋所述測試基元202的輔助測試基層90，形成測試基體。對于連續測試單元基體系列，位于測試基元之間的所述輔助測試基層構成測試輔助基元；對于孤立測試單元基體系列，位于各所述測試基元之間，且與所述測試基元相接的所述輔助測試基層構成測試輔助基元，具體地，所述孤立測試單元基體系列內存在填充圖形時，位于測試基元與其相鄰的填充圖形之間的所述輔助測試基層構成測試輔助基元。需強調的是，未加說明的步驟均可釆用傳統的方法獲得，且具體的工藝參數根據產品要求及工藝條件確定。盡管通過在此的實施例描述說明了本發明，和盡管已經足夠詳細地描述了實施例，申請人不希望以任何方式將權利要求書的范圍限制在這種細節上。對于本領域技術人員來說另外的優勢和改進是顯而易見的。因此，在較寬范圍的本發明不限于表示和描述的特定細節、表達的設備和方法和說明性例子。因此，可以偏離這些細節而不脫離申請人總的發明概念的精神和范圍。權利要求1.一種測試基體，其特征在于所述測試基體包含至少一個孤立測試單元系列，單一所述孤立測試單元系列包含至少兩個孤立測試單元，所述孤立測試單元包含一個測試基元和兩個測試輔助基元，所述測試基元與測試輔助基元間隔相接。2.根據權利要求1所述的測試基體，其特征在于單一所述孤立測試單元系列內，所述測試基元尺寸取至少一個固定值，且單一固定值對應至少兩個尺寸漸變的所述測試輔助基元。3.根據權利要求1或2所述的測試基體，其特征在于單一所述孤立測試單元系列內，所述測試輔助基元尺寸取至少一個固定值，且單一固定值對應至少兩個尺寸漸變的所述測試基元。4.根據權利要求1所述的測試基體，其特征在于所述孤立測試單元外圍具有外圍圖形，所述外圍圖形內具有填充圖形。5.根據權利要求4所述的測試基體，其特征在于所述填充圖形內包含的材質與所述測試基元內包含的材質相同。6.根據權利要求4或5所述的測試基體，其特征在于同一所述孤立測試單元系列內，所述填充圖形的圖形密度相同。7.根據權利要求4或5所述的測試基體，其特征在于在不同所述孤立測試單元系列間，所述填充圖形的圖形密度不相同。8.根據權利要求4或5所述的測試基體，其特征在于對單一孤立測試單元，其外圍的填充圖形非均勻分布。9.根據權利要求4所述的測試基體，其特征在于所述填充圖形的圖形密度與所述測試基體模擬的產品的外圍圖形的圖形密度之差小于25%。10.根據權利要求1所述的測試基體，其特征在于所述測試基體還包括至少一個連續測試單元系列，單一所述連續測試單元系列中包含至少兩個連續測試單元，所述連續測試單元包含一個測試基元和一個測試輔助基元，所述連續測試單元系列內測試基元和測試輔助基元間隔相接；同一所述連續測試單元系列內不同連續測試單元包含的所述測試基元與所述測試輔助基元的尺寸之比相同，相鄰的連續測試單元間所述測試基元和所述測試輔助基元的尺寸漸變。11.根據權利要求10所述的測試基體，其特征在于所述連續測試單元系列外圍具有外圍圖形，所述外圍圖形內具有填充圖形。12.根據權利要求11所述的測試基體，其特征在于在同一所述連續測試單元系列外圍，各所述連續測試單元外圍填充圖形均勻分布。13.根據權利要求11所述的測試基體，其特征在于不同所述連續測試單元系列中所述測試基元或所述測試輔助基元尺寸之比不相同，且各所述連續測試單元系列外圍，各所述連續測試單元外圍填充圖形均勻分布。14.根據權利要求11所述的測試基體，其特征在于不同所述連續測試單元系列中所述測試基元或所述測試輔助基元尺寸之比相同，且各所述連續測試單元系列外圍，各所述連續測試單元外圍填充圖形的圖形密度不相同。15.根據權利要求1所述的測試基體，其特征在于所述測試基體還包含至少兩個連續測試單元系列，且單一所述連續測試單元系列中包含的測試基元與測試輔助基元的尺寸相同時，在不同所述連續測試單元系列中，測試基元或測試輔助基元的尺寸不相同。16.根據權利要求15所述的測試基體，其特征在于各所述連續測試單元外圍填充圖形的圖形密度相同。17.根據權利要求ll、12或16所述的測試基體，其特征在于對單一連續測試單元系列，其外圍的填充圖形非均勻分布。18.—種測試基體掩膜，其特征在于所述測試基體掩膜包含至少一個孤立測試單元系列掩膜圖形，單一所述孤立測試單元系列掩膜圖形包含至少兩個孤立測試單元掩膜圖形，所述孤立測試單元掩膜圖形包含一個測試基元掩膜圖形和兩個測試輔助基元掩膜圖形，所述測試基元掩膜圖形與測試輔助基元掩膜圖形間隔相接。19.根據權利要求18所述的測試基體掩膜，其特征在于單一所述孤立測試單元系列掩膜圖形內，所述測試基元掩膜圖形尺寸取至少一個固定值，且單一固定值對應至少兩個尺寸漸變的所述測試輔助基元掩膜圖形。20.根據權利要求18或19所述的測試基體掩膜，其特征在于單一所述孤立測試單元系列掩膜圖形內，所述測試輔助基元掩膜圖形尺寸取至少一個固定值，且單一固定值對應至少兩個尺寸漸變的所述測試基元掩膜圖形。