專利名稱：陶瓷電子部件的制造方法以及陶瓷電子部件的制作方法
技術領域：
本發明涉及陶瓷電子部件的制造方法以及陶瓷電子部件。
背景技術：
目前，例如，人們已較多地利用層疊陶瓷電容器等的陶瓷電子部件。例如，在下述專利文獻I中記載著其中一例。在專利文獻I中記載的層疊型陶瓷電子部件具有長方體狀的陶瓷胚體、第一內部電極以及第二內部電極、和第一外部電極以及第二外部電極。第一內部電極以及第二內部電極在陶瓷胚體的內部沿厚度方向而對置。第一內部電極被引出至陶瓷胚體一側的端面，第二內部電極被引出至陶瓷胚體另一側的端面。第一外部電極形成在陶瓷胚體一側的端面上，并與第一內部電極電連接。第二外部電極形成在陶瓷胚體另一側的端面上，并與第二內部電極電連接。 另外，在專利文獻I中，作為上述層疊型陶瓷電子部件的制造方法，記載下述方法，即，在陶瓷胚體的在內部形成有第一內部電極以及第二內部電極的端面上，通過鍍敷來形成第一外部電極以及第二外部電極的方法。專利文獻I :W02007/049456A1 號公報但是，在上述專利文獻I記載的方法中，存在不能良好地形成第一外部電極以及第二外部電極的情況。

發明內容
本發明是鑒于該問題點而開發的，其目的在于提供一種能夠良好地制造具備與被引出至長方體狀的陶瓷胚體端面的內部電極進行電連接并由鍍膜構成的外部電極的陶瓷電子部件。本發明涉及一種陶瓷電子部件的制造方法，其中，陶瓷電子部件具備長方體狀的陶瓷胚體，其具有沿著長度方向與垂直于長度方向的寬度方向延伸的一對表面、沿著長度方向與垂直于長度方向以及寬度方向的厚度方向延伸的一對表面、以及沿著寬度方向與厚度方向延伸的一對表面共六個表面；多個第一內部電極，其配置在陶瓷胚體的內部，并被引出至陶瓷胚體的六個表面的至少一個；多個第二內部電極，其按照在陶瓷胚體的內部與第一內部電極對置的方式進行配置，并被引出至陶瓷胚體的六個表面的至少一個；第一外部電極，其形成在陶瓷胚體上，并與第一內部電極連接；以及第二外部電極，其形成在陶瓷胚體上，并與第二內部電極連接，第一內部電極以及第二內部電極分別具有相互對置的對置部、以及相互不對置的引出部，該引出部與對置部連接且被引出至陶瓷胚體的表面，第一外部電極以及第二外部電極分別具有形成在陶瓷胚體的正上方的鍍膜。在本發明所涉及的陶瓷電子部件的制造方法中，準備在內部已形成多個第一內部電極以及多個第二內部電極的陶瓷胚體。按照第一內部電極所被引出的表面中的第一內部電極的引出部的露出率相對于與陶瓷胚體的該表面平行的剖面中的第一內部電極的引出部的露出率之比，即作為((第一內部電極所被引出的表面中的第一內部電極的引出部的露出率)/(與陶瓷胚體的第一內部電極所被引出的表面平行的剖面中的第一內部電極的引出部的露出率))的第一內部電極露出率成為102% 153%，并且，第二內部電極所被引出的表面中的第二內部電極的引出部的露出率相對于與陶瓷胚體的該表面平行的剖面中的第二內部電極的引出部的露出率之比，即作為((第二內部電極所被引出的表面中的第二內部電極的引出部的露出率)/(與陶瓷胚體的第二內部電極所被引出的表面平行的剖面中的第二內部電極的引出部的露出率))的第二內部電極露出率成為102% 153%的方式對陶瓷胚體進行加工。在所加工的陶瓷胚體上形成鍍膜的鍍敷。在本發明所涉及的陶瓷電子部件的制造方法的某一特定的情況下，陶瓷胚體具有沿著長度方向與寬度方向延伸的第一主面以及第二主面、沿著厚度方向與長度方向延伸的第一側面以及第二側面、以及沿著 寬度方向與厚度方向延伸的第一端面以及第二端面。多個第一內部電極各自的對置部在陶瓷胚體的內部沿著厚度方向而排列，引出部被引出至第一端面。多個第二內部電極各自的對置部陶瓷胚體的內部被配置于在厚度方向上相鄰的第一內部電極之間，引出部被引出至第二端面。在本發明所涉及的陶瓷電子部件的制造方法的其他特定的情況下，陶瓷胚體具有沿著長度方向與寬度方向延伸的第一主面以及第二主面、沿著厚度方向與長度方向延伸的第一側面以及第二側面、以及沿著寬度方向與厚度方向延伸的第一端面以及第二端面。多個第一內部電極各自的對置部在陶瓷胚體的內部沿著寬度方向而排列，引出部被引出至第一主面以及第二主面的至少一方。多個第二內部電極各自的對置部在陶瓷胚體的內部被配置于在寬度方向上相鄰的第二內部電極之間，引出部被引出至第一主面以及第二主面的至少一方。