頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于有機(jī)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，其公開(kāi)了一種頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法；該器件包括依次層疊的玻璃、陽(yáng)極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極極層；空穴傳輸層的材質(zhì)為摻雜材料按照質(zhì)量比為0.1:1-1:1的比例摻雜到空穴傳輸材料中組成的混合摻雜材料。本發(fā)明提供的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其空穴傳輸層的材料為采用聚合物作為摻雜材料摻雜到空穴傳輸材料中組成摻雜混合材料；這種摻雜混合材料容易形成結(jié)晶狀薄膜，該薄膜可以使兩側(cè)出去的光經(jīng)過(guò)陽(yáng)極層反射回到陰極層頂端，從而加強(qiáng)了器件的出光效率。
【專利說(shuō)明】頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)半導(dǎo)體材料，尤其涉及一種頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]1987年，美國(guó)Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke報(bào)道了有機(jī)電致發(fā)光研究中的突破性進(jìn)展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機(jī)電致發(fā)光器件(0LED)。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中，IOV下亮度達(dá)到lOOOcd/m2，其發(fā)光效率為1.51 lm/W、 壽命大于100小時(shí)。
[0003]OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0004]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會(huì)以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達(dá)玻璃，就會(huì)發(fā)生全反射)，引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低，即器件的發(fā)光效率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的問(wèn)題在于提供一種發(fā)光效率高的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0006]一種頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃、陽(yáng)極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極極層；所述空穴傳輸層的材質(zhì)為摻雜材料按照質(zhì)量比為0.1:1-1:1的比例摻雜到空穴傳輸材料中組成的混合摻雜材料，所述摻雜材料為聚對(duì)苯·乙烯撐、聚[2-甲氧基-5 (2’_乙基己氧基)對(duì)苯乙炔]、聚3，4-二氧乙基噻吩或聚苯磺酸，所述空穴傳輸材料為1，1- 二 [4-[N,N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N，- (1-萘基)州，^ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺；所述空穴傳輸層的厚度為5-80nm。
[0007]所述頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述陽(yáng)極層的材質(zhì)為銀、鋁、鉬或金；該陽(yáng)極層的厚度為80-250nm。
[0008]所述頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩；所述空穴注入層的厚度為20-80nm。
[0009]所述頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2- 丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，IOd-亞萘基蒽、4，4’ -雙 (9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’ -聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁；所述發(fā)光層的厚度為5-40nm。
[0010]所述頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；所述電子傳輸層的厚度為40_100nm。
[0011]所述頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述電子注入層的材質(zhì)為碳酸銫、氟化銫、 疊氮銫或者氟化鋰；所述電子注入層的厚度為0.5-10nm。
[0012]所述頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述陰極層的材質(zhì)為銀、鋁、鉬或金；所述陰 極層的厚度為5-20nm。
[0013]本發(fā)明還提供上述頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0014]S1、先將玻璃依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲各清洗15min，去 除玻璃表面的有機(jī)污染物；
[0015]S2、在洗凈玻璃表面制備陽(yáng)極層，然后對(duì)陽(yáng)極層進(jìn)行光刻處理；隨后在陽(yáng)極層表面 蒸鍍空穴注入層；
