制造銅電極的方法
【專利摘要】本發明涉及一種制造銅電極的方法，包括如下步驟：將導體漿料施涂到基板上以形成導體漿料層，所述導體漿料層包含：(i)100重量份涂覆有金屬氧化物的銅粉，所述金屬氧化物選自氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)以及它們的混合物；(ii)5至30重量份的硼粉；和(iii)0.1至10重量份的玻璃料；分散在(iv)有機載體中；以及在空氣中焙燒所述導體漿料。
【專利說明】制造銅電極的方法
發明領域
[0001]本發明涉及制造銅電極的方法和在該方法中使用的導體漿料。
[0002]發明背景
[0003]硼粉用于在導體漿料中與銅(Cu)粉組合形成銅電極，以便減少Cu粉在空氣中的焙燒過程中發生氧化。然而，在焙燒過程中硼粉可被氧化至流出，導致玻璃狀洗脫，如圖2中所見。洗脫會在銅電極中造成缺陷，諸如破壞和開口線。
[0004]US8129088公開了電極的空氣焙燒類型，該電極由包含銅粉、硼粉、玻璃料、光致聚合引發劑、可光致聚合的單體和有機介質的感光漿料形成。
[0005]發明概述
[0006]本發明的一個目的是提供通過在空氣中焙燒而形成主要包含銅的電極的方法。
[0007]本發明的一個方面涉及制造電極的方法，該方法包括以下步驟:在基板上施涂導體漿料以形成導體漿料層，其包含:(i) 100重量份涂覆有金屬氧化物的銅粉，所述金屬氧化物選自氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)以及它們的混合物；(ii)5至30重量份的硼粉；和I至10重量份的玻璃料；分散在(iv)有機載體中；以及在空氣中焙燒導體漿料。
[0008]本發明的另一個方面涉及導體漿料，其包含:(i) 100重量份涂覆有金屬氧化物的銅粉，所述金屬氧化物選自氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)以及它們的混合物；(ii)5至30重量份的硼粉；和(iii)0.1至10重量份的玻璃料；分散在(iv)有機載體中。
[0009]可通過本發明形成具有較少洗脫的銅電極。
[0010]附圖簡述
[0011]圖1的(A)至⑶說明制造電極的光刻法。
[0012]圖2示出具有洗脫的銅線。
[0013]發明詳述
[0014]Cu電極通過在空氣中焙燒導體漿料而形成。導體漿料包含分散到有機載體中以形成“漿料”的無機粉末，諸如Cu粉，該漿料具有適當的粘度以施涂到基板上。制造Cu電極的方法以及導體漿料將在下文中分別說明。
[0015]制造電極的方法
[0016]Cu電極通過在基板上施涂導體漿料形成導體漿料層并在空氣中焙燒導體漿料層而形成。
[0017]對基板并無限制。可根據電氣器件來選擇基板；例如，等離子體顯示面板(rop)選用玻璃基板，太陽能電池選用半導體基板，并且電容電極選用陶瓷基板。在一個實施方案中，基板可選自玻璃基板、半導體基板、陶瓷基板和金屬基板。當基板為金屬基板或半導體基板時，可在形成電極的一面上形成絕緣層。
[0018]在基板上施涂導體漿料的方式可為絲網印刷、噴嘴分配或膠版印刷。通常使用可在短時間內將導體漿料施涂到基板上的絲網印刷。導體漿料層的圖案可為任何期望的電極圖案，諸如線條和方形。
[0019]基板上的導體漿料層可任選地例如在70至100C的烘箱中干燥10至20分鐘。
[0020]將基板上的導體漿料層在空氣中焙燒。可獲得按預定溫度和時間表設定的熔爐。Cu粉在焙燒過程中燒結成為具有足夠導電性的電極。有機載體可通過在焙燒過程中被燒盡或碳化而移除。
[0021]術語“在空氣中焙燒”或“空氣焙燒”基本是指無需用不含氧氣或含氧量低于焙燒空間周圍圍繞的氣氛的氣體替換焙燒空間內的氣氛的焙燒。在一個實施方案中，將焙燒設備周圍的空氣用作焙燒氣氛，而無需用其他氣體替換焙燒氣氛。
