專利名稱：環境敏感電子元件的封裝體的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種封裝體及其封裝方法，且特別是涉及一種環境敏感電子元件的封裝體及其封裝方法。
背景技術：
相較于一般硬質基板，可撓性基板的應用更為廣泛，其優點為可撓、方便攜帶、符合安全性、產品應用廣，但其缺點為不耐高溫、阻水阻氧氣性差、耐化學藥品性差及熱膨脹系數大。典型的可撓性基板由于無法完全阻隔水氣及氧氣的穿透，進而加速基板上的電子元件老化，導致所制成的元件壽命減短，無法符合商業上的需求。除此之外，由于可撓性基板具有可撓特性，當可撓性基板被撓曲時，制作于基板上的電子元件容易出現薄膜剝離(delaminating)的現象,進而導致電子元件無法正常操作。在已知技術中，如美國專利US 6，624，568以及美國專利公開文獻US2007/0049155，其皆采用高分子聚合物(polymer)作為有機電致發光元件的封裝材料，雖可獲得不錯的阻水氧效果，然而，這些已知技術皆未顧慮到當有機電致發光元件被撓曲時所面臨的薄膜剝離問題，因此，如何改善有機電致發光元件被撓曲時所產生的薄膜剝離現象，儼然已成為目前已知的可撓式有機電致發光元件在量產上亟待解決的問題之一。

發明內容
本發明提供一種環境敏感電子元件的封裝體，其具有良好的可撓性。本發明提出一種環境敏感電子元件的封裝體，其包括第一基板、第二基板、環境敏感電子元件、撓曲結構層以及填充層。第二基板配置于第一基板的上方。環境敏感電子元件配置于第一基板上，且位于第一基板與第二基板之間。環境敏感電子元件包括陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、有機發光層、陰極層以及電子注入層。陽極層配置于第一基板上。空穴注入層配置于陽極層上。空穴傳輸層配置于空穴注入層上。有機發光層配置于空穴傳輸層上。陰極層配置于有機發光層上。電子注入層配置于有機發光層與陰極層之間。撓曲結構層配置于環境敏感電子元件上，該撓曲結構層包括柔軟層、阻陷層以及保護層。柔軟層配置于陰極層上。阻陷層配置于柔軟層上，其中阻陷層的材料與電子注入層的材料相同。保護層配置于柔軟層上。填充層配置于第一基板與第二基板之間，且該填充層包覆環境敏感電子元件與撓曲結構層。本發明還提出一種環境敏感電子元件的封裝體，其包括第一基板、第二基板、環境敏感電子元件、撓曲結構層以及填充層。第二基板配置于第一基板的上方。環境敏感電子元件配置于第一基板上，且位于第一基板與第二基板之間。環境敏感電子元件包括陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、有機發光層、陰極層以及電子注入層。陽極層配置于第一基板上。空穴注入層配置于陽極層上。空穴傳輸層配置于空穴注入層上。有機發光層配置于空穴傳輸層上。陰極層配置于有機發光層上。電子注入層配置于有機發光層與陰極層之間。撓曲結構層配置于環境敏感電子元件上，且包括一柔軟層、阻陷層以及保護層。柔軟層配置于陰極層上。阻陷層配置于柔軟層上，其中阻陷層的材料與陰極層的材料相同。保護層配置于柔軟層上。填充層配置于第一基板與第二基板之間，且該填充層包覆環境敏感電子元件與撓曲結構層。本發明還提出一種環境敏感電子元件的封裝體，該封裝體包括第一基板、第二基板、環境敏感電子元件、撓曲結構層以及填充層。第二基板配置于第一基板的上方。環境敏感電子元件配置于第一基板上，且位于第一基板與第二基板之間。環境敏感電子元件包括陽極層、有機官能層以及陰極層。陽極層配置于第一基板上。有機官能層配置于陽極層上。陰極層配置于有機官能層上。撓曲結構層配置于環境敏感電子元件上，且包括柔軟層、阻陷層以及一保護層。柔軟層配置于陰極層上。阻陷層配置于柔軟層上，其中阻陷層的材料與有機官能層的材料或陰極層的材料相同。保護層配置于柔軟層上。填充層配置于第一基板與第二基板之間，且該填充層包覆環境敏感電子元件與撓曲結構層。因此當環境敏感電子元件的封裝體過度被撓曲時，薄膜剝離的現象會發生在撓曲結構層中。基于上述，本發明在環境敏感電子元件上制作撓曲結構層，可改善環境敏感電子元件被撓曲而發生薄膜剝離的現象，進而提升產品良率。為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。