本發明所涉及的陶瓷電子部件的制造方法在某一特定的情況下，加工工序中，對陶瓷胚體進行滾筒拋光(barrel polishing)。在本發明所涉及的陶瓷電子部件的制造方法的其他特定的情況下，在鍍敷工序中，通過將所加工的陶瓷胚體與導電性介質球投入至鍍液中，并進行攪拌來形成鍍膜。本發明所涉及陶瓷電子部件具備長方體狀的陶瓷胚體、多個第一內部電極、多個第二內部電極、第一外部電極和第二外部電極。陶瓷胚體具有沿著長度方向和垂直于長度方向的寬度方向延伸的一對表面、沿著長度方向與垂直于長度方向以及寬度方向的厚度方向延伸的一對表面、和沿著寬度方向與厚度方向延伸的一對表面共六個表面。多個第一內部電極配置在陶瓷胚體的內部。多個第一內部電極被引出至陶瓷胚體的六個表面的至少一個。多個第二內部電極按照在陶瓷胚體的內部與第一內部電極對置的方式進行配置。多個第二內部電極被引出至陶瓷胚體的六個表面的至少一個。第一外部電極形成在陶瓷胚體上。第一外部電極與第一內部電極連接。第二外部電極形成在陶瓷胚體上。第二外部電極與第二內部電極連接，第一內部電極以及第二內部電極分別具有相互對置的對置部、以及相互不對置的引出部，該引出部與對置部連接且被引出至陶瓷胚體的表面。第一外部電極以及第二外部電極分別具有形成在陶瓷胚體的正上方的鍍膜。第一內部電極露出率為102% 153%。第二內部電極露出率為102% 153%。第一內部電極露出率是第一內部電極所被引出的表面中的第一內部電極的引出部的露出率相對于與陶瓷胚體的該表面平行的剖面中的第一內部電極的引出部的露出率之比，即((第一內部電極所被引出的表面中的第一內部電極的引出部的露出率)/(與陶瓷胚體的第一內部電極所被引出的表面平行的剖面中的第一內部電極的引出部的露出率))。第二內部電極露出率是第二內部電極所被引出的表面中的第二內部電極的引出部的露出率相對于與陶瓷胚體的該表面平行的剖面中的第二內部電極的引出部的露出率之比，即((第二內部電極所被引出的表面中的第二內部電極的引出部的露出率)/(與陶瓷胚體的第二內部電極所被引出的表面平行的剖面中的第二內部電極的引出部的露出率))。在本發明所涉及的陶瓷電子部件的某一特定的情況下，陶瓷胚體具有沿著長度方向與寬度方向延伸的第一主面以及第二主面、沿著厚度方向與長度方向延伸的第一側面以及第二側面、以及沿著寬度方向與厚度方向延伸 的第一端面以及第二端面。多個第一內部電極各自的對置部在陶瓷胚體的內部沿著厚度方向而排列，引出部被引出至第一端面。多個第二內部電極各自的對置部被配置于在陶瓷胚體的內部與厚度方向相鄰的第一內部電極之間，引出部被引出至第二端面。在本發明所涉及的陶瓷電子部件的其他特定的情況下，陶瓷胚體具有沿著長度方向與寬度方向延伸的第一主面以及第二主面、沿著厚度方向與長度方向延伸的第一側面以及第二側面、以及沿著寬度方向與厚度方向延伸的第一端面以及第二端面。多個第一內部電極各自的對置部在陶瓷胚體的內部沿著寬度方向而排列，引出部被引出至第一主面以及第二主面的至少一方。多個第二內部電極各自的對置部在陶瓷胚體的內部被配置于在寬度方向上相鄰的第二內部電極之間，引出部被引出至第一主面以及第二主面的至少一方。發明效果根據本發明，能夠提供可良好地制造獲得具備與引出至長方體狀的陶瓷胚體的端面的內部電極進行電連接并由鍍膜構成的外部電極的陶瓷電子部件。


圖I是本發明的一實施方式的陶瓷電子部件的概略立體圖。圖2是圖I的線II-II的概略剖面圖。圖3是圖I的線III-III的概略剖面圖。圖4是本發明的一實施方式中的滾筒拋光前的陶瓷胚體的概略剖面圖。圖5是放大了圖4的V部分的概略剖面圖。圖6是放大了圖4的VI部分的概略剖面圖。圖7是本發明的一實施方式中的滾筒拋光后的陶瓷胚體的概略剖面圖。圖8是用于說明本發明的一實施方式中的鍍敷工序的概略剖面圖。圖9是用于說明比較例中的鍍敷工序的概略剖面圖。圖10是用于說明內部電極露出率的測定位置的示意圖。圖11是用于說明外部電極的剝離工序的示意圖。圖12是第二實施方式所涉及的陶瓷電子部件的概略立體圖。圖13是沿著第二實施方式所涉及的陶瓷電子部件的長度方向L以及厚度方向T的概略剖面圖。圖14是沿著第二實施方式所涉及的陶瓷電子部件的長度方向L以及厚度方向T的概略剖面圖。符號說明
I…陶瓷電子部件10…陶瓷胚體IOa…第一主面IOb…第二主面IOc…第一側面