[0022]焙燒條件可根據基板類型、導體漿料層圖案或導體漿料特性而變化。然而，在一個實施方案中，電極一般可通過在400至1000°C的設定峰值溫度下，經過10秒至3小時的焙燒時間焙燒導體漿料而獲得。設定峰值溫度在另一個實施方案中可為700至1000°C，而在另一個實施方案中可為400至800°C。焙燒時間在另一個實施方案中可為10秒至10分鐘，而在一個實施方案中可為0.5至3小時。焙燒條件可通過將焙燒溫度和焙燒時間考慮在內而進行調節。例如，當基板很容易被高溫損壞時，可將導體漿料在高溫下焙燒較短時間或在低溫下焙燒較長時間。
[0023]這里的焙燒時間是指從焙燒開始到結束的時間，例如，從進爐到出爐的時間。
[0024]電極的平均寬度在一個實施方案中可為10至500m，在另一個實施方案中可為30至150m，在另一個實施方案中可為50至110m，而平均厚度在一個實施方案中可為I至200m，在另一個實施方案中可為I至100m，在另一個實施方案中可為I至50m。
[0025]在另一個實施方案中，制造Cu電極的方法可采用光刻。該方法在上述施涂步驟和焙燒步驟之間可進一步包括將基板上的導體漿料層曝光的步驟。更詳細地講，可將導體漿料以期望的圖案施涂到基板上，通過曝光進行固化，然后進行焙燒。當導體漿料層或基板不宜被潤濕時，可通過光能對導體漿料層進行固化，并在不進行含水顯影的情況下進行焙燒。
[0026]在另一個實施方案中，光刻法在上述施涂步驟和焙燒步驟之間可包括將基板上的導體漿料層曝光的步驟以及用水溶液對曝光的導體漿料層進行顯影的步驟。使用顯影步驟的光刻法在形成精細圖案時尤其有利。
[0027]用于光刻法的導體漿料包含可光致聚合的化合物和感光的光致聚合引發劑。
[0028]結合附圖1說明包括曝光和顯影兩個步驟的制造電極的光刻法。
[0029]可通過例如絲網印刷機的施涂工具106將導體漿料施涂到基板102上，以形成導體漿料層104，如圖1(A)中所示。在一個實施方案中，可將導體漿料施涂到基板的整個表面上。導體漿料層104可通過施涂導體漿料兩次或更多次而為多層。在另一個實施方案中，每層的導體漿料組合物可不同。多層中的至少一層包含Cu粉。
[0030]可任選地對導體漿料層104進行干燥。當執行干燥步驟時，干燥條件可為70至250C，在烘箱或干燥機中持續I至30分鐘。
[0031]然后通過曝光并用水溶液顯影對導體漿料層104進行圖案化。可將導體漿料層104通過具有所需圖案的光掩模108暴露于諸如紫外線的光線110，使得暴露的區域被固化，如圖1 (B)中所示。光掩模108和導體漿料層之間的間隙可為50至400 μ m。
[0032]曝光條件根據導體漿料的感光類型或導體漿料層104的厚度而不同。在一個實施方案中，導體漿料層一般可通過光能進行固化，光強度在100至8000mJ/cm2的范圍內，曝光時間在5至200秒的范圍內。在一個實施方案中，光強度可為10至50mW/cm2。
[0033]然后，對導體漿料層104進行顯影。為了顯影，可將諸如0.4%碳酸鈉溶液的堿性溶液112噴涂到導體漿料層104以移除導體漿料層的未曝光區域，以便固化的圖案顯露出來，如圖1(C)中所示。可將顯影時間決定為用堿性溶液完全洗掉基板上的未曝光導體漿料層所用時間的1.1至4倍。
[0034]顯影后，將圖案化的導體漿料層104在空氣中焙燒，如圖1(D)中所示。在一個實施方案中，焙燒的設定峰值溫度可為450至700C，并且焙燒時間可為0.5至3小時。
[0035]電極114在焙燒后形成，如圖1(E)中所示。通過光刻法形成的電極可為精細的圖案，具有(例如)10至150m的寬度和I至50m的厚度。
[0036]制造電極的該方法可應用于電氣器件中形成的任何電極，所述電氣器件諸如太陽能電池、等離子體顯示面板(PDP)、電阻器、電容器、加熱器、觸摸屏以及汽車窗戶上的除霧器。光刻法可應用于制造具有細線電極的rop。
[0037]接下來，下文將詳細說明導體漿料組合物。導體漿料至少包含:(i)銅粉，?)硼粉；和iii)玻璃料；分散于(iv)有機載體中。