圖1為本發明的實施例的一種環境敏感電子元件的封裝體的剖面示意圖。圖2為本發明的另一實施例的一種環境敏感電子元件的封裝體的剖面示意圖。圖3為本發明的另一實施例的一種環境敏感電子元件的封裝體的剖面示意圖。圖4為本發明的另一實施例的一種環境敏感電子元件的封裝體的剖面示意圖。圖5為本發明的另一實施例的一種環境敏感電子元件的封裝體的剖面示意圖。附圖標記說明100a、100b、100c、IOOcUIOOe:環境敏感電子元件的封裝體110:第一基板120:第二基板130a、130b:環境敏感電子元件132:陽極層134a、134b:有機官能層135:空穴注入層136:空穴傳輸層137:有機發光層138、138a:電子注入層139、139b:陰極層140a、140b、140c:撓曲結構層142a、142b、142c:柔軟層144a、144b、144c:阻陷層146a、146b、146c:保護層
150a、150b:輔助撓曲結構層152a、152b:輔助柔軟層154a、154b:輔助阻陷層156a、156b:輔助保護層160:±真充層
具體實施例方式圖1為本發明的實施例的一種環境敏感電子元件的封裝體的剖面示意圖。請參考圖1，本實施例的環境敏感電子元件的封裝體IOOa包括第一基板110、第二基板120、環境敏感電子元件130a、撓曲結構層140a以及填充層160。第一基板110與第二基板120平形配置，且第二基板120配置于第一基板110的上方。在本實施例中，第一基板110與第二基板120分別例如是可撓性基板，其材料例如為塑膠，如PE系列的塑膠、PMMA,PC (Polycarbonate)或PI (Polyimide)。舉例而言,前述的PE系列的塑膠例如為PEC、PEN、PES等可撓性塑膠。當然，可撓性基板的材料亦可以是金屬薄膜，在此并不加以限制。環境敏感電子元件130a配置于第一基板110上，且位于第一基板110與第二基板120之間。環境敏感電子元件130a包括陽極層132、有機官能層134a以及陰極層139，其中陽極層132配置于第一基板110上，而有機官能層134a配置于陽極層132上，且陰極層139配置于有機官能層134a上。更具體來說，有機官能層134a是由空穴注入層135、空穴傳輸層136、有機發光層137以及電子注入層138a所構成的多層堆疊結構層。其中，空穴注入層135配置于陽極層132且覆蓋陽極層132上，而空穴傳輸層136配置于空穴注入層135上。有機發光層137配置于空穴傳輸層136上,而陰極層139配置于有機發光層137上,且電子注入層138a配置于有機發光層137與陰極層139之間。于此，空穴注入層135、空穴傳輸層136、有機發光層137、電子注入層138a以及陰極層139為共形設置。撓曲結構層140a配置于環境敏感電子元件130a上，且與環境敏感電子元件130a共形設置，其中撓曲結構層140a包括柔軟層142a、阻陷層144a以及保護層146a。柔軟層142a配置于陰極層139上且直接覆蓋陰極層139，而阻陷層144a及保護層146a配置于柔軟層142a上。更具體來說，本實施例的撓曲結構層140a的阻陷層144a是位于保護層146a與柔軟層142a之間。特別是，撓曲結構層140a的阻陷層144a的材料與環境敏感電子元件130a的電子注入層138a的材料實質上相同。此外，本實施例的填充層160配置于第一基板110與第二基板120之間，且填充層160包覆環境敏感電子元件130a與撓曲結構層140a。于此，填充層160的材料例如是壓克力樹脂(acrylic)或環氧樹脂(epoxy),且填充層160的形態例如為感壓式膠材或填充式膠材，在此并不加以限制。更進一步來說，在本實施例中，撓曲結構層140a的阻陷層144a的材料可具有導電性與阻水性，其中阻陷層144a的材料例如是堿金屬/堿土金屬鹵化物、堿金屬/堿土金屬氧化物、堿金屬/堿土金屬碳酸化合物或堿金屬碳酸化合物。