IOd…第二側面 IOe…第一端面IOf…第二端面11…第一內部電極12…第二內部電極13…第一外部電極14…第二外部電極15…陶瓷層20…導電性介質球30…滾筒拋光前的陶瓷胚體30e，30f …端面
具體實施例方式以下，以圖I所示的陶瓷電子部件I的制造方法為例，對實施本發明的優選方式進行說明。但是，下述陶瓷電子部件I的制造方法僅僅只是一個例示。本發明所涉及的陶瓷電子部件的制造方法并不僅限于下述陶瓷電子部件I的制造方法。(陶瓷電子部件I的構成)圖I是本實施方式的陶瓷電子部件的概略立體圖。圖2是圖I的線II-II的概略剖面圖。圖3是圖I的線III-III的概略剖面圖。首先，參照圖I 圖3，對本實施方式中制造的陶瓷電子部件I的構成進行說明。如圖I 圖3所示，陶瓷電子部件I具備陶瓷胚體10。陶瓷胚體10形成為長方體狀。陶瓷胚體10具有第一主面IOa以及第二主面10b、第一側面IOc以及第二側面IOcU第一端面IOe以及第二端面10f。第一主面IOa以及第二主面IOb分別沿著長度方向L以及寬度方向W延伸。第一側面IOc以及第二側面IOd分別沿著長度方向L以及厚度方向T延伸。第一端面IOe以及第二端面IOf分別沿著寬度方向W以及厚度方向T延伸。另外，長度方向L與寬度方向W相互垂直。厚度方向T分別與長度方向L以及寬度方向W垂直。本發明中，“長方體”也包含角部或棱線部被倒角或倒棱后的長方體。即，陶瓷胚體10也可以形成為角部或棱線部至少一部分被倒角或倒棱后的長方體狀。在本實施方式中，陶瓷胚體10是由多個陶瓷層15沿著厚度方向T進行層疊后的層疊體所構成。陶瓷層15的厚度優選為O. 5 μ m 10 μ m。陶瓷胚體10由適宜的陶瓷材料所形成。構成陶瓷胚體10的陶瓷材料能夠根據陶瓷電子部件I的特性等來適宜地選擇。例如，陶瓷電子部件I為陶瓷電容器元件的情況下，陶瓷胚體10能夠由以電介質陶瓷為主成分的材料來形成。作為電介質陶瓷的具體例,例如能舉出BaTi03、CaTiO3>SrTiO3、CaZrO3等。另外，在陶瓷基體10中也可適宜添加例如Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物等的副成分。
另外，例如，在陶瓷電子部件I是陶瓷壓電元件的情況下，能用壓電陶瓷為主成分的材料來形成陶瓷基體10。作為壓電陶瓷材料的具體例，例如能舉出PZT(鋯鈦酸鉛)系陶瓷材料等。在陶瓷電子部件I是熱敏電阻元件的情況下，例如能用半導體陶瓷材料來形成陶瓷基體10。作為半導體陶瓷材料的具體例，例如能舉出尖晶石系陶瓷材料等。在陶瓷電子部件I是電感器元件的情況下，例如能用磁性體陶瓷材料來形成陶瓷基體10。作為磁性體陶瓷材料的具體例，例如能舉出鐵氧體陶瓷等。在陶瓷胚體10的內部設置有多個第一內部電極11與多個第二內部電極12。第一內部電極11以及第二內部電極12在陶瓷胚體10的內部分別沿著厚度方向T而排列。第一內部電極11以及第二內部電極12沿著厚度方向T交替地排列。由此，第二內部電極12被配置在厚度方向T上相鄰的第一內部電極11之間。第一內部電極11以及第二內部電極12的一部分彼此隔著陶瓷層15而在厚度方向T上對置。第一內部電極11引出至第一端面IOe0第一內部電極11不從第二端面10f、第一主面IOa及第二主面IOb以及第一側面IOc以及第二側面IOd上露出。第二內部電極12引出至第二端面IOf。第二內部電極12不從第一端面10e、第一主面IOa以及第二主面IOb及第一側面IOc以及第二側面IOd露出。第一內部電極11與第二內部電極12分別具有在厚度方向T上相互對置的對置部，以及在厚度方向T上相互不對置的引出部，且引出部與對置部連接且引出至第一端面IOe或第二端面10f。在本實施方式中，對置部的寬度方向W的幅寬與引出部的寬度方向的幅寬相同。由此，第一內部電極11以及第二內部電極12分別為矩形狀。另外,在第一端面IOe中，相鄰的第一內部電極11也可以連接。在第一端面IOe中，相鄰的第一內部電極11分離的情況下，相鄰的第一內部電極11間的距離優選為7pm以下。如此這樣，能夠在第一端面IOe的位于第一內部電極11間的部分上可靠地形成鍍膜。相同地，在第二端面IOf中，相鄰的第二內部電極12也可以連接。