[0038]⑴銅粉
[0039]導體漿料包含銅(Cu)粉以賦予電極導電性。除非另外特別指明，否則Cu粉包含芯Cu和金屬氧化物涂層。在一個實施方案中，芯Cu可為純Cu，或為含鎳、銀、鋁、鋅、錫或其混合物的Cu合金。純Cu在一個實施方案中可具有至少80%的純度，在另一個實施方案中至少90%，在另一個實施方案中至少95%。
[0040]Cu粉涂覆有金屬氧化物，其選自氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)以及它們的混合物。在另一個實施方案中，Cu粉可涂覆有ZnO。Cu粉可涂覆有金屬氧化物粉末或金屬氧化物層。
[0041]涂覆Cu粉的金屬氧化物基于Cu粉的重量計在一個實施方案中可為0.1至8重量％，在另一個實施方案中可為0.3至6.2重量％，在另一個實施方案中可為0.5至5.2重量％，并在又一個實施方案中可為0.8至3.5重量％。涂覆有上述范圍內金屬氧化物的Cu粉可改善洗脫同時保持足夠的導電性，如下面的實施例中所示。
[0042]Cu粉的粒徑(D50)在一個實施方案中可為0.08至10 μ m，在另一個實施方案中可為0.2至6.0 μ m，在另一個實施方案中可為0.3至2.5 μ m。當Cu粉的粒徑在該范圍內時，可將導體漿料很好地分散在有機載體中。在光刻中，當Cu粉的粒徑在該范圍內時，導體漿料可在曝光時良好地固化。粒徑通過采用激光衍射散射法測量粒徑分布而獲得，并可被定義為D50。Microtrac型X-100是可商購獲得的儀器的實例。
[0043]在一個實施方案中，Cu粉可為球形、片狀或不規則形狀。當使用光刻法時，包含球形Cu粉的導體漿料在感光方面可為有利的。
[0044]銅粉基于導體漿料的重量計在一個實施方案中可為至少30至95重量％，在另一個實施方案中可為35至92重量％，在另一個實施方案中可為40至90重量％。尤其是當導體漿料為感光的時，Cu粉基于導體漿料的重量計在一個實施方案中可為30至70重量％，在另一個實施方案中可為35至62重量％。當導體漿料不感光時，Cu粉基于導體漿料的重量計在另一個實施方案中可為60至95重量％，在另一個實施方案中可為67至92重量％。在該范圍內的Cu粉可賦予電極足夠的導電性。[0045]除Cu粉外，可將任何其他的附加金屬粉末添加到導體漿料中以調節電極的導電性。銀(Ag)粉、金(Au)粉、鈀(Pd)粉、鋁(Al)粉、鉬(Pt)粉以及這些金屬的合金粉末均可為實例。在另一個實施方案中，附加金屬粉末的量基于導體漿料的重量計最多可為5重量％。
[0046]在一個實施方案中，涂覆有金屬氧化物的Cu粉可按如下方式制造。可將金屬氧化物粉末經機械化學處理固定在裸Cu粉表面上，然后可將具有金屬氧化物粉末的Cu粉在還原氣氛中或在惰性氣體氣氛下在500至1000C下加熱。為了將金屬氧化物粉末固定在裸Cu粉上，要將金屬氧化物粉末和裸Cu粉進行良好的混合或攪拌。可獲得可使這些粉末相互碰撞的設備。在一個實施方案中，金屬氧化物粉末涂覆Cu粉的表面積為50m2/g或更大。
[0047]可通過諸如濺射和化學氣相沉積(CVD)的氣相方法或諸如溶膠-凝膠工藝的液相方法制備涂覆有金屬氧化物的Cu粉。
[0048](ii)硼粉
[0049]硼粉用于減少Cu粉在空氣中焙燒過程中發生氧化。向導體漿料添加硼粉可抑制電極的電阻因銅氧化而增大。
[0050]基于100重量份的Cu粉計，硼粉為5至30重量份。基于100重量份的Cu粉計，硼粉在另一個實施方案中可為10至28重量份,在另一個實施例中可為12至26重量份。包含該范圍內的硼粉的導體漿料可獲得足夠低的電阻，如以下實施例中所示。
[0051]從硼粉均勻分散在導體漿料中的角度而言，硼粉的粒徑(D50)在一個實施方案中可為0.1至5 μ m，在另一個實施方案中可為0.3至3μηι，在另一個實施方案中可為0.6至2.3μπι。當硼粉的粒徑在該范圍內時，導體漿料可良好地固化。可采用與上述Cu粉相同的方式測量粒徑。
