專利名稱：一種陣列基板的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板的制備方法。
背景技術(shù)：
隨著薄膜晶體管液晶顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，越來越多的新技術(shù)不斷地被提出和應(yīng)用，例如高分辨率、高開口率、陣列基板行驅(qū)動(Gateon Array, GOA)技術(shù)等。目前，對于TFT-1XD而言，現(xiàn)有技術(shù)中對于高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(Advanced-Super DimensionalSwitching,簡稱為ADS)型陣列基板通常需要柵金屬層掩膜，有源層掩膜，柵絕緣層掩膜，第一電極層掩膜，源漏金屬層掩膜，鈍化層掩膜、以及第二電極層掩膜7次構(gòu)圖工藝來制造，而每一次構(gòu)圖工藝中又分別包括成膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。然而，構(gòu)圖工藝的次數(shù)過多將直接導(dǎo)致產(chǎn)品的成本上升以及量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能降低，因此如何能夠進一步減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)也就成為了人們?nèi)找骊P(guān)注的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板的制備方法，通過將帶有第一過孔的柵絕緣層的圖案以及有源層的圖案在一次構(gòu)圖工藝中形成，以及將第一電極的圖案和數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極的圖案在一次構(gòu)圖工藝中形成，來減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案提供了一種陣列基板的制備方法，包括步驟1、在基板上形成包括柵電極，柵線引線的圖案層；步驟2、在完成前述步驟的基板上依次形成絕緣層薄膜和有源層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成帶有第一過孔的柵絕緣`層的圖案以及有源層的圖案，其中所述第一過孔位于所述柵線引線上方；步驟3、在完成前述步驟的基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括第一電極的圖案層、以及包括數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和薄膜場效應(yīng)晶體管TFT溝道的圖案層；步驟4、在完成前述步驟的基板上形成包括鈍化層的圖案；步驟
5、在完成前述步驟的基板上形成包括第二電極的圖案層。本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制備方法，通過一次構(gòu)圖工藝處理形成帶有第一過孔的柵絕緣層的圖案和所述有源層的圖案，以及通過一次構(gòu)圖工藝處理形成包括第一電極的圖案層和包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案層，與現(xiàn)有技術(shù)中通過兩次構(gòu)圖工藝處理分別形成所述帶有第一過孔的柵絕緣層的圖案和有源層的圖案，以及通過兩次構(gòu)圖工藝處理分別形成所述第一電極圖案和所述數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極圖案相比，本發(fā)明實施例減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種陣列基板的制備方法的流程示意圖；圖2為本發(fā)明實施例一提供的一種形成包括柵電極，柵線引線的圖案的示意圖；圖3 圖8為本發(fā)明實施例一提供的一種形成帶有第一過孔的柵絕緣層的圖案以及有源層的圖案的過程示意圖；圖9 圖14本發(fā)明實施例一提供的一種形成包括第一電極的圖案層、以及包括數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極的圖案層的過程示意圖；圖15為本發(fā)明實施例一提供的一種包括鈍化層的圖案的陣列基板的示意圖；圖16為本發(fā)明實施例一提供的一種包括第二電極的圖案層的陣列基板的示意圖；圖17 圖21為本發(fā)明實施例二提供的另一種制作陣列基板的過程示意圖；圖22為本發(fā)明實施例三提供的制作一種陣列基板的示意圖。附圖標記11-柵金屬層，Ila-柵極，Ilb-柵線引線；12-絕緣層薄膜，12a_第一過孔，12b_柵絕緣層；13_有源層薄膜，13a-有源層圖案，13al-非晶硅圖案，13a2-n+非晶硅圖案；14_光刻膠，14a-光刻膠完全保留部分14b-光刻膠半保留部分，14c-光刻膠完全去除部分；15-第一灰色調(diào)掩膜板，15a-不透明部分，15b-半透明部分，15c_透明部分；17_透明導(dǎo)電薄膜，17a-第一電極圖案，17b-第一透明導(dǎo)電圖案，17c-第二透明導(dǎo)電圖案；18_金屬薄膜，18a-源電極，18b-漏電極，18c-源漏金屬層保留圖案；145-溝道；19-第二灰色調(diào)掩膜板；20-鈍化層，20a-第二過孔；21_第二電極。