專利名稱：不合格多晶擴散方塊電阻的返工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池領(lǐng)域，尤其涉及不合格多晶擴散方塊電阻的返工方法。
背景技術(shù)：
在太陽能電池制作過程中，擴散方塊是非常重要的一個參量，方塊，即方塊電阻?？紤]一塊長為1、寬為a、厚為t的薄層，如果該薄層材料的電阻率為P，則該整個薄層的電
阻為
權(quán)利要求
1.一種不合格多晶擴散方塊電阻的返工方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟: (1)配置由硫酸、硝酸和氫氟酸混合而成的刻蝕液，所述硫酸的用量為50 100L，所述硫酸的濃度為質(zhì)量分?jǐn)?shù)為98%的工業(yè)濃硫酸，所述硝酸和氫氟酸的用量為300L，所述硝酸的濃度為300 550g/L,所述氫氟酸的濃度為20 60g/L ； (2)將所述刻蝕液盛入溫度為5 20°C的槽體； (3)將不合格多晶擴散方塊電阻置入所述刻蝕液進(jìn)行背腐蝕，所述不合格多晶擴散方塊電阻在所述刻蝕液中的漂移速度為0.8 2m/min。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將不合格多晶擴散方塊電阻置入所述刻蝕液進(jìn)行背腐蝕包括: 將所述不合格多晶擴散方塊電阻正面朝下置入所述刻蝕液進(jìn)行背腐蝕。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將不合格多晶擴散方塊電阻置入所述刻蝕液進(jìn)行背腐蝕包括: 將所述不合格多晶擴散方塊電阻正面朝上置入所述刻蝕液進(jìn)行背腐蝕。
4.如權(quán)利要求1至3任意一項所述的方法，其特征在于，配置所述刻蝕液時所述硫酸的用量為80L。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，配置所述刻蝕液時所述硝酸的濃度為400g/L，所述氫氟酸的濃度為30g/L。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述將所述刻蝕液盛入溫度為5 20°C的槽體具體為:將所述刻蝕液盛入溫度為8°C的槽體。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述進(jìn)行背腐蝕時所述不合格多晶擴散方塊電阻在所述刻蝕液中的漂移速度為1.3m/min。
8.如權(quán)利要求1至3任意一項所述的方法，其特征在于，配置所述刻蝕液時所述硫酸的用量為80L,所述硝酸的濃度為400g/L,所述氫氟酸的濃度為30g/L ； 所述將所述刻蝕液盛入溫度為5 20°C的槽體具體為:將所述刻蝕液盛入溫度為8°C的槽體； 所述進(jìn)行背腐蝕時所述不合格多晶擴散方塊電阻在所述刻蝕液中的漂移速度為1.3m/min0
全文摘要
本發(fā)明實施例提供一種不合格多晶擴散方塊電阻的返工方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟(1)配置由硫酸、硝酸和氫氟酸混合而成的刻蝕液；(2)將所述刻蝕液盛入溫度為5～20℃的槽體；(3)將不合格多晶擴散方塊電阻置入所述刻蝕液進(jìn)行背腐蝕，所述不合格多晶擴散方塊電阻在所述刻蝕液中的漂移速度為0.8～2m/min。本發(fā)明實施例提供的方法可以有效地去除不合格多晶擴散方塊電阻正面或背面擴散上的磷，使得在返工時不合格多晶擴散方塊電阻具有一個干凈的擴散面，后續(xù)重新進(jìn)行擴散時方塊的均勻度較高。
文檔編號H01L31/18GK103117325SQ20111036584
公開日2013年5月22日 申請日期2011年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月17日
發(fā)明者孫林 申請人:浚鑫科技股份有限公司