專利名稱：用以減少暗電流的ono側(cè)墻刻蝕工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路及半導(dǎo)體器件的制造工藝，更具體地，本發(fā)明提供 了 一種制造CMOS圖像傳感器的方法和結(jié)構(gòu)，所述CMOS圖像傳感器為先進(jìn)應(yīng) 用降低了暗電流。但是應(yīng)該認(rèn)識(shí)到本發(fā)明具有更廣的應(yīng)用范圍。
背景技術(shù)：
集成電路已經(jīng)從制造在單個(gè)硅芯片上的少量互連器件發(fā)展到數(shù)百萬個(gè)器 件。常規(guī)集成電路具有遠(yuǎn)超過原來設(shè)想的性能和復(fù)雜性。為了實(shí)現(xiàn)復(fù)雜性和 電路密度(即，能封裝到給定芯片面積上的器件數(shù)目)的改進(jìn)，亦稱為器件 "幾何尺寸，，的最小器件特征的尺寸也隨著每代集成電路變得越來越小。
增加電路密度不僅改善集成電路的復(fù)雜性和性能，而且為消費(fèi)者提供較 低成本的部件。集成電路或芯片的制造設(shè)備可花費(fèi)數(shù)億或甚至數(shù)十億美元。 各個(gè)制造設(shè)備將具有一定的晶片生產(chǎn)能力，并且各個(gè)晶片會(huì)在其上具有若干 集成電路。因此，通過使得集成電路的單個(gè)器件更小，可以在每個(gè)晶片上制 造更多的器件，因此增加制造設(shè)備的產(chǎn)出。使器件更小非常具有"t兆戰(zhàn)性，這 是因?yàn)榧呻娐窐?gòu)造中使用的每個(gè)工藝具有限制。即，給定工藝通常僅能加 工小至一定的特征尺寸，然后需要改變工藝或器件布局。
這種限制的一個(gè)例子是在圖像傳感器方面特別是消費(fèi)者應(yīng)用方面。隨著 對像素靈敏度和像素密度的要求的增加，像素布局和相關(guān)的集成電路的設(shè)計(jì) 變得越來越重要。在本發(fā)明的整個(gè)說明書中特別是下文中會(huì)更詳細(xì)地說明這 些及其他限制。
綜上所述，需要一種改進(jìn)的制造半導(dǎo)體器件的方法。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種形成CMOS圖像傳感器的方法。更具 體地，本發(fā)明提供了一種具有較低暗電流的CMOS圖像傳感器的制造方法和 結(jié)構(gòu)。但是應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明具有更廣的應(yīng)用范圍。例如，所述方法可以 被應(yīng)用到制造其他集成電路中，比如邏輯器件、存儲(chǔ)器件和其他器件等。
在一個(gè)特定的實(shí)施例中，本發(fā)明提供了一種形成具有較低暗電流的 CMOS圖像傳感器的方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底可以是 單晶硅、絕緣體上硅、硅鍺等等，所述半導(dǎo)體襯底具有表面區(qū)域和為P型摻 雜；所述方法包括形成覆蓋半導(dǎo)體襯底的表面區(qū)域的柵氧化層；所述方法包 括形成覆蓋柵氧化層的第一部分的第一柵結(jié)構(gòu)；所述方法還包括在半導(dǎo)體襯 底的一部分形成N型摻雜區(qū)域，以在N型區(qū)域與P型區(qū)域之間形成光電二極 管器件；所述方法包括形成覆蓋第一柵結(jié)構(gòu)的毯式側(cè)墻層(Blanket spacer layer),所述側(cè)墻層依次包括氧化層-氮化層-氣化層(ONO )結(jié)構(gòu)；所述方 法還利用毯式側(cè)墻層為第一套器件形成一個(gè)或者多個(gè)側(cè)墻結(jié)構(gòu)，同時(shí)至少保 留氧化層-氮化層-氧化層的部分二氧化硅層于光電二^l管層上。
通過本發(fā)明可以獲得很多勝過傳統(tǒng)技術(shù)的益處。例如，本發(fā)明技術(shù)提供 了一種依賴于現(xiàn)有技術(shù)的易于使用的工藝。在一些實(shí)施例中，所述方法提供
