封裝結構及制造方法
【專利摘要】一種封裝結構，包括基板、設于基板上的芯片、多個錫球、多個焊墊、封膠體及與焊墊一一對應的隔離柱。芯片通過錫球與焊墊電性連接，封膠體包覆于芯片。隔離柱自相應的焊墊的邊緣朝向遠離焊墊的方向延伸形成，錫球收容于隔離柱內，隔離柱用于防止相鄰的兩個錫球之間發生短路。本發明還揭示了一種封裝結構制造方法。本發明提供的封裝結構及制造方法，通過在焊墊周邊設置隔離柱，將錫球收容于隔離柱內，解決了錫橋問題，縮小了產品尺寸。
【專利說明】封裝結構及制造方法

【技術領域】
[0001]本發明涉及一種封裝結構及制造方法，尤其涉及一種倒裝芯片的封裝結構及制造方法。

【背景技術】
[0002]現有技術中，倒裝芯片的封裝結構是通過在基板上設計阻隔層來防止相鄰的錫球之間發生錫橋現象。由于需要在基板上鍍大量的阻隔層以及需要預焊，從而使得相鄰焊墊之間的中心距離必須大于10um以使相鄰焊墊之間預留相應的空間來設置阻隔層。因此，采用此種結構會增大基板的尺寸，制造成本高，且不利于封裝結構的小型化的發展趨勢。


【發明內容】

[0003]有鑒于此，需提供一種封裝結構及制造方法，不但可以有效解決錫球與錫球之間的錫橋問題，而且可縮小封裝產品的尺寸。
[0004]本發明提供的封裝結構，包括基板、設于基板上的多個焊墊、多個錫球、芯片及封膠體。所述芯片通過所述錫球與所述焊墊電性連接，所述封膠體包覆所述芯片，所述封裝結構還包括與所述焊墊一一對應的隔離柱，所述隔離柱自相應的焊墊的邊緣朝向遠離所述焊墊的方向延伸形成，所述錫球收容于所述隔離柱內，所述隔離柱用于防止相鄰的所述兩個錫球之間發生短路。
[0005]優選地，所述隔離柱的材質為銅。
[0006]優選地，每兩個相鄰的所述隔離柱之間部分重合。
[0007]優選地，每兩個相鄰的所述隔離柱之重合部分的厚度為40um。
[0008]優選地，所述隔離柱的厚度為40um。
[0009]優選地，每兩個相鄰的隔離柱之間的距離為40um。
[0010]本發明提供的封裝結構制造方法，用于將倒裝芯片封裝于基板上，所述封裝結構制造方法包括:
[0011]制作所述基板外層線路，所述外層線路包括多個焊墊，所述基板分為第一區域及與所述焊墊一一對應的第二區域，所述第二區域圍繞所述焊墊設置；
[0012]在所述第一區域上覆蓋干膜；
[0013]在所述第二區域上制作隔離柱，所述隔離柱自所述焊墊的邊緣朝向遠離所述焊墊的方向延伸；
[0014]移除所述干膜；
[0015]蝕刻掉所述基板上多余的電鍍線；
[0016]將錫球收容于所述隔離柱內并與所述基板電性連接，將所述倒裝芯片置放于所述錫球上；
[0017]采用封膠體包覆所述倒裝芯片，使所述倒裝芯片定位于所述基板上。
[0018]優選地，所述隔離柱采用電鍍的方式形成。
[0019]優選地，在將錫球收容于所述隔離柱內并與所述基板電性連接的步驟之間還包括在所述基板表面設置保護膜。
[0020]優選地，所述保護膜通過電鍍鎳金的方式或采用有機保護膜的方式形成。
[0021]相較于現有技術，本發明的封裝結構通過觸刻或電鍍的方式設置隔離柱，用以取代阻焊層的設計，且無需在基板上進行預焊錫，有效的縮短了焊墊與焊墊之間的距離，從而縮小了產品的尺寸。同時，錫球與錫球之間通過隔離柱隔開，可有效防止錫橋的現象發生。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1所示為本發明實施方式中封裝結構截面示意圖。
[0023]圖2所示為本發明封裝結構的制造方法的流程圖。
[0024]圖3所不為制造基板外層線路的不意圖。
[0025]圖4所示為在第一區域覆蓋干膜的示意圖。
[0026]圖5所示為電鍍隔離柱的示意圖。
[0027]圖6所示為在基板上電鍍保護膜的示意圖。
[0028]圖7所示為放置倒裝芯片的示意圖。
[0029]圖8所示為基板封裝成型的示意圖。
[0030]圖9所示為本發明另一種實施方式中封裝結構截面示意圖。
[0031]主要元件符號說明
[0032]封裝結構100
[0033]基板10
[0034]外層線路11
[0035]干膜12
[0036]隔離柱20
[0037]保護膜21
[0038]錫球30
[0039]芯片40
[0040]焊墊50
[0041]封膠體60
[0042]如下【具體實施方式】將結合上述附圖進一步說明本發明。