[0016]S3、采用旋涂工藝，在空穴注入層表面制備空穴傳輸層:首先，將摻雜材料按照質(zhì) 量比為0.1:1-1:1的比例摻雜到空穴傳輸材料中組成的混合摻雜材料；其次，將混合摻雜 材料加入到溶劑中，配置成濃度為2?30mg/ml的旋涂溶液；接著，將旋涂溶液中涂覆在空穴 注入層表面，并控制空穴傳輸層的厚度為5?80nm ;最后，5(T20(TC下退火處理，制得空穴傳 輸層；其中，所述摻雜材料為聚對(duì)苯乙烯撐、聚[2-甲氧基-5(2’-乙基己氧基)對(duì)苯乙炔]、 聚3，4- 二氧乙基噻吩或聚苯磺酸，所述空穴傳輸材料為1，1- 二 [4-[N，N/ -二(p-甲苯 基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N，- (1-萘基)_N， N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺；所述溶劑為氯苯、三氯甲烷、甲苯或?qū)Χ妆剑?br> [0017]S4、在空穴傳輸層表面依次層疊蒸鍍發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；
[0018]最后，上述工藝步驟完成后，制得頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0019]上述制備工藝中，步驟S3和S4的蒸鍍?yōu)檎婵諢嶙枵翦儯瑝毫υ?2X10_3_2X10_5Pa。
[0020]本發(fā)明提供的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，底部陽(yáng)極使用了金屬材料，這些材料在 足夠厚的前提下，是可以對(duì)光進(jìn)行反射，使發(fā)射到底部的光可以反射到頂部，而頂部的電極 在足夠薄的時(shí)候，是可以具有很高的透過(guò)率，使入射到頂部的光可以順利出射到空氣中，就 可以有效避免原來(lái)經(jīng)過(guò)底部出射的光造成的玻璃與有機(jī)層界面、玻璃與空氣界面的損失， 且空穴傳輸層，采用旋涂方法制備，且空穴傳輸層的材料為采用聚合物作為摻雜材料摻雜 到空穴傳輸材料中組成摻雜混合材料；這種摻雜混合材料容易結(jié)晶，形成結(jié)晶狀的薄膜，該 薄膜可以提高鏈段排列的有序性，同時(shí)可以加強(qiáng)鏈段的剛性，使光發(fā)射到空穴傳輸層一邊 時(shí)，得到明顯的散射，而空穴傳輸層可以使兩側(cè)出去的光集中在中部，然后經(jīng)過(guò)陽(yáng)極層反射 回到陰極層頂端，從而加強(qiáng)了器件的出光效率，達(dá)到提供發(fā)光效率的目的。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1為本發(fā)明制得的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為實(shí)施例1制得的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件和對(duì)比例I制得的有機(jī)電致發(fā)光 器件的電壓與亮度關(guān)系圖；其中，曲線I表示實(shí)施例1制得的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的電 壓與亮度曲線；曲線2表示對(duì)比例I制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的電壓與亮度曲線。
【具體實(shí)施方式】[0023]本發(fā)明提供的一種頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，如圖1所示，包括依次層疊的玻璃 101、陽(yáng)極層102、空穴注入層103、空穴傳輸層104、發(fā)光層105、電子傳輸層106、電子注入層107和陰極層108 ;其中，所述空穴傳輸層的材質(zhì)為摻雜材料按照質(zhì)量比為0.1:1-1:1 的比例摻雜到空穴傳輸材料中組成的混合摻雜材料，所述摻雜材料為聚對(duì)苯乙烯撐 (MDMO-PPV)、聚[2-甲氧基-5 (2，-乙基己氧基)對(duì)苯乙炔](MEH-PPV)、聚3，4-二氧乙基噻吩(PEDOT)或聚苯磺酸(PSS);所述空穴傳輸材料為1，1- 二 [4-[N，N' - 二(p-甲苯基) 氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N，- (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB);所述空穴傳輸層的厚度為5-80nm。
[0024]上述頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件中，其它功能層的材質(zhì)及厚度如下:
[0025]玻璃101為市售普通玻璃；
[0026]陽(yáng)極層102的材質(zhì)為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)，優(yōu)選為Ag ;陽(yáng)極層102的厚度為80-250nm，優(yōu)選厚度為200nm ；
[0027]空穴注入層103的材質(zhì)為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5), 優(yōu)選為MoO3 ;空穴注入層103的厚度為20-80nm，優(yōu)選厚度為40nm ；
[0028]發(fā)光層105的材質(zhì)為4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6-( I, I, 7，7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-(6-亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)_1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)，優(yōu)選為Alq3 ;發(fā)光層105的厚度為 5_40nm,優(yōu)選厚度為15nm ;