[0052]硼粉的表面積(SA)在一個實施方案中可為3至20m2/g，在另一個實施方案中可為5至16m2/g，在另一個實施方案中可為7至14m2/g。當硼粉表面積在該范圍內時，銅粉的氧化可降低。SA可通過BET點法(JIS-Z-8830)進行測量。Quantachrome Nova 3000BET比表面積分析儀可用于測量SA。
[0053]在一個實施方案中，Cu粉可為球形、片狀或不規則形狀。
[0054]硼粉在一個實施方案中可包含占硼粉至少80重量％的硼，在另一個實施方案中可包含占硼粉至少89重量％的硼，在一個實施方案中可包含占硼粉至少93重量％的硼。
[0055](iii)玻璃料
[0056]玻璃料的作用是有助于燒結導電粉末或增大電極與基板的粘附性。在焙燒溫度下行為可像玻璃料一樣的復合氧化物也可被考慮作為玻璃料。
[0057]基于100重量份的Cu粉計，玻璃料在一個實施方案中可為0.1至10重量份，在另一個實施方案中可為0.2至8重量份，在另一個實施方案中可為0.3至4重量份。采用這樣的量，玻璃料可起到上述作用。
[0058]從均勻分散在導體漿料中的角度而言，玻璃料的粒徑(D50)在一個實施方案中可為0.1至5μπι，在另一個實施方案中可為0.3至3μπι，在另一個實施方案中可為0.6至2.3μπι。可采用與上述Cu粉相同的方式測量粒徑。
[0059]此處不限制玻璃料的化學組成。任何玻璃料均可適用于導體漿料。例如，鉛-硼-硅玻璃料、無鉛的鉍玻璃料均可用。[0060]在一個實施方案中，玻璃料的軟化點可為390至700°C。當軟化點在該范圍內時，玻璃料可適當熔融以獲得上述效果。軟化點可通過差熱分析(DTA)測定。
[0061](iv)有機載體
[0062]將諸如Cu粉的無機粉末分散到有機載體中形成稱為“漿料”的粘稠組合物，其具有以期望的圖案施涂到基板上的合適粘度。
[0063]對于有機載體的組成沒有限制。在一個實施方案中，有機載體可包含至少一種有機聚合物和任選的溶劑。
[0064]多種惰性的粘稠材料均可被用作有機聚合物，例如乙基纖維素、二乙基羥基纖維素、木松香、環氧樹脂、酚醛樹脂、丙烯酸類樹脂或它們的混合物。
[0065]當在光刻法中對導體漿料進行顯影時，可通過使用包含丙烯酸類聚合物的有機聚合物實現水溶液中的可顯影性，該丙烯酸類聚合物具有可溶于諸如0.4%碳酸鈉溶液的堿性溶液中的羥基或羧基側鏈。丙烯酸類聚合物可為異丁烯酸甲酯和甲基丙烯酸的共聚物(MMA-MAA)。也可獲得水溶性的纖維素聚合物，諸如羥乙基纖維素、羥丙基纖維素和羥乙基羥丙基纖維素。有機聚合物可為丙烯酸類聚合物和纖維素聚合物的混合物。
[0066]諸如酯醇-12或萜品醇的溶劑可用于將導體漿料的粘度調節為更適合施涂到基板上。在一個實施方案中，在室溫下在Brookfield HBT粘度計上使用14號轉子以IOrpm的轉速測得導體漿料的粘度可為5至300帕秒。
[0067]在光刻法中，有機載體可進一步包含光致聚合引發劑和可光致聚合的化合物。
[0068]光致聚合引發劑在185C或更低溫度下為熱惰性的，但當暴露于光化射線中時會生成自由基。在共軛羧酸環系中具有兩個分子內環的化合物可被用作光聚合引發劑，例如4- 二甲基氨基苯甲酸乙酯(EDAB)、二乙基噻噸酮(DETX)和2-甲基_1[4_(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-1-丙酮。在一個實施方案中，光致聚合引發劑基于有機載體的重量計可為2至9重量％。
[0069]光致聚合化合物可包括有機單體或低聚物,所述低聚物包括具有至少一個可聚合的乙烯基團的烯屬不飽和化合物。光聚合化合物的實例為乙氧基化(6)三羥甲基丙烷三丙烯酸酯和雙季戊四醇五丙烯酸酯。在一個實施方案中，光聚合化合物基于有機載體的重量計可為20至45重量％。