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制備方法，包括步驟1、在基板上形成包括柵電極，柵線引線的圖案層；步驟2、在完成前述步驟的基板上依次形成絕緣層薄膜和有源層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成帶有第一過孔的柵絕緣層的圖案以及有源層的圖案，其中所述第一過孔位于所述柵線引線上方；步驟3、在完成前述步驟的基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括第一電極的圖案層、以及包括數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和薄膜場效應(yīng)晶體管TFT溝道的圖案層；步驟4、在完成前述步驟的基板上形成包括鈍化層的圖案；步驟5、在完成前述步驟的基板上形成包括第二電極的圖案層。需要說明的是，柵電極，柵線引線的圖案、帶有第一過孔的柵絕緣層的圖案、有源層的圖案、第一電極的圖案、以及數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道的圖案是構(gòu)成陣列基板的必不可少的圖案；對于ADS型陣列基板，鈍化層的圖案、第二電極的圖案也是必不可少的圖案。此外，在本發(fā)明所有實施例中所述一次構(gòu)圖工藝是對應(yīng)于一次掩膜工藝來說的，應(yīng)用一次掩膜板制作完成某些圖案稱 為進行了一次構(gòu)圖工藝。
在本發(fā)明實施例中，通過一次構(gòu)圖工藝處理形成所述帶有第一過孔的柵絕緣層的圖案和所述有源層的圖案，以及通過一次構(gòu)圖工藝處理形成包括第一電極的圖案層和包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案層，與現(xiàn)有技術(shù)中通過兩次構(gòu)圖工藝處理分別形成所述帶有第一過孔的柵絕緣層的圖案和有源層的圖案，以及通過兩次構(gòu)圖工藝處理分別形成所述第一電極圖案和所述數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極圖案相比，本發(fā)明實施例減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。實施例一，一種陣列基板的制備方法，如圖1所示，包括如下步驟S10、在基板上制作金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝處理形成如圖2所示的柵金屬層11，其中所述柵金屬層11包括柵電極11a、柵線(圖中未標出)、以及柵線引線Ilb的圖案。具體的，可以使用磁控濺射方法，在玻璃基板上制備一層厚度在1000A個:7000 A的金屬薄膜。金屬材料通常可以采用鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。然后用掩膜板通過曝光、顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖工藝處理，在基板的一定區(qū)域上形成柵電極lla、柵線(圖中為標出)、以及柵線引線Ilb的圖案層。S11、如圖3所示，在完成步驟SlO的基板上依次制作絕緣層薄膜12和有源層薄膜13，并在所述有源層薄膜13上涂覆光刻膠14。具體的，可以利用化學氣相沉積法先在形成有柵電極lla、柵線、以及柵線引線IIb的圖案層的基板上沉積厚度為1000A至6000A的絕緣層薄膜，所述絕緣層薄膜的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等；再利用化學氣相沉積法在基板之上沉積厚度為000A至6000A的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜；然后在金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜上涂覆一層光刻膠14。S12、利用如圖4所示的第一灰色調(diào)掩膜板15對形成有所述光刻膠14的基板進行曝光顯影后形成光刻膠完全 保留部分14a、光刻膠半保留部分14b和光刻膠完全去除部分14c。其中，所述光刻膠完全保留部分14a對應(yīng)待形成的有源層13a的圖案的區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分14c對應(yīng)待形成的所述第一過孔12a的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分14b對應(yīng)其他區(qū)域。進一步優(yōu)選的，所述光刻膠半保留部分14b的光刻膠厚度為2000人~ 10000人。這樣可以進一步的增加工藝穩(wěn)定性以及節(jié)省工藝時間。此處，參考圖4所示，對第一灰色調(diào)掩膜板15的主要原理說明如下第一灰色調(diào)掩膜板15是通過光柵效應(yīng)，使曝光在不同區(qū)域透過光的強度不同，而使光刻膠進行選擇性曝光、顯影。在第一灰色調(diào)掩膜板15中，包括不透明部分15a、半透明部分15b和透明部分15c。光刻膠14曝光后，光刻膠完全保留部分14a對應(yīng)第一灰色調(diào)掩膜板15的不透明部分15a，光刻膠半保留部分14b對應(yīng)第一灰色調(diào)掩膜板15的半透明部分15b，光刻膠完全去除部分14c對應(yīng)第一灰色調(diào)掩膜板15的透明部分15c。所述第一半色調(diào)掩膜板的原理與所述第一灰色調(diào)掩膜板15類似，在此不再贅述。