[0029]電子傳輸層106的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBi )，優(yōu)選為T(mén)PBi ;電子傳輸層106的厚度為40_100nm， 優(yōu)選厚度為60n ；
[0030]電子注入層107的材質(zhì)為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或者氟化鋰(LiF)，優(yōu)選為L(zhǎng)iF ;電子注入層107的厚度為0.5-10nm，優(yōu)選厚度為0.7nm ；
[0031]陰極層108的材質(zhì)為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)，優(yōu)選為Ag ;陰極層108的厚度為5-20nm,優(yōu)選厚度為10nm。
[0032]本發(fā)明提供的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其空穴傳輸層，采用旋涂方法制備，且空穴傳輸層的材料為采用聚合物作為摻雜材料摻雜到空穴傳輸材料中組成摻雜混合材料；這種摻雜混合材料容易結(jié)晶，形成結(jié)晶狀的薄膜，該薄膜可以提高鏈段排列的有序性，使光發(fā)射到空穴傳輸層一邊時(shí)，得到明顯的散射，而空穴傳輸層可以使兩側(cè)出去的光集中在中部， 然后經(jīng)過(guò)陽(yáng)極層反射回到陰極層頂端，從而加強(qiáng)了器件的出光效率，達(dá)到提供發(fā)光效率的目的。
[0033]上述頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0034]S1、先將玻璃依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲各清洗15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；
[0035]S2、在洗凈玻璃表面制備陽(yáng)極層，然后對(duì)陽(yáng)極層進(jìn)行光刻處理；隨后在陽(yáng)極層表面蒸鍍空穴注入層；
[0036]S3、采用旋涂工藝，在空穴注入層表面制備空穴傳輸層:
[0037]首先，將摻雜材料按照質(zhì)量比為0.1:1-1:1的比例摻雜到空穴傳輸材料中組成的混合摻雜材料；[0038]其次，將混合摻雜材料加入到溶劑中，配置成濃度為2?30mg/ml的旋涂溶液；
[0039]接著，將旋涂溶液中涂覆在空穴注入層表面，并控制空穴傳輸層的厚度為 5?80nm ；
[0040]最后，5(T20(TC下退火處理，制得空穴傳輸層；
[0041]其中，所述摻雜材料為聚對(duì)苯乙烯撐(MDM0-PPV)、聚[2-甲氧基_5(2’_乙基己氧 基)對(duì)苯乙炔](MEH-PPV)、聚3，4- 二氧乙基噻吩(PEDOT)或聚苯磺酸(PSS);所述空穴傳 輸材料為1，1-二 [4_[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三 (咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N，- (1-萘基)-N，N，- 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB); 所述溶劑為氯苯、三氯甲烷、甲苯或?qū)Χ妆剑?br> [0042]S4、在空穴傳輸層表面依次層疊蒸鍍發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；
[0043]最后，上述工藝步驟完成后，制得頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0044]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0045]以下各實(shí)施例和對(duì)比例，制備和測(cè)試時(shí)所用到的儀器為:高真空鍍膜設(shè)備(沈陽(yáng)科 學(xué)儀器研制中心有限公司，壓強(qiáng)〈IX 10_3Pa)、電流-電壓測(cè)試儀(美國(guó)Keithly公司，型號(hào): 2602)、電致發(fā)光光譜測(cè)試儀(美國(guó)photo research公司，型號(hào):PR650)以及屏幕亮度計(jì)(北 京師范大學(xué)，型號(hào):ST-86LA)。
[0046]實(shí)施例1
[0047]1、將玻璃依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇,異丙醇各超聲各清洗15min，去除 玻璃表面的有機(jī)污染物
[0048]2、在清洗過(guò)后的玻璃表面蒸鍍陽(yáng)極層，材料為Ag，厚度為200nm ;然后對(duì)陽(yáng)極層進(jìn) 行光刻處理，剪裁成所需要的大小，隨后在陽(yáng)極層表面蒸鍍空穴注入層，材料為MoO3，厚度 為 40nm。
[0049]3、在空穴注入層表面旋涂空穴傳輸層:首選，摻雜材料MEH-PPV加入到空穴 傳輸材料TCTA中(MEH-PPV與TCTA的質(zhì)量比為0.5:1)，組成摻雜混合材料，表示為 MEH-PPV:TCTA ;隨后，將摻雜混合材料加入氯苯溶劑中，形成濃度為15mg/ml混合溶液； 最后，將混合溶液旋涂在空穴注入層表面，并控制厚度為60nm，緊接著在10(TC退火處理 15min，制得空穴傳輸層；
[0050]4、在空穴傳輸層表面依次層疊蒸鍍發(fā)光層、材料為Alq3,厚度為15nm ;電子傳輸 層、材料為T(mén)PBi，厚度為60nm ;電子注入層，材料為L(zhǎng)iF，厚度為0.7nm ;陰極層，材料為Ag， 厚度為IOnm ；
[0051]上述工藝完成后，制得頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃/Ag/Mo03/ MEH-PPV: TCTA/Alq3/TPBi/LiF/Ag0
[0052]實(shí)施例2
[0053]1、將玻璃依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇,異丙醇各超聲各清洗15min，去除 玻璃表面的有機(jī)污染物