詳細來說，上述的堿金屬/堿土金屬鹵化物例如是氟化鋰(LiF)、氟化鈉(NaF)、氟化銫(CsF)、氟化鎂(MgF2)、氟化鈣(CaF2)、氯化鈉(NaCl)、氯化鉀(KCl)、氯化銣(RbCl)、氯化鎂(MgCl2)或氯化鈣(CaCl2)。堿金屬/堿土金屬氧化物例如是氧化鋰(Li2O)、氧化銫(Cs2O)、氧化鎂(MgO)、氧化|丐(CaO)、偏硼酸鋰(LiBO2)或氧化硅鉀(K25i03)。堿金屬/堿土金屬碳酸化合物例如是碳酸鋰(Li2CO3)、碳酸鈉(Na2CO3)、碳酸銫(Cs2CO3)。堿金屬碳酸化合物例如是醋酸鋰(CH3COOLi)、醋酸鈉(CH3COONa)、醋酸鉀(CH3COOK)、醋酸銣(CH3COORb)或醋酸銫(CH3COOCs)。再者，本實施例的撓曲結構層140a的柔軟層142a的材料例如是有機小分子(small molecular)材料、有機寡聚合物(Oligomers)、寡聚合物與無機材料的混合物或有機小分子與無機材料的混合物。上述的有機小分子化合物的分子量約介于lOg/mol至 5，000g/mol 之間，如 Alq3 (Tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum)、alpha-NPB (N，N’ -Bis(naphthalene-l-yl)-N, N’ -diphenyl-benzidine)、CuPc(Phthalocyanine, coppercomplex)。有機寡聚物的分子量約介于500g/mol至9, 000g/mol之間，如PhenyleneVinylene Oligomers (對苯撐乙烯寡聚物)、Fluorene Oligomers (荷寡聚物)。有機-無機共蒸鍍材料的分子量約介于3g/mol至500g/mol之間。另外，撓曲結構層140a的保護層146a的材料例如是金屬材料或無機材料。上述的金屬材料例如是 Al, Ag, Au, Be, Cr, Cu, Co, Fe, Ge, Ir, In, Mo, Mn, Mg, Ni, Nb, Pb, Pd, Pt,Ru, Rh, Sn, Si, Sb, Se, Ti, Ta, Te, V, ff, Zr, Zn, Mg/Ag, Al/Ag, Al/Si, Al/Si/Cu, Au/Ge, Au/Be, Au/Ge/Ni, Ni/Cr, Pb/Sn 或 In/Sn。上述的無機材料例如是 ITO, IZO, AZO, WO3, MoO3,SiOx, SiNx, SiOxNy, Al2O3 AIN, BaTiO3 CeO2, Cr2O3 CuO, Dy2O3 Er2O3 Eu2O3 Ga2O3 GeO2, HfO2,Ho2O3 In2O3 ΙΤ0，PbTiO3 MgO, MnO2, Nd2O3 NiO, Nb2O5, Pr2O3 Sm2O3 SiO2, SiO, Ta2O5, ThO2,SnO2, TiO3, Y2O3, ΖηΟ，ZrO2, CdTe, ZnTe, CdSe, CdS, ZnS 或 MoS2。由于本實施例的撓曲結構層140a配置于環境敏感電子元件130a上，且撓曲結構層140a的柔軟層142a直接覆蓋于環境敏感電子元件130a的陰極層139上。因此，當環境敏感電子元件的封裝體IOOa被撓曲時，環境敏感電子元件130a的各層結構層(包括陽極層132、有機官能層134a及陰極層139)之間不易發生薄膜剝離的現象，薄膜剝離的現象很容易會發生在柔軟層142a與陰極層139之間的界面或柔軟層142a與阻陷層144a之間的界面。也就是說，撓曲結構層140a的設計在環境敏感電子元件的封裝體IOOa被撓曲時可有效地改善環境敏感電子元件130a的各 層結構層之間發生薄膜剝離的現象。再者，由于本實施例的撓曲結構層140a的阻陷層144a的材料與環境敏感電子元件130a的電子注入層138a的材料實質上相同，因此撓曲結構層140a可以與環境敏感電子元件130a的工藝整合。