了更高的器件可靠性和性能。基于該實(shí)施例，還可以得到一個(gè)或者更多的優(yōu) 點(diǎn)。在本發(fā)明的整個(gè)說明書中特別是下文中會(huì)更詳細(xì)地說明這些及其他優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明通過毯式側(cè)墻層刻蝕工藝，至少保留氧化層-氮化層_氧化層結(jié) 構(gòu)中的部分二氧化硅層于光電二極管區(qū)域上，覆蓋光電二極管區(qū)域的氧化層 防止刻蝕過程對柵氧化層或者硅和柵氧化層的界面區(qū)域造成損傷，減少了刻 蝕過程中在光電二極管區(qū)域的柵氧化層以及柵氧化層/襯底界面上產(chǎn)生的缺 陷，因而故減少了 CMOS圖像傳感器中暗電流的產(chǎn)生，改進(jìn)了像素的傳感性6匕
參考詳細(xì)的說明書和隨后的附圖可以更完整地理解本發(fā)明的各個(gè)附加的 目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。


圖1為現(xiàn)有的制造CMOS圖像傳感器的方法的簡化示意圖2為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的形成CMOS圖像傳感器的示例方法的 簡化流程示意圖3至圖9為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的形成CMOS圖像傳感器的方法 的簡化示意圖10為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的比較光電二極管結(jié)漏電流的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明，提供了涉及集成電路及半導(dǎo)體器件制造的工藝的技術(shù)。特 別地，本發(fā)明提供了一種制造CMOS圖像傳感器集成電路器件的方法。更具 體地，本發(fā)明提供了一種制造具有較低暗電流的CMOS圖像傳感器的方法。 但是應(yīng)該認(rèn)識(shí)到根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例具有更為廣泛的應(yīng)用范圍。本發(fā)明的詳 細(xì)內(nèi)容可以通過本說明書，特別下文獲得。
CMOS圖像傳感器作為數(shù)字消費(fèi)應(yīng)用的優(yōu)先技術(shù)正方興未艾。為了能夠 改進(jìn)像素傳感性能，CMOS圖像傳感器技術(shù)需要改進(jìn)的像素布局設(shè)計(jì)和集成 電路工藝。暗電流是影響傳感器性能的一個(gè)主要的因素，尤其是在低光條件 下。引起暗電流的因素包括光電二極管及其周圍區(qū)域中的硅表面、硅和柵氧 化層界面上的缺陷。現(xiàn)有的制造技術(shù)對于高密度像素CMOS圖像傳感器布局 可能變得不再有效。圖1為現(xiàn)有的制造CMOS圖像傳感器的方法的筒化示意 圖。如圖所示，提供半導(dǎo)體襯底101，作為一個(gè)實(shí)施例，所述半導(dǎo)體襯底101可以為摻有P型雜質(zhì)的單晶硅；圖1中還給出摻有N型雜質(zhì)的光電二極管區(qū) 域103;覆蓋于光電二極管區(qū)域103形成了 P型摻雜區(qū)域105,即形成一個(gè)釘 扎的光電二極管結(jié)構(gòu)，表面上的P型摻雜的區(qū)域用于防止表面暗電流泄漏； 現(xiàn)有制造CMOS圖像傳感器方法還包括形成覆蓋柵氧化層111的柵結(jié)構(gòu)107， 所述柵氧化層111可以為熱氧化生長；現(xiàn)有方法包括在源/漏區(qū)域和溝道區(qū)域 注入的步驟。然后，淀積覆蓋柵結(jié)構(gòu)107上毯式介質(zhì)層，所述毯式介質(zhì)層通 常包括二氧化硅，將毯式介質(zhì)層置于各向異性的刻蝕工藝，以形成覆蓋部分 柵結(jié)構(gòu)的側(cè)墻結(jié)構(gòu)，在現(xiàn)有方法中，所述側(cè)墻刻蝕工藝還包括遮蔽光電二極 管區(qū)域103以防止對光電二極管區(qū)域103上的熱氧化層造成損傷，例如，所 述光電二極管區(qū)域103可以采用光刻膠材料來遮蔽覆蓋光電二極管區(qū)域103 上的毯式介質(zhì)層，在光電二極管區(qū)域103保留毯式介質(zhì)層。