在第二端面IOf 中，相鄰的第二內部電極12分離的情況下，相鄰的第二內部電極12間的距離優選為7 以下。如此這樣，能夠在第二端面IOf的位于第二內部電極12間的部分上可靠地形成鍍膜。第一內部電極11以及第二內部電極12的厚度優選為0. 3iim 2. Oiim。陶瓷胚體10的第一端面IOe上形成有第一外部電極13。第一外部電極13與第一內部電極11連接。另一方面，陶瓷胚體10的第二端面IOf上形成有第二外部電極14。第二外部電極14與第二內部電極12連接。另外，本實施方式中，第一外部電極13以及第二外部電極14僅形成在第一端面IOe或第二端面IOf上，但是，也可以是第一外部電極13以及第二外部電極14各自的一部分形成在主面10a、10b或側面10c、10d上。在本實施方式中，第一外部電極13以及第二外部電極14分別由鍍膜構成。不過，在本發明中，第一外部電極以及第二外部電極也可以分別通過最靠陶瓷胚體10側的層為鍍膜的方式來構成，再層疊鍍膜以外的層即可。另外，第一外部電極以及第二外部電極分別也可以由多個鍍膜的層疊體來構成。鍍膜每I層的厚度優選為I U m 15 ii m。作為構成第一、第二外部電極的金屬，例如能夠利用從Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au、Sn、Pd、Bi以及Zn構成的群中選擇的I種金屬或者包含該金屬的合金。鍍膜優選不含玻璃成分。另外，鍍膜的單位體積的金屬比例優選為99體積％以上。第一內部電極11以及第二內部電極12和第一外部電極13以及第二外部電極14的材質只要具有導電性即可，并不特別限定。第一內部電極11以及第二內部電極12例如能夠由Ni、Cu、Ag、Pd、Au等的金屬或包含這些金屬中的至少一種的合金來形成。用于構成第一外部電極13以及第二外部電極14的鍍膜例如能夠由Cu、Ni、Sn、Pb、Au、Ag、Pd、Bi、Zn等金屬或包含這些金屬中的一種以上的金屬的合金來形成。另外，第一內部電極11以及第二內部電極12的材質與第一外部電極13以及第二外部電極14的材質優選為相互間接合性好的材質。例如,第一內部電極11以及第二內部電極12由Ni或Ni合金構成的情況下，第一外部電極13以及第二外部電極14優選由Cu或者Cu合金構成的鍍膜來形成。(陶瓷電子部件I的制造方法) 圖4是本實施方式中的滾筒拋光前的陶瓷胚體的概略剖面圖。圖5是將圖4的V部分放大后的概略剖面圖。圖6是將圖4的VI部分放大后的概略剖面圖。圖7是本實施方式中的滾筒拋光后的陶瓷胚體的概略剖面圖。圖8是用于說明本實施方式中的鍍敷工序的概略剖面圖。接下來，參照圖4 圖8以及圖I主要對陶瓷電子部件I的制造方法的一例進行詳細說明。首先，準備用于形成陶瓷胚體10的陶瓷生片(green sheet)。陶瓷生片，例如能夠通過絲網印刷法等的各種印刷法來形成。接下來，通過在陶瓷生片上印刷導電性膏而形成內部電極形成用圖案。另外，內部電極形成用圖案的能夠通過絲網印刷法等來進行。內部電極形成用圖案的印刷中所利用的膏也可以是除了導電性微粒子之外還包含有機粘合劑或有機溶劑的膏。接下來，將未形成有內部電極形成用圖案的外層部形成用的陶瓷生片進行多層層疊，在其上依次層疊已印刷有內部電極形成用圖案的陶瓷生片，并且在其上層疊多層未印刷有內部電極形成用圖案的外層部形成用的陶瓷生片，由此制成母層疊體。另外，也可利用靜水壓擠壓裝置等在層疊方向上擠壓母層疊體。接下來，通過對未加工的陶瓷層疊體進行焙燒，獲得圖4所示的陶瓷胚體30。焙燒溫度能夠基于陶瓷層疊體的組成等而適宜地設定。焙燒溫度例如能夠設為900°C 1300°C程度。在此，陶瓷生片與內部電極形成用圖案在焙燒時中的收縮量不同。一般而言，較之于陶瓷生片，內部電極形成用圖案較大地收縮。由此，如圖5或圖6所示，通過焙燒內部電極形成用圖案而形成的第一內部電極11以及第二內部電極12成為從陶瓷胚體30的端面30e、30f向后退縮的狀態。由此，如圖8所示，以第一內部電極11以及第二內部電極12作為起點，即使在陶瓷胚體30的端面30e、30f上施鍍，也會存在介質球120不能與第一內部電極11以及第二內部電極12接觸的情況。由此，由第一內部電極11以及第二內部電極12起鍍層不能較好地生長，從而存在不能適宜地形成第一外部電極13以及第二外部電極14的情形。