[0070]基于100重量份的Cu粉計，有機載體在一個實施方案中可為10至120重量份，在另一個實施方案中可為20至117重量份,在另一個實施方案中可為40至110重量份。
[0071]此外，可將諸如分散劑、穩定劑和增塑劑的有機添加劑添加到有機載體中。
[0072]對用于光刻法的有機載體而言，可將US5143819、US5075192、US5032490、US7655864以引用方式并入本文。
[0073](V)附加無機粉末
[0074]可任選地將附加無機粉末添加到導體漿料中。附加無機粉末不是必需的。然而，附加無機粉末可改善電極的各種特性，諸如粘附性和導電性。
[0075]在一個實施方案中，附加無機粉末可選自二氧化硅(SiO2)粉末、銦錫氧化物(ITO)粉末、氧化鋅(ZnO)粉末、氧化鋁(Al2O3)粉末及它們的混合物。附加無機粉末在另一個實施方案中可為SiO2粉末，在另一個實施方案中可為熱解法二氧化硅粉末。基于附加無機粉末的重量計，附加無機粉末在一個實施方案中可包含至少80重量％的一種或多種這些氧化物，在另一個實施方案中可包含至少89重量％的一種或多種這些氧化物，并且在一個實施方案中可包含至少93重量％的一種或多種這些氧化物。
[0076]基于100重量份的Cu粉計，附加無機粉末在一個實施方案中可為0.5至10重量份，在另一個實施方案中可為1.5至7重量份,在另一個實施方案中可為2.9至5.6重量份。
[0077]附加無機粉末的粒徑(D50)在一個實施方案中可為5nm至lm，在另一個實施方案中可為7nm至200nm,并且在又一個實施方案中可為9nm至lOOnm。可采用與上述Cu粉相同的方式測量粒徑(D50)。
[0078]附加無機粉末的表面積(SA)在一個實施方案中可為50至325m2/g,在另一個實施方案中可為120至310m2/g，并且在另一個實施方案中可為180至260m2/g。可采用與上述硼粉相同的方式測量SA。
實施例
[0079]本發明在下文通過實施例示出。這些實施例是通過光刻法形成的電極。然而，實施例僅是出于示意性的目的，并不是旨在限制本發明。
[0080]1.制各導體漿料
[0081]為了獲得有機載體，用酯醇-12、MMA-MAA共聚物、光聚合引發劑、光聚合單體和有機添加劑充滿混合槽，并將槽中的混合物充分攪拌。
[0082]向此有機載體中加入下文的無機材料，以形成導體漿料。混合導體漿料，直到無機粉末被有機載體潤濕，并用三輥研磨機進一步分散。粘度介于20至60帕秒。
[0083]-銅粉:涂覆有SiO2的球形Cu粉。基于Cu粉的重量計,SiO2的量為3重量％或5重量％，如表I中所示。為了比較，將沒有SiO2涂層的球形裸Cu粉用于比較實施例1。
[0084]-硼粉:形狀不規則的硼粉，粒徑為1.0m、表面積為10.0m2/g(I級無定形硼，H.C.Starck 公司)。
[0085]-附加的無機粉末:熱解法二氧化硅粉末，表面積為200m2/g、粒徑為12nm(得自Evonik Industries 的 Aerosil 200)。
[0086]-玻璃料:鉍-硼-鋁玻璃料，粒徑為0.9m、Ts為590C
[0087]2.形成電極
[0088]采取預防措施避免污垢污染，因為在制備漿料和制造部件的過程中污垢污染可導致缺陷。
[0089]2-1:施凃
[0090]將導體漿料通過300目篩網掩模絲網印刷到玻璃基板上，以形成2X2英寸塊狀圖案的導體漿料層。在100C，在紅外爐中干燥導體漿料層10分鐘。干燥的導體漿料層通常為6至8m厚。
[0091]2-2:曝光
[0092]使用準直的紫外線輻射源(光強度:17-20mW/cm2 ;曝光:2000mJ/cm2，曝光時間:100-120秒)將干燥的漿料通過光掩模曝光100秒。掩模圖案為折疊成S形的長1000mm、寬IOOm的一條線。
[0093]2-3:顯影