在這種情況下， 所述毯式介質(zhì)層僅限于可以透光的材料，比如二氧化硅。然而，有些介質(zhì)材 料可能會(huì)阻止光傳輸?shù)竭@些光敏區(qū)域，因此阻止CMOS圖像傳感器件的性能。 在本發(fā)明的整個(gè)說明書中特別是下文中會(huì)更詳細(xì)地說明這些及其他限制。
圖2為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的形成CMOS圖像傳感器的示例方法的 簡化流程示意圖。如圖所示，所述方法包括提供半導(dǎo)體襯底(步驟201),所 述半導(dǎo)體襯底可以為單晶硅、絕緣體上硅(Silicon On Insulator, SOI)、硅鍺 等等，在一個(gè)特定實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底為摻有合適雜質(zhì)的硅襯底，在 一個(gè)優(yōu)化實(shí)施例中，所述硅襯底摻有P型雜質(zhì)諸如硼；所述方法包括形成覆 蓋半導(dǎo)體襯底的柵介質(zhì)層(步驟203 ),所述柵介質(zhì)層可以采用生長的氧化層 諸如熱氧化形成，其它介質(zhì)材料也可以使用；所述方法包括形成覆蓋部分柵 介質(zhì)層的柵結(jié)構(gòu)(步驟205 );所述方法包括在部分半導(dǎo)體襯底內(nèi)提供光敏區(qū) 域(步驟207 ),所述光敏區(qū)域可以通過注入工藝形成，對于P型的硅襯底， 光敏區(qū)域可以采用N型雜質(zhì)摻雜，作為一個(gè)實(shí)例，所述N型雜質(zhì)可以包括砷、 銻、磷等等；所述方法還形成覆蓋半導(dǎo)體襯底和柵結(jié)構(gòu)上的毯式介質(zhì)層(步驟209),在一個(gè)特定實(shí)施例中，所述毯式介質(zhì)層包括復(fù)合介質(zhì)層，比如ONO 層，所述ONO層包括底部二氧化硅層、中間氮化硅層和頂部二氧化硅層。當(dāng) 然可以具有其它的變化、改變和替代方案。
在一個(gè)特定實(shí)施例中，所述方法還包括刻蝕工藝以去除半導(dǎo)體襯底上的 頂部二氧化硅層、中間氮化硅層和部分覆蓋半導(dǎo)體襯底的底部二氧化硅層(步 驟211);所述方法包括淀積遮蔽層覆蓋光敏區(qū)域(步驟213)并進(jìn)行側(cè)墻刻 蝕工藝(步驟215)，在一個(gè)特定實(shí)施例中，側(cè)墻結(jié)構(gòu)隔離了柵結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體 襯底中的有源區(qū)，在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，側(cè)墻結(jié)構(gòu)使用毯式側(cè)墻刻蝕工藝 形成，可以為各向異性刻蝕。所述毯式側(cè)墻刻蝕工藝留下部分底部二氧化硅 層覆蓋半導(dǎo)體襯底和頂部柵結(jié)構(gòu)；所述方法然后遮蔽光敏區(qū)域(步驟213),
方法繼續(xù)其它步驟，以完成圖像傳感器(步驟215)。當(dāng)然本領(lǐng)域的技術(shù)人員 會(huì)認(rèn)識(shí)到其它變化、改變和替代方案。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，上述步驟提供了制造CMOS圖像傳感器的方 法。如圖所示，所述方法包括提供側(cè)墻刻蝕工藝而不會(huì)對柵氧化層或者覆蓋 光電二極管區(qū)域的硅和柵氧化層的界面區(qū)域造成損傷。依賴于特定實(shí)施例， 可以增加、刪除可替代步驟、或者改變次序。
圖3至圖9為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的形成CMOS圖像傳感器的方法