相對于此，本實施方式中，在進行基于鍍敷的第一外部電極13以及第二外部電極14的形成工序之前，進行陶瓷胚體30的加工工序。具體而言，對陶瓷胚體30進行濕式滾筒拋光。由此，拋光端面30e、30f的表層,使第一內部電極11以及第二內部電極12露出。由此，獲得如圖7所示的陶瓷胚體10。具體而言，以使得內部電極露出率為102 153 %地進行濕式滾筒拋光。在此,“內部電極露出率”包含第一內部電極露出率、第二內部電極露出率。“第一內部電極露出率”是，第一內部電極所被引出的表面中的第一內部電極的引出部的露出率相對于與陶瓷胚體的該表面平行的剖面中的第一內部電極的引出部的露出率之間的比((第一內部電極所被引出的表面中的第一內部電極的引出部的露出率)/(與陶瓷胚體的第一內部電極所被引出的表面平行的剖面中的第一內部電極的引出部的露出率))。第二內部電極露出率是，第二內部電極所被弓I出的表面中的第二內部電極的引出部的露出率相對于與陶瓷胚體的該表面平行的剖面中的第二內部 電極的引出部的露出率之間的比((第二內部電極所被引出的表面中的第二內部電極的引出部的露出率)/(與陶瓷胚體的第二內部電極所被引出的表面平行的剖面中的第二內部電極的引出部的露出率))。具體而言，在本實施方式中，以使得第一內部電極11所被引出的第一端面IOe中的第一內部電極11的引出部的露出率相對于與陶瓷胚體10的第一端面IOe平行的剖面中的第一內部電極11的引出部的露出率之間的比((第一內部電極11所被引出的第一端面IOe中的第一內部電極11的引出部的露出率)/(與陶瓷胚體10的第一端面IOe平行的剖面中的第一內部電極11的引出部的露出率))、以及第二內部電極12所被引出的第二端面IOf中的第二內部電極12的引出部的露出率相對于與陶瓷胚體10的第二端面IOf平行的剖面中的第二內部電極12的引出部的露出率之間的比((第二內部電極12所被引出的第二端面IOf中的第二內部電極12的引出部的露出率)/(與陶瓷胚體10的第二端面IOf 平行的剖面中的第二內部電極12的引出部的露出率))這兩者成為102 153%地進行濕式滾筒拋光。另外，除濕式滾筒拋光外，也可以進行干式滾筒拋光、以噴砂拋光進行拋光。在此，內部電極露出率是指，在第一端面IOe以及第二端面IOf各自中的第一內部電極11以及第二內部電極12的露出率相對于在沿著陶瓷胚體10的寬度方向W以及厚度方向T的剖面中的第一內部電極11以及第二內部電極12的露出率之間的比((第一端面IOe以及第二端面IOf的各自中的第一內部電極11以及第二內部電極12的露出率)/(沿著陶瓷胚體10的寬度方向W以及厚度方向T的剖面中的第一內部電極11以及第二內部電極12的露出率))。能按照以下要領來測定該內部電極露出率。首先，進行對端面10e、10f的EDX映射。由此，計算端面10e、10f中的內部電極11、12的特定成分相對于陶瓷胚體10的特定成分的比((內部電極11、12的特定成分)/(陶瓷胚體10的特定成分))。例如，內部電極11、12主要包含Ni為主成分，陶瓷胚體10包含Ti或者Ba為主成分的情況下，通過端面10e、10f中的Ni/Ti或Ni/Ba來計算各自的主成分的比。另外，在而后記載的實施例中，計算Ni/Ba。另外，第一內部電極的引出形式與第二內部電極的引出形式實質為相同的情況下，第一內部電極露出率與第二內部電極露出率實質上成為相同。由此，第一內部電極露出率為規定的范圍的情況下，可視為第二內部電極露出率也為規定的范圍，只要對第一內部電極以及第二內部電極露出率中其中一者進行評價即可。接下來，對陶瓷胚體10的端面10e、10f 進行IOiim程度的拋光，使剖面露出。接下來，計算出在該剖面中的內部電極11、12的特定成分相對于陶瓷胚體10的特定成分的比((內部電極11、12的特定成分)/(陶瓷胚體10的特定成分))。例如，計算剖面中的Ni/Ba。接下來，通過將端面10e、10f中的((內部電極11、12的特定成分)/(陶瓷胚體10的特定成分))除以剖面中的((內部電極11、12的特定成分)/(陶瓷胚體10的特定成分))來計算內部電極露出率。另外，在此，記載著對陶瓷胚體10的端面10e、10f進行ΙΟμπι程度的拋光，陶瓷胚體10的各端面10e、10f中，不是第一內部電極11以及第二內部電極12各自露出，而只要僅第一內部電極11以及第二內部電極12從端面10e、10f露出的范圍即可,也可以不是ΙΟμπι程度。