[0054]2、在清洗過(guò)后的玻璃表面蒸鍍陽(yáng)極層，材料為Al，厚度為250nm ;然后對(duì)陽(yáng)極層進(jìn) 行光刻處理，剪裁成所需要的大小，隨后在陽(yáng)極層表面蒸鍍空穴注入層，材料為MoO3，厚度 為 20nm。
[0055]3、在空穴注入層表面旋涂空穴傳輸層:首選，摻雜材料MDMO-PPV加入到空穴傳輸材料NPB中(MDMO-PPV與NPB的質(zhì)量比為1:1)，組成摻雜混合材料，表示為MDMO_PPV:NPB ； 隨后，將摻雜混合材料加入三氯甲烷溶劑中，形成濃度為25mg/ml混合溶液；最后，將混合 溶液旋涂在空穴注入層表面，并控制厚度為80nm，緊接著在200°C退火處理5min，制得空穴 傳輸層；
[0056]4、在空穴傳輸層表面依次層疊蒸鍍發(fā)光層、材料為BCzVBi,厚度為40nm ;電子傳 輸層、材料為T(mén)AZ，厚度為IOOnm ;電子注入層，材料為CsF，厚度為5nm ;陰極層，材料為Pt， 厚度為5nm ；
[0057]上述工藝完成后，制得頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃/AVWO3/ MDMO-PPV:NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Pt。
[0058]實(shí)施例3
[0059]1、將玻璃依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇,異丙醇各超聲各清洗15min，去除 玻璃表面的有機(jī)污染物
[0060]2、在清洗過(guò)后的玻璃表面蒸鍍陽(yáng)極層，材料為Au，厚度為SOnm ;然后對(duì)陽(yáng)極層進(jìn) 行光刻處理，剪裁成所需要的大小，隨后在陽(yáng)極層表面蒸鍍空穴注入層，材料為V2O5，厚度為 80nm。
[0061]3、在空穴注入層表面旋涂空穴傳輸層:首選，摻雜材料PSS加入到空穴傳輸材料 TAPC中(PSS與TAPC的質(zhì)量比為0.1:1)，組成摻雜混合材料，表示為PSS = TAPC ;隨后，將摻 雜混合材料加入甲苯溶劑中，形成濃度為2mg/ml混合溶液；最后，將混合溶液旋涂在空穴 注入層表面，并控制厚度為5nm，緊接著在50°C退火處理30min，制得空穴傳輸層；
[0062]4、在空穴傳輸層表面依次層疊蒸鍍發(fā)光層、材料為ADN，厚度為5nm ；電子傳輸層、 材料為Bphen,厚度為40nm ;電子注入層,材料為CsN3,厚度為IOnm ;陰極層,材料為Au,厚 度為20nm ；
[0063]上述工藝完成后，制得頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃/Au/V205/ PSS:TAPC/ADN/Bphen/CsN3/Au。
[0064]實(shí)施例4
[0065]1、將玻璃依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇,異丙醇各超聲各清洗15min，去除 玻璃表面的有機(jī)污染物
[0066]2、在清洗過(guò)后的玻璃表面蒸鍍陽(yáng)極層，材料為Pt，厚度為IOOnm ;然后對(duì)陽(yáng)極層進(jìn) 行光刻處理，剪裁成所需要的大小，隨后在陽(yáng)極層表面蒸鍍空穴注入層，材料為V2O5，厚度為 50nmo
[0067]3、在空穴注入層表面旋涂空穴傳輸層:首選，摻雜材料PEDOT加入到空穴傳輸材 料NPB中(PEDOT與NPB的質(zhì)量比為0.7:1)，組成摻雜混合材料，表示為PEDOT: NPB ；隨后，將 摻雜混合材料加入對(duì)二甲苯溶劑中，形成濃度為30mg/ml混合溶液；最后，將混合溶液旋涂 在空穴注入層表面，并控制厚度為70nm，緊接著在150°C退火處理5min，制得空穴傳輸層；
[0068]4、在空穴傳輸層表面依次層疊蒸鍍發(fā)光層、材料為DCJTB,厚度為IOnm ;電子傳輸 層、材料為T(mén)PBi，厚度為65nm ；電子注入層，材料為Cs2CO3,厚度為0.5nm ；陰極層，材料為 Al，厚度為15nm ；
[0069]上述工藝完成后，制得頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃/PVV2O5/ PEDOT: NPB/DC JTB/TPB i /Cs2CO3A I。[0070]對(duì)比例I
[0071]1、將ITO (氧化銦錫，作為導(dǎo)電陽(yáng)極層)玻璃依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲各清洗15min，去除ITO玻璃表面的有機(jī)污染物
[0072]2、在清洗過(guò)后的ITO玻璃的ITO層表面依次層疊蒸鍍空穴注入層，材料為MoO3，厚度為40nm?？昭▊鬏敳牧蠈?，材料為T(mén)CTA，厚度為50nm ；
[0073]3、在空穴傳輸層表面依次層疊蒸鍍發(fā)光層,材料為Alq3,厚度為15nm ;電子傳輸層，材料為T(mén)PBi，厚度為60nm ;電子注入層，材料為L(zhǎng)iF，厚度為0.7nm ;陰極層，材料為Ag，厚度為IOOnm ；
[0074]最后制得有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃/IT0/Mo03/TCTA/Alq3/TPBi//LiF/Ag
[0075]圖2為實(shí)施例1制得的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件和對(duì)比例I制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的電壓與亮度關(guān)系圖；其中，曲線I表示實(shí)施例1制得的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的電壓與亮度曲線；曲線2表示對(duì)比例I制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的電壓與亮度曲線。