護(hù)范圍。任何本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員都可以認(rèn)識(shí)到許多變化、修改或者替換。 如圖3所示，提供半導(dǎo)體襯底301,所述半導(dǎo)體襯底301可以為單晶硅、絕緣 體上硅、硅鍺等等。在一個(gè)特定實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底301為摻有合適 雜質(zhì)的硅晶圓，例如半導(dǎo)體襯底301可以為摻有諸如硼的P型雜質(zhì)的硅晶圓； 所述方法在襯底中形成隔離區(qū)域303,在一個(gè)特定實(shí)施例中，所述隔離區(qū)域 303可以為形成在部分半導(dǎo)體襯底301中的淺溝槽隔離(STI)區(qū)域，所述STI區(qū)域可以通過圖形化、刻蝕以及隨后的在溝槽區(qū)域內(nèi)采用介質(zhì)填充材料填充 溝槽形成。依賴于特定實(shí)施例，所述溝槽填充介質(zhì)材料通常可以為二氧化硅、 氮化硅或者其組合，所述隔離區(qū)域303隔離了襯底中的有源區(qū)域。當(dāng)然可具 有其它的變化、改變和替代方案。
在一個(gè)特定實(shí)施例中，所述方法包括形成覆蓋半導(dǎo)體襯底的柵介質(zhì)層
305,如圖3所示。優(yōu)選地，所述柵介質(zhì)層305包括具有高質(zhì)量的致密的介質(zhì) 材料，例如熱氧化層。根據(jù)特定實(shí)施例，也可以使用其它材料諸如氮化硅或 者氮氧化硅。
參考圖4，所述方法形成覆蓋半導(dǎo)體襯底的柵結(jié)構(gòu)401,所述柵結(jié)構(gòu)401 具有頂部區(qū)域403和側(cè)面區(qū)域405,所述柵結(jié)構(gòu)401可以使用摻有合適雜質(zhì)的 多晶硅形成。當(dāng)然可具有其它的變化、改變和替代方案。
在一個(gè)特定實(shí)施例中，所述方法在部分半導(dǎo)體襯底中形成光敏區(qū)域502， 如圖5所示。例如，對于P型襯底，所述光敏區(qū)域502可以使用諸如砷、磷、 銻以及其它的N型雜質(zhì)形成。在一個(gè)特定實(shí)施例中，所述方法還在部分光敏 區(qū)域502的表面區(qū)域形成P型區(qū)域504,所述P型區(qū)域504釘扎光敏區(qū)域502 的表面區(qū)域，所述光敏區(qū)域502摻有N型雜質(zhì)。所述釘扎減少了光敏區(qū)域502 的表面區(qū)域中的暗電流泄漏。當(dāng)然可具有其它的變化、改變和替代方案。
參考圖6,所述方法包括形成覆蓋柵結(jié)構(gòu)和暴露部分的柵介質(zhì)層的毯式介 質(zhì)層602。所述毯式介質(zhì)層602可以使用介質(zhì)材料形成，例如二氧化硅、氮化 硅或者其組合。在一個(gè)特定實(shí)施例中，所述毯式介質(zhì)層602采用諸如氧化層、 氮化層、氧化層的介質(zhì)堆疊的復(fù)合介質(zhì)材料組成，通常稱作ONO(頂部二氧 化硅層和底部二氧化硅層夾著氮化硅層的三明治結(jié)構(gòu))。當(dāng)然可具有其它的變 化、改變和替代方案。以形成覆蓋柵結(jié)構(gòu)401的側(cè)墻結(jié)構(gòu)701。所述毯式刻蝕工藝去除了頂部二氧化
硅層、氮化硅層以及覆蓋于襯底上的部分底部二氧化硅層。在一個(gè)特定實(shí)施
例中，所述底部二氧化硅層用作停止層703。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，光電二 極管區(qū)域103所保留的底部二氧化硅層的厚度范圍為80埃至200埃，并且完 全沒有氮化硅。因此，光敏區(qū)域502的光傳輸不會(huì)受到負(fù)面影響。光電二極 管區(qū)域103所保留的底部二氧化硅層還作為柵介質(zhì)層和光電二極管區(qū)域103 的柵介質(zhì)與襯底界面的保護(hù)層。當(dāng)然可具有其它的變化、改變和替代方案。