即，內部電極露出率成為(端面10e、10f中的((內部電極11、12的特定成分)/(陶瓷胚體10的特定成分)))/ (剖面中的((內部電極11、12的特定成分)/ (陶瓷胚體10的特定成分)))。具體而言，例如，內部電極11、12包含以Ni為主成分，陶瓷胚體10包含Ba為主成分的情況下，內部電極露出率成為(端面10e、10f中的Ni/Ba)/(剖面中的Ni/Ba)。接下來，通過進行鍍敷工序，形成用于構成第一外部電極13以及第二外部電極14的鍍膜。具體而言，將陶瓷胚體10與導電性介質球20投入至鍍液中，通過攪拌來形成鍍膜。如此地，在本實施方式中，由于對內部電極露出率為102 153%的陶瓷胚體10進行施鍍，如圖9所示，導電性介質球20能夠與內部電極11、12可靠地接觸。由此，能夠可靠地形成用于構成第一外部電極13以及第二外部電極14的鍍膜。另外，鍍膜的形成可通過電解鍍來進行，也可以由非電解鍍來進行。不過，通過非電解鍍來形成鍍膜時，需進行基于催化劑等的前處理，由于陶瓷電子部件I的制造工序有變繁雜的傾向，所以優選通過電解鍍來形成鍍膜。(實驗例)以下述條件來制作具有與上述實施方式所涉及的陶瓷電子部件I實質的相同的構成的陶瓷電子部件。另外，關于實驗例I 6的各例，分別制作105個樣品。陶瓷電子部件的尺寸長度I. Omm,幅寬O. 5mm,高度O. 5mm(尺寸公差±0. 2mm)陶瓷胚體的材質鈦酸鋇系電介質陶瓷內部電極以Ni為主成分。陶瓷層的厚度0· 7 μ m內部電極的總數445層額定電壓4. OV靜電容量10 μ F陶瓷胚體的滾筒拋光加工條件工法濕式滾筒法轉數250rpm介質PSZ(局部穩定化錯)I <i>/150cc粉末氧化鋁/50ccPOT 容積340cc加工時間0分(實驗例I)，10分(實驗例2)，20分(實驗例3)，30分(實驗例4)，40分(實驗例5)，50分(實驗例6)
鍍膜的形成條件鍍膜厚度約5 μ m的Cu鍍膜
電鍍槽ρΗ8·8，55°C工法水平旋轉滾筒法轉數IOrpm導電性介質1.8mm Φ電流密度X 時間0· 30A/dm2X150min(內部電極露出率的計算)實驗例I 6中的內部電極露出率按照以下要領來求取。另外，內部電極露出率針對各實驗例I 6分別提取5個樣品，進行了測定。I)對制作的樣品的外部電極進行電解剝離，使陶瓷胚體的端面露出。其后，利用EDX映射來求取陶瓷胚體的端面中的Ni/Ba值(Ni與Ba的比率)。2)對拋光加工后的陶瓷胚體的端面進行IOym程度的拋光，使內部電極與陶瓷為共處同一面的狀態的剖面(圖7的線A-A所示的剖面圖)露出。接下來，利用EDX映射來求取該剖面中的Ni/Ba值(Ni和Ba的比率)。3)基于上述1)、2)的結果，求取了內部電極露出率=(端面中的Ni/Ba值)/(剖面中的Ni/Ba值)。4)通過上述I) 3)，圖10所示的部分A D(部分B、C是比位于最外層的內部電極更靠向厚度方向的中心20 μ m的位置。部分C、D是比內部電極的寬度方向端部更靠向厚度方向的中心20μπι的位置。)的4個位置處，縱150μπιΧ橫200μπι的視野范圍內，求取內部電極露出率。其結果如下述的表I所示。另外，表I的內部電極露出率是5個樣品的平均值。
另外，陶瓷電子部件中的內部電極露出率能夠通過將外部電極進行電解剝離而使陶瓷胚體的端面露出，來進行測定。例如，外部電極由Cu鍍膜構成的情況下，如圖11所示，在硫氧化銅水溶液40中，插入由Cu板構成的陰極41以及陽極42。接下來，將要進行電解剝離的樣品43放在陽極42側的Cu板上，流過電流。由此，樣品43的Cu鍍膜在硫酸銅水溶液40中溶解出。通過上述處理能夠除去Cu鍍膜。(外部電極的成膜的可否的判定)接下來，將各實驗例的樣品100個用于進行外部電極的成膜的可否的判定。具體而言，對鍍膜是否完全覆蓋內部電極以及各內部電極間的陶瓷胚體的表面進行觀察。其結果，關于100個的所有樣品，在判斷為鍍膜完全覆蓋內部電極以及各內部電極間的陶瓷胚體的表面的情況下，判斷為“G”，而判斷出鍍膜未完全覆蓋內部電極以及各內部電極間的陶瓷胚體的表面，存在有未覆蓋內部電極或者各內部電極間的陶瓷胚體的表面的樣品的情況下，判斷為“NG”。其結果如下述表I所示。另外，即使將滾筒拋光時間較長地設定，內部電極露出率也不超過153%而繼續增大。這是由于以下的理由。通過滾筒拋光來削磨陶瓷胚體，內部電極的露出率變大，從此更進一步地通過滾筒拋光來削磨陶瓷胚體時，內部電極也通過滾筒的介質而擠壓。其結果，內部電極向橫向延伸，橫向延伸的內部電極將成為跨架于陶瓷胚體的表面上的形式，按照不會通過滾筒拋光而使陶瓷胚體進一步被削除的方式起到保護作用。另外，內部電極某種程度地向橫向延伸時，即使進一步進行滾筒拋光，內部電極不再延伸也被認為是其中的一個原因。