換言之，撓曲結構層140a可以與環境敏感電子元件130a可以在同一腔體中完成制作，無需大幅度的修改現有工藝，且可以有效地控制原料的取得，并且降低購買設備的成本。此外，由于填充層160包覆環境敏感電子元件130a與撓曲結構層140a，且撓曲結構層140a的阻陷層144a的材料也具有導電性與阻水性，因此可增加環境敏感電子元件的封裝體IOOa阻隔水氣及氧氣的能力，且可有效延長環境敏感電子元件130a的壽命O在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中采用相同的標號來表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術內容的說明。關于省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重復贅述。圖2為本發明的另一實施例的一種環境敏感電子元件的封裝體的剖面示意圖。請參考圖2，本實施例的環境敏感電子元件的封裝體IOOb與圖1的環境敏感電子元件的封裝體IOOa相似，二者主要差異之處在于:環境敏感電子元件的封裝體IOOb中的撓曲結構層140b具有不同的薄膜堆疊方式。詳細來說，本實施例的撓曲結構層140b的保護層146b位于阻陷層144b與柔軟層142b之間。因此，當環境敏感電子元件的封裝體IOOb被撓曲時，薄膜剝離的現象很容易會發生在柔軟層142b與陰極層139之間的界面或柔軟層142b與保護層146b之間的界面。也就是說，撓曲結構層140b的設計在環境敏感電子元件的封裝體IOOb被撓曲時可有效地改善環境敏感電子元件130a的各層結構層之間發生薄膜剝離的現象。圖3為本發明的另一實施例的一種環境敏感電子元件的封裝體的剖面示意圖。請參考圖3，本實施例的環境敏感電子元件的封裝體IOOc與圖1的環境敏感電子元件的封裝體IOOa相似，二者主要差異之處在于:環境敏感電子元件的封裝體IOOc還包括至少一輔助撓曲結構層150a，其中輔助撓曲結構層150a配置于撓曲結構層140a上且位于第二基板120與撓曲結構層140a之間。輔助撓曲結構層150a直接覆蓋于撓曲結構層140a上。詳細來說，輔助撓曲結構層150a包括輔助柔軟層152a、輔助阻陷層154a以及輔助保護層156a，其中輔助柔軟層152a覆蓋保護層146a上，且輔助阻陷層154a位于輔助保護層156a與輔助柔軟層152a之間。由于在環境敏感電子元件130a上設置多層堆疊的撓曲結構層140a及輔助撓曲結構層150a，因此當環境敏感電子元件的封裝體IOOc被撓曲時，薄膜剝離的現象很容易會發生在撓曲結構層140a的柔軟層142a與環境敏感電子元件130a的陰極層139之間的界面或柔軟層142a與阻陷層144a之間的介面，或者是，輔助撓曲結構層150a的輔助柔軟層152a與撓曲結構層140a的保護層146a的界面或輔助柔軟層152a與輔助阻陷層154a之間的介面。如此一來，可有效地改善已知環境敏感電子元件130a被撓曲而發生薄膜剝離的現象，進而提升環境敏感電子元件的封裝體IOOc產品良率。此外，優選地，輔助柔軟層152a的材料例如與柔軟層142a的材料相同，而輔助阻陷層154a的材料例如與阻陷層144a的材料相同，且輔助保護層156a的材料與保護層146a的材料相同。在此情況下，輔助撓曲結構層150a可以與撓曲結構層140a及環境敏感電子元件130a的工藝整合。也就是說，輔助撓曲結構層150a可以與撓曲結構層140a及環境敏感電子元件130a可以在同一腔體中完成制作，無需大幅度的修改現有工藝，且可以有效地控制原料的取得，并且降低購買設備的成本。圖4為本發明的另一實施例的一種環境敏感電子元件的封裝體的剖面示意圖。請參考圖4，本實施例的環境敏感電子元件的封裝體IOOd與圖2的環境敏感電子元件的封裝體IOOb相似，二者主要差異之處在于:環境敏感電子元件的封裝體IOOb還包括至少一輔助撓曲結構層150b，其中輔助撓曲結構層150b配置于撓曲結構層140b上且位于第二基板120與撓曲結構層140b之間。輔助撓曲結構層150b直接覆蓋于撓曲結構層140b上。