【具體實施方式】
[0043]請參照圖1，本發明提供的封裝結構100，包括基板10、設于基板10上的多個焊墊50、多個錫球30、芯片40及封膠體60。所述芯片40通過所述錫球30與所述焊墊50電性連接，所述封膠體60包覆所述芯片40。所述封裝結構100還包括與所述焊墊——對應的隔離柱20，所述隔離柱20自相應的焊墊50的邊緣朝向遠離所述焊墊50的方向延伸形成。所述錫球30收容于所述隔離柱20內，所述隔離柱20用于防止相鄰的所述兩個錫球30之間發生短路。
[0044]由此可見，本發明提供的封裝結構100，通過在焊墊50之周邊設置隔離柱20，將錫球30收容于隔離柱20內使相鄰的錫球之間被隔離，從而能夠有效防止基板在封裝過程中發生錫橋的現象，縮小了封裝產品的尺寸。
[0045]進一步的，在本實施方式中，所述隔離柱20的材質為銅。由于銅具有良好的導電性和熱傳導性，通過在基板上增加隔離柱，可以提高封裝產品的散熱性能。在本發明的其他實施方式中，隔離柱20也可以為其他金屬材質，例如鋁。
[0046]本實施方式中，每兩個相鄰的隔離柱20之間是相互分離的，每兩個相鄰的所述隔離柱20之間的距離為40um。由此可見，相較于先前技術，基板上焊墊與焊墊之間的距離大大縮小，從而有效縮小了封裝結構的尺寸，符合產品小型化的發展趨勢。
[0047]在本發明的其他實施方式(請參照圖9)中，每兩個相鄰的所述隔離柱20之間部分重合，每兩個相鄰的所述隔離柱20之重合部分的厚度為40um。由于每兩個相鄰的所述隔離柱20之間可以實現重疊，大大縮小了焊墊與焊墊之間的距離，從而減小了產品的尺寸。
[0048]本發明之封裝結構制造方法用于將所述倒裝芯片40封裝于基板10上。所述封裝結構制造方法包括如下步驟。
[0049]請同時參照圖2及圖3，在步驟S100，將所述基板10分為第一區域及與所述焊墊一一對應的第二區域，所述第二區域圍繞所述焊墊50設置，在所述基板10的第二區域制作外層線路11，需要保留電鍍線。
[0050]請同時參照圖2及圖4，在步驟S200，在第一區域上覆蓋干膜12，以防止基板表面氧化。
[0051]請同時參照圖2及圖5，在步驟S300，在所述第二區域上制作隔離柱20，所述隔離柱20自所述焊墊50的邊緣朝向遠離所述焊墊50的方向延伸。本實施方式中，所述隔離柱20的材質為銅，所述隔離柱20的厚度為40um，所述隔離柱20采用電鍍的方式形成。在本發明的其他實施方式中，隔離柱20也可以為其他金屬材質，例如鋁。
[0052]請參照圖2，在步驟S400，移除所述干膜12，本實施方式中，所述干膜12采用化學藥液蝕刻的方式移除。
[0053]請參照圖2，在步驟S500，蝕刻掉多余的電鍍線。
[0054]請同時參照圖2及圖6，在步驟S600，在所述隔離柱20及焊墊50表面設置保護膜21，以對基板10的表面進行保護。所述保護膜21通過電鍍鎳金的方式或采用有機保護膜的方式形成，所述有機保護膜經過高溫后會熔化，保證了焊墊50的導電性。
[0055]請同時參照圖2及圖7，在步驟S700，將錫球30收容于所述隔離柱20與所述焊墊50形成的凹槽內并通過所述焊墊50與電路板電性連接，將所述倒裝芯片40置放于所述錫球30上。