權利要求
1.一種陶瓷電子部件的制造方法，其中， 所述陶瓷電子部件具備 長方體狀的陶瓷胚體，其具有沿著長度方向與垂直于所述長度方向的寬度方向延伸的一對表面、沿著所述長度方向與垂直于所述長度方向以及所述寬度方向的厚度方向延伸的一對表面、和沿著所述寬度方向與所述厚度方向延伸的一對表面共六個表面； 多個第一內部電極，配置在所述陶瓷胚體的內部，并被引出至所述陶瓷胚體的所述六個表面的至少一個； 多個第二內部電極，按照在所述陶瓷胚體的內部與所述第一內部電極對置的方式進行配置，并被引出至所述陶瓷胚體的所述六個表面的至少一個； 第一外部電極，其形成在所述陶瓷胚體上，并與所述第一內部電極連接；以及 第二外部電極，其形成在所述陶瓷胚體上，并與所述第二內部電極連接， 所述第一內部電極以及所述第二內部電極分別具有相互對置的對置部、以及相互不對置的引出部，該引出部與所述對置部連接且被引出至所述陶瓷胚體的表面， 所述第一外部電極以及所述第二外部電極分別具有形成在所述陶瓷胚體的正上方的鍍膜， 所述陶瓷電子部件的制造方法包括 準備在內部已形成多個所述第一內部電極以及多個所述第二內部電極的陶瓷胚體的工序； 按照所述第一內部電極所被引出的表面中的所述第一內部電極的所述引出部的露出率相對于與所述陶瓷胚體的該表面平行的剖面中的第一內部電極的所述引出部的露出率之比，即作為((所述第一內部電極所被引出的表面中的所述第一內部電極的所述引出部的露出率)/(與所述陶瓷胚體的所述第一內部電極所被引出的表面平行的剖面中的第一內部電極的所述引出部的露出率))的第一內部電極露出率成為102% 153%，并且所述第二內部電極所被引出的表面中的所述第二內部電極的所述引出部的露出率相對于與所述陶瓷胚體的該表面平行的剖面中的第二內部電極的所述引出部的露出率之比，即作為((所述第二內部電極所被引出的表面中的所述第二內部電極的所述引出部的露出率)/(與所述陶瓷胚體的所述第二內部電極所被引出的表面平行的剖面中的第二內部電極的所述引出部的露出率))的第二內部電極露出率成為102% 153%的方式，對所述陶瓷胚體進行加工的加工工序；以及 在所加工的所述陶瓷胚體上形成所述鍍膜的鍍敷工序。
2.根據權利要求I所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中， 所述陶瓷胚體具有沿著所述長度方向與所述寬度方向延伸的第一主面以及第二主面、沿著所述厚度方向與所述長度方向延伸的第一側面以及第二側面、以及沿著所述寬度方向與所述厚度方向延伸的第一端面以及第二端面， 多個所述第一內部電極各自的所述對置部在所述陶瓷胚體的內部沿著所述厚度方向而排列，所述引出部被引出至所述第一端面， 多個所述第二內部電極各自的所述對置部在所述陶瓷胚體的內部被配置于在所述厚度方向上相鄰的所述第一內部電極之間，所述引出部被引出至所述第二端面。
3.根據權利要求I所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中，所述陶瓷胚體具有沿著所述長度方向與所述寬度方向延伸的第一主面以及第二主面、沿著所述厚度方向與所述長度方向延伸的第一側面和第二側面、以及沿著所述寬度方向與所述厚度方向延伸的第一端面以及第二端面， 多個所述第一內部電極各自的所述對置部在所述陶瓷胚體的內部沿著所述寬度方向而排列，所述引出部被引出至所述第一主面以及所述第二主面的至少一方， 多個所述第二內部電極各自的所述對置部在所述陶瓷胚體的內部被配置于在所述寬度方向上相鄰的所述第二內部電極之間，所述引出部被引出至所述第一主面以及所述第二主面的至少一方。