其中，本發(fā)明所有實施例中所指的所述光刻膠14均為正性膠，即所述灰色調(diào)掩膜板15中，所述光刻膠完全去除部分14c對應(yīng)的區(qū)域為完全曝光區(qū)域，所用材料為透光材料；所述光刻膠半保留部分14b對應(yīng)的區(qū)域為半曝光區(qū)域，所用材料為半透光材料，所述光刻膠完全保留部分14a對應(yīng)的區(qū)域為不曝光區(qū)域，所用材料為不透光材料。S13、采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分14c的所述有源層薄膜和所述絕緣層薄膜，形成如圖5所示的帶有第一過孔12a的柵絕緣層12b的圖案。S14、采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分14b的光刻膠，形成如圖6所示的基板。由于光刻膠完全保留部分14a比光刻膠半保留部分14b的光刻膠厚度厚，故將所述光刻膠半保留部分14b去除后，所述基板上的光刻膠還剩有光刻膠完全保留部分14a。S15、采用刻蝕工藝去除露出的所述柵絕緣層12b上方的部分有源層薄膜，形成如圖7所示的有源層13a的圖案。S16、采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分14a的光刻膠，形成如圖8所示的基板。步驟Sll S16進行一次構(gòu)圖工藝，形成帶有第一過孔12a的柵絕緣層12b的圖案和有源層13a的圖案，與現(xiàn)有技術(shù)通過兩次構(gòu)圖工藝處理分別形成所述帶有第一過孔12a的柵絕緣層12b的圖案和所述有源層13a的圖案，本發(fā)明實施例減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。S17、完成步驟S16的基板上依次制作透明導(dǎo)電薄膜17和金屬薄膜18，并在所述金屬薄膜18上涂覆光刻膠14，形成如圖9所示的基板。具體的，可以先利用化學氣相沉積法在整個基板上沉積一層厚度在丨00人至1000A之間的透明導(dǎo)電薄膜層17，之后在基板上沉積一層厚度在IOOOA到7000A之間的金屬薄膜18 ;其中常用的透明導(dǎo)`電薄膜17可以為IT0(Indium Tin Oxides,銦錫氧化物)或IZO(IndiumZinc Oxide,銦鋅氧化物)薄膜；然后在所述金屬薄膜18上涂覆一層光刻膠14。S18、利用如圖10所示的第二灰色調(diào)掩膜板19對形成有所述光刻膠14的基板進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分14a、光刻膠半保留部分14b和光刻膠完全去除部分 14c。其中，所述光刻膠完全保留部分14a至少對應(yīng)待形成的所述數(shù)據(jù)線(圖中未標出)、源電極18a和漏電極18b圖案的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分14b至少對應(yīng)待形成的所述第一電極17a圖案的部分區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分14c對應(yīng)包括薄膜場效應(yīng)晶體管(ThinFilm Transistor, TFT)溝道區(qū)域在內(nèi)的其他區(qū)域。需要說明的是，所述第二灰色調(diào)掩膜板19同樣包括不透明部分15a、半透明部分15b和透明部分15c，具體可參照S12中對第一灰色調(diào)掩膜板15的描述，在此不再贅述。所述第二半色調(diào)掩膜板與所述第二灰色調(diào)掩膜板19類似，在此不再贅述。進一步優(yōu)選的，所述光刻膠半保留部分14b的光刻膠厚度為2000人~ 10000人。這樣可以進一步的增加工藝穩(wěn)定性以及節(jié)省工藝時間。S19、采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分14c的所述金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜，如圖11所示，形成位于TFT溝道145兩側(cè)的數(shù)據(jù)線(圖中為標出)及源電極18a圖案、所述數(shù)據(jù)線及源電極圖案下方的第一透明導(dǎo)電圖案17b和第一電極17a圖案、所述第一電極圖案上方的金屬薄膜，以及覆蓋所述第一過孔12a的第二透明導(dǎo)電圖案17c和位于所述第二透明導(dǎo)電圖案17c上方的源漏金屬層保留圖案18c。
需要說明的是，在本發(fā)明所有實施例中，所指的上方為按照形成的先后順序，先形成的在下，后形成的在上。例如，所述源漏金屬層保留圖案18c位于所述第二透明導(dǎo)電圖案17c上方，即，先形成所述第二透明導(dǎo)電圖案17c，再形成所述源漏金屬層保留圖案18c。優(yōu)選的，采用濕法刻蝕工藝分別去除所述光刻膠完全去除部分14c的金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜。S20、采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分14b的光刻膠，形成如圖12所示的基板。S21、采用刻蝕工藝去除露出的所述第一電極17a圖案上方的部分金屬薄膜，形成如圖13所示的所述漏電極18b的圖案。優(yōu)選的，采用濕法刻蝕工藝去除露出的所述第一電極17a圖案上方的部分金屬薄膜。S22、采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分14a的光刻膠，形成如圖14所示的基板。