詳細來說，輔助撓曲結構層150b包括輔助柔軟層152b、輔助阻陷層154b以及輔助保護層156b，其中輔助柔軟層152b覆蓋阻陷層144b上，且輔助保護層156b位于輔助阻陷層154b與輔助柔軟層152b之間。由于在環境敏感電子元件130a上設置多層堆疊的撓曲結構層140b及輔助撓曲結構層150b，因此當環境敏感電子元件的封裝體IOOd被撓曲時，薄膜剝離的現象很容易會發生在撓曲結構層140b的柔軟層142b與環境敏感電子元件130a的陰極層139之間的介面或柔軟層142b與保護層146b之間的介面，或者是，輔助撓曲結構層150b的輔助柔軟層152b與撓曲結構層140b的阻陷層144之間的介面或輔助柔軟層152b與輔助保護層156b之間的介面。如此一來，可有效地改善已知環境敏感電子元件130a被撓曲而發生薄膜剝離的現象，進而提升環境敏感電子元件的封裝體IOOd產品良率。此外，優選地，輔助柔軟層152b的材料例如與柔軟層142b的材料相同，而輔助阻陷層154b的材料例如與阻陷層144b的材料相同，且輔助保護層156b的材料與保護層146b的材料相同。在此情況下，輔助撓曲結構層150b可以與撓曲結構層140b及環境敏感電子元件130a的工藝整合。也就是說，輔助撓曲結構層150b可以與撓曲結構層140b及環境敏感電子元件130a可以在同一腔體中完成制作，無需大幅度的修改現有工藝，且可以有效地控制原料的取得，并且降低購買設備的成本。值得一提的是，在本實施例中并不限定輔助撓曲結構層150a、150b的個數，雖然此處分別配置于撓曲結構層140a、140b上的輔助撓曲結構層150a、150b的個數具體化為一個。但于其他未繪示的實施例中，本領域的技術人員當可參照前述實施例的說明，依據實際需求，自行增加輔助撓曲結構層150a、150b的個數，以達到所需的技術效果。圖5為本發明的另一實施例的一種環境敏感電子元件的封裝體的剖面示意圖。請參考圖5，本實施例的環境敏感電子元件的封裝體IOOe與圖1的環境敏感電子元件的封裝體IOOa相似，二者主要差異之處在于:撓曲結構層140c的阻陷層144c的材料特性。詳細來說，在本實施例中，撓曲結構層140c的阻陷層144c的材料與位于有機官能層134b的電子注入層138上的陰極層139b的材料實質上相同，其中阻陷層144c位于柔軟層142c與保護層146c之間。更具體來說，阻陷層144c的材料具有導電性與阻氧性，其中阻陷層144c的材料可選自銀(Ag)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鋰(Li)、銦(In)、鈣(Ca)JIf (Cu)、.(Mo)、鈦(Ti)、鉬(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、金(Au)及其組合所組成的族群。由于本實施例的撓曲結構層140c配置于環境敏感電子元件130b上，且撓曲結構層140c的柔軟層142c直接覆蓋于環境敏感電子元件130b的陰極層13%上。因此，當環境敏感電子元件的封裝體IOOe被撓曲時，環境敏感電子元件130b的各層結構層(包括陽極層132、有機官能層134b及陰極層13%)之間不易發生薄膜剝離的現象，薄膜剝離的現象很容易會發生在柔軟層142c與陰極層13%之間的界面或柔軟層142c與阻陷層144c之間的界面。也就是說，撓曲結構層140c的設計在環境敏感電子元件的封裝體IOOe被撓曲時可有效地改善環境敏感電子元件130b的各層結構之間發生薄膜剝離的現象。再者，由于本實施例的撓曲結構層140c的阻陷層144c的材料與環境敏感電子元件130b的陰極層13%的材料實質上相同，因此撓曲結構層140c可以與環境敏感電子元件130b的工藝整合。換言之，撓曲結構層140c可以與環境敏感電子元件130b可以在同一腔體中完成制作，無需大幅度的修改現有工藝，且可以有效地控制原料的取得，并且降低購買設備的成本。此外，由于填充層160包覆環境敏感電子元件130b與撓曲結構層140c，且撓曲結構層140c的阻陷層144c的材料也具有導電性與阻氧性，因此可增加環境敏感電子元件的封裝體IOOe阻隔水氣及氧氣的能力，且可有效延長環境敏感電子元件130b的壽命。