如圖8所示，所述方法包括淀積覆蓋光敏區(qū)域502的遮蔽層801,同時(shí)暴 露出其他區(qū)域。在一個(gè)特定實(shí)施例中，所述掩膜層801可以為光刻膠材料。 在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，在后續(xù)的側(cè)墻刻蝕工藝中，所述遮蔽層801保護(hù)光 敏區(qū)域的覆蓋半導(dǎo)體襯底301的底部二氧化硅層和柵介質(zhì)層以及柵介質(zhì)層與 襯底之間的界面區(qū)域。當(dāng)然可具有其它的變化、改變和替代方案。
參考圖9,所述方法執(zhí)行側(cè)墻刻蝕工藝900以形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)901，而光電 二極管區(qū)域103被遮蔽住。在一個(gè)特定實(shí)施例中，所述側(cè)墻刻蝕工藝包括在 等離子體的環(huán)境中的各向異性刻蝕。所述側(cè)墻刻蝕工藝去除了非遮蔽區(qū)域的 覆蓋襯底的二氧化硅層。在一個(gè)特定實(shí)施例中，所述側(cè)墻結(jié)構(gòu)901包括覆蓋 柵結(jié)構(gòu)107側(cè)面部分上ONO堆疊層。如圖所示，側(cè)墻結(jié)構(gòu)901覆蓋柵結(jié)構(gòu) 107的側(cè)面部分，并且將柵結(jié)構(gòu)107與襯底隔離。當(dāng)然可具有其它的變化、改 變和替代方案。
所述方法繼續(xù)其他工藝步驟以完成整個(gè)CMOS圖像傳感器。其中，這些 其他的工藝步驟包括淀積層間介質(zhì)層、導(dǎo)體/金屬層以及保護(hù)層。當(dāng)然可具有 其它的變化、改變和替代方案。
圖10為根據(jù)本發(fā)明的 一個(gè)實(shí)施例的比較光電二極管結(jié)漏電流的曲線圖。 如圖所示，縱軸表示每個(gè)像素的光電二極管的結(jié)漏電流，以fA表示；橫軸表示晶圓標(biāo)號(hào)ID。標(biāo)號(hào)為20-24的晶圓包括在側(cè)墻刻蝕工藝中在光敏區(qū)域上使 用遮蔽層保護(hù)表面二氧化硅層。標(biāo)號(hào)為2 18的晶圓使用現(xiàn)有的CMOS側(cè)墻刻 蝕工藝。如圖所示，根據(jù)一個(gè)特定實(shí)施例，光電二極管區(qū)域的氧化硅/硅的損 傷被消除，因此漏電流或者暗電流減小。當(dāng)然可具有其它的變化、改變和替 代方案。
盡管上述內(nèi)容為具體實(shí)施例的完全描述，但是可以具有其他不同的改變、 替換或者等同的替換。例如，上述具體實(shí)施方式
中描述了使用P型襯底與光 電二極管器件區(qū)域使用N型雜質(zhì)、也可以使用N型襯底與光電二極管器件區(qū) 域使用P型雜質(zhì)。另外，隔離區(qū)域可以使用其他隔離結(jié)構(gòu)，其中，例如場氧 化區(qū)域。因此，上述描述和附圖不應(yīng)該被用來限制本發(fā)明所要求的保護(hù)范圍， 其應(yīng)該是由附加的權(quán)利要求書所定義的。
權(quán)利要求
1.一種CMOS圖像傳感器件的形成方法，包括提供具有P型雜質(zhì)特性的半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括表面區(qū)域；形成覆蓋表面區(qū)域的柵氧化層；形成覆蓋柵氧化層的第一部分的第一柵結(jié)構(gòu)，所述第一柵結(jié)構(gòu)具有上表面區(qū)域和至少側(cè)面區(qū)域；在部分半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成N型雜質(zhì)區(qū)域，以至少由N型雜質(zhì)區(qū)域和P型雜質(zhì)區(qū)域形成光電二極管器件區(qū)域；形成覆蓋至少第一柵結(jié)構(gòu)的毯式側(cè)墻層，所述側(cè)墻層包括氧化層-氮化層-氧化層結(jié)構(gòu)；使用毯式側(cè)墻層形成用于第一柵結(jié)構(gòu)的一個(gè)或者多個(gè)側(cè)墻結(jié)構(gòu)，同時(shí)保留氧化層-氮化層-氧化層中的部分氧化層來覆蓋至少光電二極管器件區(qū)域。