[0076]從圖2上可以看到，在不同電壓下，實(shí)施例1制得的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度都比對(duì)比例I制得的有機(jī)電致發(fā)光器件要大，在IOV時(shí)，實(shí)施例1的亮度為26692cd/m2，而對(duì)比例的僅為17063cd/m2 ;這都說(shuō)明，頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，空穴傳輸層，采用旋涂方法制備，且空穴傳輸層的材料為采用聚合物作為摻雜材料摻雜到空穴傳輸材料中組成摻雜混合材料；這種摻雜混合材料容易結(jié)晶，形成結(jié)晶狀的薄膜，該薄膜可以提高鏈段排列的有序性，使光發(fā)射到空穴傳輸層一邊時(shí)，得到明顯的散射，而空穴傳輸層可以使兩側(cè)出去的光集中在中部，然后經(jīng)過(guò)陽(yáng)極層反射回到陰極層頂端，從而加強(qiáng)了器件的出光效率，達(dá)到提供發(fā)光效率的目的。
[0077]應(yīng)當(dāng)理解的是，上述針對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的表述較為詳細(xì)，并不能因此而認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明專利保護(hù)范圍的限制，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃、陽(yáng)極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極極層；所述空穴傳輸層的材質(zhì)為摻雜材料按照質(zhì)量比為0.1:1-1:1的比例摻雜到空穴傳輸材料中組成的混合摻雜材料，所述摻雜材料為聚對(duì)苯乙烯撐、聚[2-甲氧基-5(2’-乙基己氧基)對(duì)苯乙炔]、聚3，4-二氧乙基噻吩或聚苯磺酸，所述空穴傳輸材料為1，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基] 環(huán)己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N，- (1-萘基)州4’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺；所述空穴傳輸層的厚度為5-80nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽(yáng)極層的材質(zhì)為銀、鋁、鉬或金；該陽(yáng)極層的厚度為80-250nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩；所述空穴注入層的厚度為20-80nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、 9，10-二-(6-亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁； 所述發(fā)光層的厚度為5-40nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、I, 2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；所述電子傳輸層的厚度為40-100nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材質(zhì)為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或者氟化鋰；所述電子注入層的厚度為0.5-10nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極層的材質(zhì)為銀、鋁、鉬或金；所述陰極層的厚度為5-20nm。
8.如權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射有·機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟:·51、先將玻璃依次用洗潔精,去離子水,丙酮，乙醇，異丙醇各超聲各清洗15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；·52、在洗凈玻璃表面制備陽(yáng)極層，然后對(duì)陽(yáng)極層進(jìn)行光刻處理；隨后在陽(yáng)極層表面蒸鍍空穴注入層；·53、采用旋涂工藝，在空穴注入層表面制備空穴傳輸層:首先，將摻雜材料按照質(zhì)量比為0.1:1-1:1的比例摻雜到空穴傳輸材料中組成的混合摻雜材料；其次，將混合摻雜材料加入到溶劑中，配置成濃度為2~30mg/ml的旋涂溶液；接著，將旋涂溶液中涂覆在空穴注入層表面，并控制空穴傳輸層的厚度為5~80nm ;最后，5(T20(TC下退火處理，制得空穴傳輸層；其中，所述摻雜材料為聚對(duì)苯乙烯撐、聚[2-甲氧基-5 (2’_乙基己氧基)對(duì)苯乙炔]、 聚3，4- 二氧乙基噻吩或聚苯磺酸，所述空穴傳輸材料為1，1- 二 [4-[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N，- (1-萘基)_N， N’ - 二苯基-·4，4’ -聯(lián)苯二胺；所述溶劑為氯苯、三氯甲烷、甲苯或?qū)Χ妆剑弧?4、在空穴傳輸層表面依次層疊蒸鍍發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；最后，上述工藝步驟完成后，制得頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件。
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK103579517SQ201210264200
【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2012年7月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月27日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 張振華 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司