此外，在其他未繪示的實施例中，亦可選用于如前述實施例所提及的輔助撓曲結構150a、150b，本領域的技術人員當可參照前述實施例的說明，依據實際需求，而選用前述構件，以達到所需的技術效果。另外，在其他實施例中，撓曲結構層140c亦可具有不同的薄膜堆疊方式，意即保護層146c位于柔軟層142c與阻陷層144c之間，此仍屬于本發明可采用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的范圍。
綜上所述，由于本發明在環境敏感電子元件上制作不同型態的撓曲結構層，因此當環境敏感電子元件的封裝體被過度撓曲時，薄膜剝離的現象會發生在撓曲結構層中，故可改善環境敏感電子元件被撓曲而發生薄膜剝離的現象，進而使環境敏感電子元件在被撓曲時發光結構(即有機官能層)不被破壞。雖然本發明已以實施例披露如上，然其并非用以限定本發明，任何所屬技術領域中普通技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護范圍當視權利要求所界定為準。
權利要求
1.一種環境敏感電子元件的封裝體，包括: 第一基板； 第二基板，配置于該第一基板的上方； 環境敏感電子元件，配置于該第一基板上，且位于該第一基板與該第二基板之間，該環境敏感電子元件包括: 陽極層，配置于該第一基板上； 空穴注入層，配置于該陽極層上； 空穴傳輸層，配置于該空穴注入層上； 有機發光層，配置于該空穴傳輸層上； 陰極層，配置于該有機發光層上；以及 電子注入層，配置于該有機發光層與該陰極層之間； 撓曲結構層，配置于該環境敏感電子元件上，且包括: 柔軟層，配置于該陰極層上； 阻陷層，配置于該柔軟層上，其中該阻陷層的材料與該電子注入層的材料相同；以及 保護層，配置于該柔軟層上；以及 填充層，配置于該第一基板與該第二基板之間，且該填充層包覆該環境敏感電子元件與該撓曲結構層。
2.如權利要求1所述的環境敏感電子元件的封裝體，其中該撓曲結構層的該阻陷層位于該保護層與該柔軟層之間。
3.如權利要求2所述的環境敏感電子元件的封裝體，還包括至少一輔助撓曲結構層，配置于該撓曲結構層上且位于該第二基板與該撓曲結構層之間，其中該輔助撓曲結構層包括輔助柔軟層、輔助阻陷層以及輔助保護層，該輔助柔軟層覆蓋該保護層上，且該輔助阻陷層位于該輔助保護層與該輔助柔軟層之間。
4.如權利要求1所述的環境敏感電子元件的封裝體，其中該撓曲結構層的該保護層位于該阻陷層與該柔軟層之間。
5.如權利要求4所述的環境敏感電子元件的封裝體，還包括至少一輔助撓曲結構層，配置于該撓曲結構層上且位于該第二基板與該撓曲結構層之間，其中該輔助撓曲結構層包括輔助柔軟層、輔助阻陷層以及輔助保護層，該輔助柔軟層覆蓋該阻陷層上，且該輔助保護層位于該輔助阻陷層與該輔助柔軟層之間。
6.如權利要求1所述的環境敏感電子元件的封裝體，其中該阻陷層的材料具有導電性與阻水性。
7.如權利要求6所述的環境敏感電子元件的封裝體，其中該阻陷層的材料包括堿金屬/堿土金屬齒化物、堿金屬/堿土金屬氧化物、堿金屬/堿土金屬碳酸化合物或堿金屬碳酸化合物。
8.如權利要求7 所述的環境敏感電子元件的封裝體，其中該堿金屬/堿土金屬鹵化物包括氟化鋰、氟化鈉、氟化銫、氟化鎂、氟化鈣、氯化鈉、氯化鉀、氯化銣、氯化鎂或氯化鈣。
9.如權利要求7所述的環境敏感電子元件的封裝體，其中該堿金屬/堿土金屬氧化物包括氧化鋰、氧化銫、氧化鎂、氧化韓、偏硼酸鋰或氧化娃鉀。
10.如權利要求7所述的環境敏感電子元件的封裝體，其中該堿金屬/堿土金屬碳酸化合物包括碳酸鋰、碳酸鈉或碳酸銫。
11.如權利要求7所述的環境敏感電子元件的封裝體，其中該堿金屬碳酸化合物包括醋酸鋰、醋酸鈉、醋酸鉀、醋酸銣或醋酸銫。
12.如權利要求1所述的環境敏感電子元件的封裝體，其中該撓曲結構層的該柔軟層的材料包括有機小分子材料、有機寡聚合物、寡聚合物與無機材料的混合物或有機小分子與無機材料的混合物。