[0056]請同時參照圖2及圖8，在步驟S800，采用封膠體60包覆所述倒裝芯片40，使所述倒裝芯片40定位于所述基板10上。
[0057]本實施方式中，采用注膠成型的技術將封膠體60包覆所述倒裝芯片40，使所述倒裝芯片40定位于所述基板10上。
[0058]本發明提供的封裝結構制造方法利用倒裝芯片的技術將倒裝芯片40內埋于封膠體60內，通過采用電鍍的方式設置隔離柱20，將錫球置放于隔離柱內以防止錫橋的現象發生，且相鄰隔離柱之間的尺寸可根據需要進行相應調整，將隔離柱重疊可以縮短焊墊之間的距離，縮小封裝產品的尺寸，適用于高密度倒裝芯片的封裝。
【權利要求】
1.一種封裝結構，包括基板、設于基板上的多個焊墊、多個錫球、芯片及封膠體，所述芯片通過所述錫球與所述焊墊電性連接，所述封膠體包覆所述芯片，其特征在于，所述封裝結構還包括與所述焊墊一一對應的隔離柱，所述隔離柱自相應的焊墊的邊緣朝向遠離所述焊墊的方向延伸形成，所述錫球收容于所述隔離柱內，所述隔離柱用于防止相鄰的所述兩個錫球之間發生短路。
2.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述隔離柱的材質為銅。
3.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，每兩個相鄰的所述隔離柱之間部分重口 ο
4.如權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，每兩個相鄰的所述隔離柱之重合部分的厚度為40um。
5.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，每一個隔離柱的厚度為40um。
6.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，每兩個相鄰的所述隔離柱之間的距離為 40um。
7.一種封裝結構制造方法，用于將倒裝芯片封裝于基板上，其特征在于，所述封裝結構制造方法包括: 制作所述基板外層線路，所述外層線路包括多個焊墊，所述基板分為第一區域及與所述焊墊一一對應的第二區域，所述第二區域圍繞所述焊墊設置； 在所述第一區域上覆蓋干膜； 在所述第二區域上制作隔離柱，所述隔離柱自所述焊墊的邊緣朝向遠離所述焊墊的方向延伸； 移除所述干膜； 蝕刻所述基板上多余的電鍍線； 將錫球收容于所述隔離柱內并與所述基板電性連接，將所述倒裝芯片置放于所述錫球上; 采用封膠體包覆所述倒裝芯片，使所述倒裝芯片定位于所述基板上。
8.如權利要求7所述的封裝結構制造方法，其特征在于，所述隔離柱采用電鍍的方式形成。
9.如權利要求7所述的封裝結構制造方法，其特征在于，在將錫球收容于所述隔離柱內并與所述基板電性連接的步驟之間還包括在所述基板表面設置保護膜。
10.如權利要求9所述的封裝結構制造方法，其特征在于，所述保護膜通過電鍍鎳金的方式或采用有機保護膜的方式形成。
【文檔編號】H01L21/50GK104425287SQ201310362550
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月19日 優先權日:2013年8月19日
【發明者】王月榮 申請人:訊芯電子科技（中山）有限公司