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器件的形成方法，其特征在于， 所述氧化層中不含氮化物。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器件的形成方法，其特征在于， 所述氧化層為停止層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器件的形成方法，其特征在于， 所述氧化層減小了 N型雜質(zhì)區(qū)域以及N型區(qū)域中的襯底表面與柵氧化層 的界面上的一個(gè)或者多個(gè)表面缺陷。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器件的形成方法，其特征在于， 所述氧化層的厚度大于等于180埃。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器件的形成方法，其特征在于， 所述氧化層的厚度至少為100埃。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器件的形成方法，其特征在于，所述一個(gè)或者多個(gè)側(cè)墻結(jié)構(gòu)使用側(cè)墻刻蝕工藝形成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的CMOS圖像傳感器件的形成方法，其特征在于， 所述覆蓋光電二極管器件區(qū)域的氧化層在側(cè)墻刻蝕工藝中使用遮蔽層保 護(hù)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的CMOS圖像傳感器件的形成方法，其特征在于， 所述遮蔽層包括光刻膠材料。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器件的形成方法，其特征在于， 在側(cè)墻刻蝕工藝中，所述覆蓋光電二極管區(qū)域的氧化層減少了對光電二 極管區(qū)域的柵氧化層以及柵氧化層/襯底界面的損傷。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器件的形成方法，其特征在于， 所述CMOS圖像傳感器具有降低的暗電流泄漏。
全文摘要
用以減少暗電流的ONO側(cè)墻刻蝕工藝，包括提供P型摻雜的半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括表面區(qū)域；形成覆蓋表面區(qū)域的柵氧化層；形成覆蓋柵氧化層的第一部分的第一柵結(jié)構(gòu)，所述第一柵結(jié)構(gòu)具有上表面區(qū)域和至少一個(gè)側(cè)面區(qū)域；在部分半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成N型雜質(zhì)區(qū)域，以至少由N型和P型摻雜區(qū)域形成光電二極管器件區(qū)域；形成覆蓋至少第一柵結(jié)構(gòu)的毯式側(cè)墻層，所述側(cè)墻層包括氧化層-氮化層-氧化層結(jié)構(gòu)；使用毯式側(cè)墻層形成第一柵結(jié)構(gòu)的一個(gè)或者多個(gè)側(cè)墻結(jié)構(gòu)，同時(shí)保留氧化層-氮化層-氧化層的部分氧化層覆蓋于至少光電二極管器件區(qū)域。
文檔編號(hào)H01L21/8234GK101625996SQ20081004036
公開日2010年1月13日 申請日期2008年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月8日
發(fā)明者楊建平, 霍介光 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司