13.如權利要求1所述的環境敏感電子元件的封裝體，其中該撓曲結構層的該保護層的材料包括金屬材料或無機材料。
14.一種環境敏感電子元件的封裝體，包括: 第一基板； 第二基板，配置于該第一基板的上方； 環境敏感電子元件，配置于該第一基板上，且位于該第一基板與該第二基板之間，該環境敏感電子元件包括: 陽極層，配置于該第一基板上； 空穴注入層，配置于該陽極層上； 空穴傳輸層，配置于該空穴注入層上； 有機發光層，配置于該空穴傳輸層上； 陰極層，配置于該有機發光層上；以及 電子注入層，配置于該有機發光層與該陰極層之間； 撓曲結構層，配置于該環境敏感電子元件上，且包括: 柔軟層，配置于該陰極層上； 阻陷層，配置于該柔軟層上，其中該阻陷層的材料與該陰極層的材料相同；以及 保護層，配置于該柔軟層上；以及 填充層，配置于該第一基板與該第二基板之間，且該填充層包覆該環境敏感電子元件與該撓曲結構層。
15.如權利要求14所述的環境敏感電子元件的封裝體，其中該撓曲結構層的該阻陷層位于該保護層與該柔軟層之間。
16.如權利要求15所述的環境敏感電子元件的封裝體，還包括至少一輔助撓曲結構層，配置于該撓曲結構層上且位于該第二基板與該撓曲結構層之間，其中該輔助撓曲結構層包括輔助柔軟層、輔助阻陷層以及輔助保護層，該輔助柔軟層覆蓋該保護層上，且該輔助阻陷層位于該輔助保護層與該輔助柔軟層之間。
17.如權利要求14所述的環境敏感電子元件的封裝體，其中該撓曲結構層的該保護層位于該阻陷層與該柔軟層之間。
18.如權利要求17所述的環境敏感電子元件的封裝體，還包括至少一輔助撓曲結構層，配置于該撓曲結構層上且位于該第二基板與該撓曲結構層之間，其中該輔助撓曲結構層包括輔助柔軟層、輔助阻陷層以及輔助保護層，該輔助柔軟層覆蓋該阻陷層上，且該輔助保護層位于該輔助阻陷層與該輔助柔軟層之間。
19.如權利要求14所述的環境敏感電子元件的封裝體，其中該阻陷層的材料具有導電性與阻氧性。
20.如權利要求19所述的環境敏感電子元件的封裝體，其中該阻陷層的材料選自銀、鋁、鎂、鋰、銦、鈣、銅、鑰、鈦、鉬、銥、鎳、鉻、金及其組合所組成的族群。
21.如權利要求14所述的環境敏感電子元件的封裝體，其中該撓曲結構層的該柔軟層的材料包括有機小分子材料、有機寡聚合物、寡聚合物與無機材料的混合物或有機小分子與無機材料的混合物。
22.如權利要求14所述的環境敏感電子元件的封裝體，其中該撓曲結構層的該保護層的材料包括金屬材料或無機材料。
23.—種環境敏感電子元件的封裝體，包括: 第一基板； 第二基板，配置于該第一基板的上方； 環境敏感電子元件，配置于該第一基板上，且位于該第一基板與該第二基板之間，該環境敏感電子元件包括: 陽極層，配置于該第一基板上； 有機官能層，配置于該陽極層上；以及 陰極層，配置于該有機官能層上； 撓曲結構層，配置于該環境敏感電子元件上，且包括: 柔軟層，配置于該陰極層上； 阻陷層，配置于該柔軟層上， 其中該阻陷層的材料與該有機官能層的材料或該陰極層的材料相同；以及 保護層，配置于該柔軟層上；以及 填充層，配置于該第一基板與該第二基板之間，且該填充層包覆該環境敏感電子元件與該撓曲結構層。
全文摘要
本發明涉及一種環境敏感電子元件的封裝體。該封裝體包括第一基板、第二基板、環境敏感電子元件、撓曲結構層以及填充層。環境敏感電子元件配置于第一基板上，且位于第一基板與第二基板之間。環境敏感電子元件包括陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、有機發光層、陰極層以及電子注入層。撓曲結構層配置于環境敏感電子元件上，該撓曲結構層包括柔軟層、阻陷層以及保護層。柔軟層配置于陰極層上，阻陷層及保護層配置于柔軟層上。阻陷層的材料與電子注入層的材料相同。填充層配置于第一基板與第二基板之間，且該填充層包覆環境敏感電子元件與撓曲結構層。
文檔編號H01L51/52GK103137892SQ20121000558
公開日2013年6月5日 申請日期2012年1月10日 優先權日2011年11月21日
發明者陳光榮, 吳建霖, 葉樹棠 申請人:財團法人工業技術研究院