步驟S17 S22進行一次構(gòu)圖工藝，形成包括第一電極17a的圖案層和包括數(shù)據(jù)線、源電極18a和漏電極18b的圖案層，與現(xiàn)有技術(shù)的通過兩次構(gòu)圖工藝處理分別形成所述第一電極17a圖案和所述數(shù)據(jù)線、源電極18a和漏電極18b圖案相比，本發(fā)明實施例減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。此外，為了防止導(dǎo)電的薄膜(例如金屬薄膜或透明導(dǎo)電薄膜)裸露在空氣中發(fā)生氧化等，導(dǎo)致該陣列基板使用壽命降低，進一步地，所述方法還可以包括如下步驟S23、完成步驟S22的基板上制作鈍化層薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝處理形成鈍化層20的圖案。此處具體的，可以在整個基板上涂覆一層厚度在〗000人到6000A的保護層，其材料通常是氮化硅或透明的有機樹脂材料，通過一次構(gòu)圖工藝處理形成，如圖15所示的帶有第二過孔的20a的鈍化層20的圖案，所述第二過孔20a露出位于所述鈍化層20下方的源漏金屬層保留圖案18c。由于柵極Ila需要被驅(qū)動電路驅(qū)動，才能實現(xiàn)顯示的作用，因此，在本發(fā)明實施例中，需形成帶有第二過孔的20a鈍化層20，以使驅(qū)動電路通過該第一過孔20a與所述柵線引線Ilb電連接。此外，本發(fā)明實施例提供的陣列基板可以適用于高級超維場轉(zhuǎn)換型、TN(TwiStNematic，扭曲向列)型等類型的液晶顯示裝置的生產(chǎn)。其中，高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)，其核心技術(shù)特性描述為通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。因此，優(yōu)選的，在步驟S23的基礎(chǔ)上，所述方法還包括S24、在完成步驟S23的基板上再制作一層透明導(dǎo)電薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝處理形成如圖16所示的第二電極21的圖案層。 本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制備方法，通過一次構(gòu)圖工藝處理形成帶有第一過孔12a的柵絕緣層12b的圖案和所述有源層13a的圖案，以及通過一次構(gòu)圖工藝形成包括第一電極17a的圖案層和包括數(shù)據(jù)線、源電極18a和漏電極18b的圖案層，與現(xiàn)有技術(shù)通過兩次構(gòu)圖工藝處理分別形成所述帶有第一過孔12a的柵絕緣層12b的圖案和所述有源層13a的圖案，以及通過兩次構(gòu)圖工藝處理分別形成所述第一電極17a圖案和所述數(shù)據(jù)線、源電極18a和漏電極18b圖案相比，本發(fā)明實施例減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。實施例二，另一種陣列基板的制備方法，包括如下步驟S30、在基板上制作金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝處理，形成如圖17所示的柵金屬層11，其中所述柵金屬層11包括柵電極lla、柵線(圖中未標出)、以及柵線引線Ilb的圖案；在形成有所述柵金屬層11的基板上制作絕緣薄膜和有源層薄膜，所述有源層薄膜包括一層非晶硅薄膜和以及位于其上方的一層η+非晶硅薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝處理，形成如圖17所示的帶有第一過孔12a的柵絕緣層12b的圖案和有源層13a的圖案，其中有源層圖案13a包括非晶硅圖案13al和η+非晶硅圖案13a2。在步驟S30中，通過一次構(gòu)圖工藝處理形成包括柵電極lla、柵線、以及柵線引線Ilb圖案的柵金屬層11，與上述實施例一中的SlO相同；通過一次構(gòu)圖工藝處理形成帶有第一過孔12a的柵絕緣層12b的圖案和有源層13a的圖案，與上述實施例一中的Sll S16過程類似，唯一不同的是，所述有源層薄膜13包括非晶硅薄膜和η+非晶硅薄膜兩層，相應(yīng)的，形成的有源層13a的圖案包括非晶硅圖案13al和η+非晶硅圖案13a2，具體形成過程在此不再贅述。S31、在完成步驟S30的基礎(chǔ)上，依次制作透明導(dǎo)電薄膜17和金屬薄膜18并在所述金屬薄膜15上涂覆光刻膠，利用第二灰色調(diào)掩膜板19對形成有所述光刻膠的基板進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分14a、光刻膠半保留部分14b和光刻膠完全去除部分14c (圖14未標出)；采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分14c的所述金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜，形成如圖18所示的位 于所述TFT溝道145兩側(cè)的數(shù)據(jù)線(圖中為標出)及源電極18a圖案、所述數(shù)據(jù)線及源電極圖案下方的第一透明導(dǎo)電圖案17b和第一電極17a圖案、所述第一電極圖案上方的金屬薄膜，以及覆蓋所述第一過孔12a的第二透明導(dǎo)電圖案17c和位于所述第二透明導(dǎo)電圖案17c上方的源漏金屬層保留圖案18c。