4.根據權利要求I至3中任意一項所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中， 在所述加工工序中，對所述陶瓷胚體進行滾筒拋光。
5.根據權利要求I至4中任意一項所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中， 在所述鍍敷工序中，通過將所加工的所述陶瓷胚體與導電性介質球投入至鍍液中，并進行攪拌，來形成所述鍍膜。
6.一種陶瓷電子部件，其具備 長方體狀的陶瓷胚體，其具有沿著長度方向與垂直于所述長度方向的寬度方向延伸的一對表面、沿著所述長度方向與垂直于所述長度方向以及所述寬度方向的厚度方向延伸的一對表面、和沿著所述寬度方向與所述厚度方向延伸的一對表面共六個表面； 多個第一內部電極，配置在所述陶瓷胚體的內部，并被引出至所述陶瓷胚體的所述六個表面的至少一個； 多個第二內部電極，按照在所述陶瓷胚體的內部與所述第一內部電極對置的方式進行配置，并被引出至所述陶瓷胚體的所述六個表面的至少一個； 第一外部電極，其形成在所述陶瓷胚體上，并與所述第一內部電極連接；以及 第二外部電極，其形成在所述陶瓷胚體上，并與所述第二內部電極連接， 所述第一內部電極以及所述第二內部電極分別具有相互對置的對置部、以及相互不對置的引出部，該引出部與所述對置部連接且被引出至所述陶瓷胚體的表面， 所述第一外部電極以及所述第二外部電極分別具有形成在所述陶瓷胚體的正上方的鍍膜， 所述第一內部電極所被引出的表面中的所述第一內部電極的所述引出部的露出率相對于與所述陶瓷胚體的該表面平行的剖面中的第一內部電極的所述引出部的露出率之比，即作為((所述第一內部電極所被引出的表面中的所述第一內部電極的所述引出部的露出率)/(與所述陶瓷胚體的所述第一內部電極所被引出的表面平行的剖面中的第一內部電極的所述引出部的露出率))的第一內部電極露出率成為102% 153%，并且，所述第二內部電極所被引出的表面中的所述第二內部電極的所述引出部的露出率相對于與所述陶瓷胚體的該表面平行的剖面中的第二內部電極的所述引出部的露出率之比，即作為((所述第二內部電極所被引出的表面中的所述第二內部電極的所述引出部的露出率)/(與所述陶瓷胚體的所述第二內部電極所被引出的表面平行的剖面中的第二內部電極的所述引出部的露出率))的第二內部電極露出率成為102% 153%。
7.根據權利要求6所述的陶瓷電子部件，其中， 所述陶瓷胚體具有沿著所述長度方向與所述寬度方向延伸的第一主面以及第二主面、沿著所述厚度方向與 所述長度方向延伸的第一側面以及第二側面、以及沿著所述寬度方向與所述厚度方向延伸的第一端面以及第二端面， 多個所述第一內部電極各自的所述對置部在所述陶瓷胚體的內部沿著所述厚度方向而排列，所述引出部被引出至所述第一端面， 多個所述第二內部電極各自的所述對置部在所述陶瓷胚體的內部被配置于在所述厚度方向上相鄰的所述第一內部電極之間，所述引出部被引出至所述第二端面。
8.根據權利要求6所述的陶瓷電子部件，其中， 所述陶瓷胚體具有沿著所述長度方向與所述寬度方向延伸的第一主面以及第二主面、沿著所述厚度方向與所述長度方向延伸的第一側面以及第二側面、以及沿著所述寬度方向與所述厚度方向延伸的第一端面以及第二端面， 多個所述第一內部電極各自的所述對置部在所述陶瓷胚體的內部沿著所述寬度方向而排列，所述引出部被引出至所述第一主面以及所述第二主面的至少一方， 多個所述第二內部電極各自的所述對置部在所述陶瓷胚體的內部被配置于在所述寬度方向上相鄰的所述第二內部電極之間，所述引出部被引出至所述第一主面以及所述第二主面的至少一方。
全文摘要
提供一種能夠良好地制造陶瓷電子部件的方法，獲得具備與被引出至長方體狀的陶瓷胚體的端面的內部電極電連接且由鍍膜構成的外部電極的陶瓷電子部件。準備在內部已形成多個第一內部電極(11)以及多個第二內部電極(12)的陶瓷胚體(30)。進行按照內部電極露出率成為102％～153％的方式對陶瓷胚體(30)加工的加工工序。進行在所加工的陶瓷胚體(10)上形成鍍膜的鍍敷工序。
文檔編號H01G4/30GK102623177SQ20121000901
公開日2012年8月1日 申請日期2012年1月12日 優先權日2011年1月26日
發明者元木章博, 小川誠, 巖永俊之, 川崎健一, 片山照代, 竹內俊介 申請人:株式會社村田制作所