21.根據權利要求18所述的測試基體掩膜，其特征在于所述孤立測試單元掩膜圖形外圍具有外圍掩膜圖形，所述外圍掩膜圖形內具有填充掩膜圖形。22.根據權利要求21所述的測試基體掩膜，其特征在于所述填充掩膜圖形內包含的材質與所述測試基元掩膜圖形內包含的材質相同。23.根據權利要求21或22所述的測試基體掩膜，其特征在于同一所述孤立測試單元系列掩膜圖形內，所述填充掩膜圖形的圖形密度相同。24.根據權利要求21或22所述的測試基體掩膜，其特征在于在不同所述孤立測試單元系列掩膜圖形間，所述填充掩膜圖形的圖形密度不相同。25.根據權利要求21或22所述的測試基體掩膜，其特征在于對單一孤立測試單元掩膜圖形，其外圍的填充掩膜圖形非均勻分布。26.根據權利要求21所述的測試基體掩膜，其特征在于所述填充掩膜圖形的圖形密度與利用測試基體模擬的產品的掩膜的外圍圖形圖形密度之差小于25%。27.根據權利要求18所述的測試基體掩膜，其特征在于所述測試基體掩膜還包括至少一個連續測試單元系列掩膜圖形，單一所述連續測試單元系列掩膜圖形中包含至少兩個連續測試單元掩膜圖形，所述連續測試單元掩膜圖形包含一個測試基元掩膜圖形和一個測試輔助基元掩膜圖形，所述連續測試單元系列掩膜圖形內測試基元掩膜圖形和測試輔助基元掩膜圖形間隔相接；同一所述連續測試單元系列掩膜圖形內不同連續測試單元掩膜圖形包含的所述測試基元掩膜圖形與所述測試輔助基元掩膜圖形的尺寸之比相同，相鄰的連續測試單元掩膜圖形間所述測試基元掩膜圖形和所述測試輔助基元掩膜圖形的尺寸漸變。28.根據權利要求27所述的測試基體掩膜，其特征在于所述連續測試單元系列掩膜圖形外圍具有外圍掩膜圖形，所述外圍掩膜圖形內具有填充掩膜圖形。29.根據權利要求28所述的測試基體掩膜，其特征在于在同一所述連續測試單元系列掩膜圖形外圍，各所述連續測試單元掩膜圖形外圍填充掩膜圖形均勻分布。30.根據權利要求28所述的測試基體掩膜，其特征在于不同所述連續測試單元系列掩膜圖形中所述測試基元掩膜圖形或所述測試輔助基元掩膜圖形尺寸之比不相同，且各所述連續測試單元系列掩膜圖形外圍，各所述連續測試單元掩膜圖形外圍填充掩膜圖形均勻分布。31.根據權利要求28所述的測試基體掩膜，其特征在于不同所述連續測試單元系列掩膜圖形中所述測試基元掩膜圖形或所述測試輔助基元掩膜圖形尺寸之比相同，且各所述連續測試單元系列掩膜圖形外圍，各所述連續測試單元掩膜圖形外圍填充掩膜圖形的圖形密度不相同。32.根據權利要求18所述的測試基體掩膜，其特征在于所述測試基體掩膜還包含至少兩個連續測試單元系列掩膜圖形，且單一所述連續測試單元系列掩膜圖形中包含的測試基元掩膜圖形與測試輔助基元掩膜圖形的尺寸相同時，在不同所述連續測試單元系列掩膜圖形中，測試基元掩膜圖形或測試輔助基元掩膜圖形的尺寸不相同。33.根據權利要求32所述的測試基體掩膜，其特征在于各所述連續測試單元掩膜圖形外圍填充掩膜圖形的圖形密度相同。34.根據權利要求28、29或33所述的測試基體掩膜，其特征在于對單一連續測試單元系列掩膜圖形，其外圍的填充掩膜圖形非均勻分布。35.—種測試基體的形成方法，其特征在于，包括在半導體基底上形成測試基層；利用測試基體掩膜，圖形化所述測試基層，以在所述測試基層內形成至少一個孤立測試單元基體系列，所述孤立測試單元基體系列用以形成孤立測試單元系列，所述孤立測試單元基體系列內包含至少兩個測試基元；沉積輔助測試基層，所述輔助測試基層覆蓋所述5^立測試單元基體系列；平整化所述輔助測試基層，以去除覆蓋所述測試基元的輔助測試基層，形成測試基體。36.根據權利要求35所述的測試基體的形成方法，其特征在于利用測試基體掩膜，圖形化所述測試基層后，在所述測試基層內還形成連續測試單元基體系列，所述連續測試單元基體系列用以形成連續測試單元系列，所述連續測試單元基體系列內包含至少兩個測試基元。37.根據權利要求35或36所述的測試基體的形成方法，其特征在于利用測試基體掩膜，圖形化所述測試基層后，在所述測試基層內還形成填充圖形。全文摘要一種測試基體，所述測試基體包含至少一個孤立測試單元系列，單一所述孤立測試單元系列包含至少兩個孤立測試單元，所述孤立測試單元包含一個測試基元和兩個測試輔助基元，所述測試基元與測試輔助基元間隔相接。本發明還提供了一種測試基體掩膜和一種測試基體的形成方法。可通過檢測所述鈍化層缺失的變化，進而可獲得合適的工藝窗口，以抑制所述鈍化層缺失現象的發生。文檔編號H01L21/00GK101295705SQ200710040248公開日2008年10月29日申請日期2007年4月24日優先權日2007年4月24日發明者鄧永平申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司