優(yōu)選的，所述光刻膠半保留部分14b的光刻膠厚度為2000人H0000人。這樣可以進一步的增加工藝穩(wěn)定性以及節(jié)省工藝時間。優(yōu)選的，采用濕法刻蝕工藝分別去除所述光刻膠完全去除部分的金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜。在步驟S31中，形成位于溝道145兩側(cè)的數(shù)據(jù)線(圖中為標出)及源電極18a圖案、所述數(shù)據(jù)線及源電極圖案下方的第一透明導(dǎo)電圖案17b和第一電極17a圖案、所述第一電極圖案上方的金屬薄膜，以及覆蓋所述第一過孔12a的第二透明導(dǎo)電圖案17c和位于所述第二透明導(dǎo)電圖案17c上方的源漏金屬層保留圖案18c，與上述步驟S17-S19相同，在此不再贅述。S32、采用干法刻蝕去除所述TFT溝道145區(qū)域的η+非晶硅圖案13a2，形成如圖19所不的基板。S33、采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分14b的光刻膠，采用刻蝕工藝去除露出的所述第一電極17a圖案上方的部分金屬薄膜，形成如圖20所示的所述漏電極18b的圖案。優(yōu)選的，采用濕法刻蝕去除露出的所述第一電極17a圖案上方的部分金屬薄膜。S34、采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分14a的光刻膠，形成如圖21所示的基板。后續(xù)步驟與上述的S23-S24相同，在此不再贅述。在本發(fā)明實施例中，刻蝕順序依次為濕法刻蝕-濕法刻蝕-干法刻蝕-干法刻蝕-濕法刻蝕，由此可以看出，前面的兩次濕法刻蝕可以在一個反應(yīng)腔中進行，后面的兩次干法刻蝕也可以在一個反應(yīng)腔中進行，這樣有利于提升刻蝕的產(chǎn)能。本發(fā)明實施例通過一次構(gòu)圖工藝形成帶有第一過孔12a的柵絕緣層12b的圖案和所述有源層13a的圖案，以及通過一次構(gòu)圖工藝形成包括第一電極17a的圖案層和包括數(shù)據(jù)線、源電極18a和漏電極18b的圖案層，與現(xiàn)有技術(shù)通過兩次構(gòu)圖工藝處理分別形成所述帶有第一過孔12a的柵絕緣層12b的圖案和所述有源層13a的圖案，以及通過兩次構(gòu)圖工藝處理分別形成所述第一電極圖案17a和所述數(shù)據(jù)線、源電極18a和漏電極18b圖案相比，本發(fā)明實施例減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。實施例三，一種陣列基板的制備方法，在上述步驟S30-S31之后，包括如下步驟S40、采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分14b的光刻膠，采用刻蝕工藝去除露出的所述第一電極17a圖案上方的部分金屬薄膜，形成如圖22所示的所述漏極18b的圖案。優(yōu)選的，采用濕 法刻蝕工藝去除露出的所述第一電極17a圖案上方的部分金屬薄膜。S41、采用干法刻蝕去除所述溝道區(qū)域的部分η+非晶硅圖案13a2，形成參考圖20所示的基板。S42、采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠，形成參考圖21所示的基板。由上述可知，本發(fā)明實施例相對于實施例二僅是在去除溝道145區(qū)域的部分η+非晶硅圖案13a2的工藝順序不同而已。當然，對于實施例二和實施例三還可以包括上述的步驟S23 S24，在此不再贅述。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制備方法,包括 步驟1、在基板上形成包括柵電極，柵線引線的圖案層； 步驟2、在完成前述步驟的基板上依次形成絕緣層薄膜和有源層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成帶有第一過孔的柵絕緣層的圖案以及有源層的圖案，其中所述第一過孔位于所述柵線引線上方； 步驟3、在完成前述步驟的基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括第一電極的圖案層、以及包括數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和薄膜場效應(yīng)晶體管TFT溝道的圖案層； 步驟4、在完成前述步驟的基板上形成包括鈍化層的圖案； 步驟5、在完成前述步驟的基板上形成包括第二電極的圖案層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟2的構(gòu)圖工藝包括 在所述有源層薄膜上涂覆光刻膠； 采用第一灰色調(diào)掩膜板或第一半色調(diào)掩膜板對形成有所述光刻膠的基板進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分對應(yīng)待形成的所述有源層的圖案的區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)待形成的所述第一過孔的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分對應(yīng)其他區(qū)域； 采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分的所述有源層薄膜和所述絕緣層薄膜，形成所述帶有第一過孔的柵絕緣層的圖案； 