[0094]將曝光的樣品放在傳送裝置上，進入充滿作為顯影劑的0.4重量％碳酸鈉水溶液的顯影裝置中。每個樣品的顯影時間介于7至17秒，這是用堿性溶液完全洗掉基板上導體漿料層的未曝光區域的先前測量時間的1.5倍。按S形彎曲的一條線出現。
[0095]2-4:焙燒
[0096]使用熔爐(得自KOYO THERMO SYSTEMS KOREA C0.,LTD.的輥底式連續爐(RollerHearth Continuous Furnace))在空氣中焙燒顯影后的導體衆料層。焙燒條件為600C的設定峰值溫度，持續10分鐘。從進爐到出爐的總焙燒時間為1.5小時。焙燒電極具有平均
4.5m的厚度。
[0097]3:測量
[0098]通過具有測量系統CP30的顯微鏡觀察和測量電極的洗脫寬度。洗脫寬度是包括玻璃狀洗脫的總線寬度減去銅線寬度得到的值(參見圖2)，用公式表示為:洗脫寬度(m)=總線寬度(m)_銅線寬度(m)。當將比較實施例1的洗脫寬度設為零時，將洗脫表示為相對值。基于比較實施例1的洗脫寬度，較大的負值意味著較低的洗脫寬度。
[0099]通過以下公式(I)計算體積電阻率。用萬用表(得自Hewlett-Packard公司的34401A)測量電阻(Ω)。用具有測量系統的顯微鏡測量電極的寬度、厚度和長度。
[0100]體積電阻率(Ω.Cm)=電阻(Ω) X電極的寬度(cm) X電極的厚度(cm)/電極的長度
[0101]Cm)(I)
[0102]4:結果
[0103]洗脫寬度和體積電阻率通過在導體漿料中用SiO2-涂覆的Cu粉(實施例1和2)替代無涂層的裸Cu粉(比較實施例1)而得到顯著的改善，如表1中所示。比較實施例1中電極的體積電阻率過高而無法測量，因為洗脫可能導致了 Cu外流。
[0104]表 1
【權利要求】
1.制造電極的方法，包括以下步驟: 將導體漿料施涂到基板上以形成導體漿料層，所述導體漿料層包含: (i)100重量份涂覆有金屬氧化物的銅粉，所述金屬氧化物選自氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)以及它們的混合物； (ii)5至30重量份的硼粉；和 (iii)0.1至10重量份的玻璃料；分散在 (iv)有機載體中；以及 在空氣中焙燒所述導體漿料。
2.權利要求1的方法，其中涂覆所述銅粉的金屬氧化物基于所述銅粉的重量計為0.1至8重量％。
3.權利要求1的方法，其中所述銅粉的平均粒徑為0.08至ΙΟμπι。
4.權利要求1的方法，其中所述硼粉的平均粒徑為0.1至5μπι。
5.權利要求1的方法，其中所述導體漿料還包含0.5至10重量份的附加無機粉末，所述附加無機粉末選自二氧化硅粉末、銦錫氧化物粉末、氧化鋅粉末、氧化鋁粉末以及它們的混合物。
6.權利要求1的方法，還包括介于干燥步驟和焙燒步驟之間的將基板上的導體漿料層曝光的步驟，其中所述有機載體包含光聚合化合物和光聚合引發劑。
7.權利要求6的方法，還包括介于曝光步驟和焙燒步驟之間的對所述曝光后的導體漿料層進行顯影的步驟。
8.導體漿料，包含: (i)100重量份包含涂覆有金屬氧化物的銅粉的銅粉，所述金屬氧化物選自氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)以及它們的混合物； (ii)5至30重量份的硼粉；和 (iii)0.1至10重量份的玻璃料；分散在 (iv)有機載體中；以及
9.權利要求8的導體漿料，其中涂覆所述銅粉的金屬氧化物基于所述銅粉的重量計為0.1至8重量％。
10.權利要求8的導體漿料，其中所述有機載體包含光聚合化合物和光聚合引發劑。
【文檔編號】H01B5/14GK103578651SQ201210367450
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年9月28日 優先權日:2012年7月26日
【發明者】黑木正勝 申請人:E·I·內穆爾杜邦公司