采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠； 采用刻蝕工藝去除露出的所述柵絕緣層上方的部分有源層薄膜，形成所述有源層的圖案； 采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟3的構(gòu)圖工藝包括 在所述金屬薄膜上涂覆光刻膠； 采用第二灰色調(diào)掩膜板或第二半色調(diào)掩膜板對形成有所述光刻膠的基板進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分至少對應(yīng)待形成的所述數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極圖案的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分至少對應(yīng)待形成的所述第一電極圖案的部分區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)包括所述TFT溝道區(qū)域在內(nèi)的其他區(qū)域； 采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分的所述金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜，形成位于所述TFT溝道兩側(cè)的數(shù)據(jù)線及源電極圖案、所述數(shù)據(jù)線及源電極圖案下方的第一透明導(dǎo)電圖案和第一電極圖案、所述第一電極圖案上方的金屬薄膜，以及覆蓋所述第一過孔的第二透明導(dǎo)電圖案和位于所述第二透明導(dǎo)電圖案上方的源漏金屬層保留圖案； 采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠； 采用刻蝕工藝去除露出的所述第一電極圖案上方的部分金屬薄膜，形成所述漏電極的圖案； 采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案位于所述柵電極的圖案上方，且所述有源層的圖案包括非晶硅圖案和η+非晶硅圖案，所述采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分的所述金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜之后，且所述采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠之前，所述方法還包括 采用干法刻蝕去除所述TFT溝道區(qū)域的η+非晶硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案位于所述柵電極的圖案上方，且所述有源層的圖案包括非晶硅圖案和η+非晶硅圖案，所述采用刻蝕工藝去除露出的所述第一電極圖案上方的部分金屬薄膜之后，所述采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠之前，所述方法還包括 采用干法刻蝕去除所述TFT溝道區(qū)域的η+非晶硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于，采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分的所述金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜包括 采用濕法刻蝕去除所述光刻膠完全去除部分的金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜； 采用刻蝕工藝去除露出的所述第一電極圖案上方的部分金屬薄膜包括 采用濕法刻蝕去除露出的所述第一電極圖案上方的部分金屬薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求2至5任一項所述的方法，其特征在于，所述光刻膠半保留部分的光刻膠厚度為2000Α ~ IOOOO人。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制備方法，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，可減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本；該方法包括在基板上形成包括柵電極，柵線引線的圖案層；在基板上依次形成絕緣層薄膜和有源層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成帶有第一過孔的柵絕緣層的圖案以及有源層的圖案，其中所述第一過孔位于所述柵線引線上方；在基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括第一電極的圖案層、以及包括數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和薄膜場效應(yīng)晶體管TFT溝道的圖案層；在基板上形成包括鈍化層的圖案；在基板上形成包括第二電極的圖案層。
文檔編號H01L21/77GK103066017SQ201210589548
公開日2013年4月24日 申請日期2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月28日
發(fā)明者郭建 申請人:北京京東方光電科技有限公司